ВПЛИВ ТОВЩИНИ ПЛІВКИ ГРАФІТУ НА ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІВ ТИПУ ДІОДІВ ШОТТКІ ГРАФІТ/n-Si
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2022.3.265294Ключові слова:
графіт, діод Шотткі, Si, коефіцієнт випрямленняАнотація
Виготовлено діоди Шотткі графіт/n-Si методом електронно-променевого випаровування графіту на підкладки кремнію n-типу провідності. Досліджено вплив товщини плівок графіту на фотоелектричні та електричні властивості даних діодів. Визначено, що виготовлені діоди Шотткі можна буде використовувати у якості фотодіодів та сонячних елементів. Також було досліджено температурні залежності шунтуючого та послідовного опорів діодів.
При прямому та зворотному зміщенні були визначені домінуючі механізми струмопереносу через досліджувані діоди. Також було обчислено чутливість та детективність виготовлених діодів Шотткі графіт/n-Si.
Досліджувані гетеропереходи володіють яскраво вираженими діодними характеристиками з коефіцієнтом випрямлення для структури із тоншою плівкою RR ≈ 5 ·102, а для структури із товстішою плівкою RR ≈ 102.
Посилання
S. K. Tiwari, V. Kumar, A. Huczko, R. Oraon, A. D. Adhikari, G. Nayak. Magical allotropes of carbon: prospects and applications. Crit. Rev. Solid State Mater. Sci., 41 (4), pp. 257–317 (2016).
L. Liao, H. Peng, Z. Liu. Chemistry makes graphene beyond graphene. J. Am. Chem. Soc., 136 (35), pp. 12194–12200 (2014).
Y. Peng, Z. Wang, K. Zou. Friction and wear properties of different types of graphene nanosheets as effective solid lubricants. Langmuir, 31 (28), pp. 7782–7791 (2015).
B. Mi. Graphene oxide membranes for ionic and molecular sieving. Science, 343 (6172), pp. 740–742 (2014).
J. Poon, C. Batchelor-McAuley, K. Tschulik, R. G. Compton. Single graphene nanoplatelets: capacitance, potential of zero charge and diffusion coefficient. Chem. Sci., 6 (5), pp. 2869–2876 (2015).
X. Li, H. Zhu, K. Wang, A. Cao, J. Wei, C. Li, Y. Jia, Z. Li, and D. Wu. Graphene-On-Silicon Schottky Junction Solar Cells. Adv. Mater., 22, pp. 2743–2748 (2010).
V. V. Brus, P. D. Maryanchuk. Photosensitive Shottky-type heterojunctions prepared by the drawing of graphite films. Appl. Phys. Lett., 104, pp. 173501 (2014).
S. Tongay, T. Schumann, A. F. Hebard Graphite based Schottky diodes formed on Si, GaAs, and 4H-SiC substrates. Appl. Phys. Lett., 95, pp. 222103 (2009).
L. Lancellotti, N. Lisi, P. Delli Veneri, E. Bobeico, I. Matacena, P. Guerriero. Grapheneon-Silicon solar cells with graphite contacts. IEEE, 106, pp. 19118483 (2019).
A. I. Mostovyi, S. I. Kuryshchuk, T. T. Kovaliuk, I. P. Koziarskyi, M. M. Solovan. Fabrication and investigation photosensitive of Graphite/PEDOT: PSS/n-CdZnTe organic-inorganic heterojunction. SPIE Proceedings, 12126, (2021).
A. Belaidi, R. Bayon, L. Dloczik, K. Ernst, M. Ch. Lux-Steiner, R. Konenkamp. Comparison of different thin film absorbers used in eta-solar cells. This Solid Films, 431–432, pp. 488–491 (2003).
H. P. Parkhomenko, M. N. Solovan, P. D. Maryanchuk. Electrical properties of p-NiO/n-Si heterostructures based on nanostructured silicon. Semiconductors, 52 (7), pp. 859–863 (2018).
S. N. Moger, M. G. Mahesha. Investigation on ZnTe/CdxZn1-xTe heterostructure for photodetector applications. Sensors and Actuators A: Physical, 315, pp. 112294 (2020).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
