МЕТОДИ СТАБІЛІЗАЦІЇ ХАРАКТЕРИСТИК ДАТЧИКІВ НА ОСНОВІ МАГНІТОЧУТЛИВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ СТРУКТУР

Автор(и)

  • М. А. Глауберман Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Ukraine
  • Я. І. Лепіх Одеський національний університет імені І. І. Мечникова,
  • А. П. Балабан Одеський національний університет імені І. І. Мечникова,
  • П. О. Снігур Одеський національний університет імені І. І. Мечникова,

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2020.4.219308

Ключові слова:

магніточутливі транзисторні структури, температурна нестабільність, стабілізація параметрів

Анотація

Температурна нестабільність основних характеристик напівпровідникових датчиків є перешкодою їх підвищення, зокрема, роздільної здатності. В роботі розглянуті методи усунення цієї нестабільності датчиків на основі магніточутливих транзисторних структур при впливі на них температури. Методика зниження температурної нестабільності реалізується за допомогою включення в схему елементів, параметри яких залежать від температури та метод послаблення (компенсування) цього паразитного ефекту для двоколекторної магніточутливої транзисторної (ДМТ) структури завдяки спеціальному вибору зворотних зв'язків у схемі обробки сигналу.

 

Посилання

Lepikh Ya. I., Glauberman M. A. Vplyv temperatury na parametry mahnitochutlyvykh tranzystornykh struktur // Sensor Electronics and

Microsystem Technologies 2020 - T. 17, №1.- P. 29–37 (in Ukrainian).

Burghartz J., von Munh W. Optimization of lateral magnetotransistors with integrated signal amplification // Sensors and Actuators. - 1987. -Vol.11, No.1. - P. 91–98.

Zi S. Fizika poluprovodnikovykh priborov. Per. s angl. / Pod red. R. A. Surisa. - M.: Mir, 1984. - T. 1, 421 s. (in Russian).

А.s. 1501740 SSSR, MKI G01R 33/00,33/06. Magnitochuvstvitel'noe ustrojstvo / I. M. Vikulin, E. A.Vasil'kovskaya, M. A.Glauberman,

A. B. Ivanov, I. P. Shnajder. - No.4363626; Zayavleno 12.10.88; Opublikovano 15.04.89–3 s., 1 l. il. (in Russian).

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-12-16

Номер

Том 17 № 4 (2020)

Розділ

Сенсори фізичних величин

Ліцензія

Авторське право (c) 2020 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.