ВИЗНАЧЕННЯ ВИСОТИ БАР’ЄРА КОНТАКТІВ Ni - НАПІВПРОВІДНИК ФОТОЕЛЕКТРИЧНИМ МЕТОДОМ

Автор(и)

  • В. П. Махній Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • М. М. Березовський Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • В. М. Склярчук Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна
  • О. М. Сльотов Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2018.2.136883

Ключові слова:

контакт метал-напівпровідник, висота бар’єру, фоточутливість, метод Фаулера

Анотація

Аналізуються спектри фотоструму структур, отриманих вакуумним напиленням напівпрозорих шарів Ni на хімічно травлених підкладках ряду напівпровідників (Si, GaAs, GaP, CdTe та ZnSe) n-типу провідності. Всі структури володіють фоточутливістю в області енергій фотонів менших за ширину забороненої зони напівпровідника при освітленні як зі сторони нікелю, так і зі сторони підкладки. Ці обидві спектральні ділянки побудовані в фаулерівських координатах призводять до однакових значень висоти потенціального бар’єру для кожного з досліджуваних контактів Ni-напівпровідник.

Посилання

K. A. Valiev, Yu. I. Pashintsev, G. V. Petrov. Application of a metal-semiconductor contact in electronics. Radio i svyaz, M. 303 p. (1980).

S. M. Sze. Physics of Semiconductor De¬vices. Second Edition. John Wiley & Sons, New Jersey 868 p. (1981).

R. H. Fowler. The analysis of photoelec¬tronic sensitivity curves for clean metals at vari¬ous temperatures. // Rhys. Rew, 38 (1), pp. 45-56 (1931).

V. I. Gavrilenko, A. M. Grekhov, D. V. Ko¬rbutyak, V. G. Litovchenko. Optical properties of semiconductors. Directory. Naukova Dumka, Kiev. 607 p. (1987)

C. A. Mead Metal-semiconductor for sur¬face barrier // Solid-State Electron, 9(11/12), pp. 1023-1033 (1966).

V. I. Strikha, E. V. Buzanova, I. P. Radzievsky. Semiconductor devices with a Schottky barrier (physics, technology, applica¬tion). Sov. Radio, M. 248 c. (1974).

D. Melebayew, G. D. Melebayewa, Yu. V. Rud, V. Yu. Rud. Photosensitivity spec¬trums of Ni-n-GaAs surface-barrier structures // TKEA, 1, pp. 31-34 (2008).

D. Melebayew, G. D. Melebayewa, Yu. V. Rud, V. Yu. Rud. Photosensitivity of Ni-n-GaAs Schottky barrier // FTP, 43 (1), pp. 34-37 (2009).

J. Kay, T. Leby. Tables of physical and chemical constants. Gos. izdat. of fiz. mat. lit., M., 248 с. (1962).

K. L. Chopra, S. R. Das Thin Film Solar Cells. Plenum, New York 607 p. (1983).

D. Melebayew, G. D. Melebayewa, Yu. V. Rud, V. Yu. Rud. New possibilities of pho¬toelectric method of determination barrier height in structures Au–n-GaAs // TKEA, 3, pp. 33-37 (2007).

##submission.downloads##

Опубліковано

2018-07-09

Номер

Том 15 № 2 (2018)

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2018 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.