ФОРМУВАННЯ ОМІЧНОГО КОНТАКТУ В МІКРОЕЛЕКТРОННИХ ПРИСТРОЯХ З ПІДКЛАДКАМИ ЗІ ШПАРИСТОЮ ПОВЕРХНЕЮ

Автор(и)

  • Я. І. Лепіх Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОН і НАН України при Одеському національному університеті імені І. І. Мечникова, Україна https://orcid.org/0000-0001-6769-835X
  • І. К. Дойчо Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОН і НАН України при Одеському національному університеті імені І. І. Мечникова, Україна
  • А. П. Балабан Міжвідомчий науково-навчальний фізико-технічний центр МОН і НАН України при Одеському національному університеті імені І. І. Мечникова, Україна https://orcid.org/0000-0002-6372-479X

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2024.4.318866

Ключові слова:

омічний контакт, шпариста поверхня підкладинки, силікатне скло

Анотація

В технології приладобудування, зокрема технології елементної бази електроніки, (гібридні інтегральні схеми (ГІС), сенсори різного призначення тощо), що використовує ансамблі наночастинок напівпровідникових та інших матеріалів у шпаристій матриці, нерідко мають місце проблеми формування омічних контактів до зазначених систем особливо коли використовуються в якості підкладок матеріали зі шпаристою поверхнею. А, як відомо, якість контактів головним чином визначає надійність пристроїв, систем і радіоелектронної апаратури в цілому. Нами запропоновано і досліджено новий ефективний спосіб формування омічного контакту на підкладках зі шпаристою поверхнею, зокрема, скла.

Посилання

Mineeva M. A., Mooreakaeva G. A. Patent RF No 2084988. 20.07.1997, MPK H01L21/28. [in Russian].

W. X. Schroen, F. A. Padovani, and Н.Р.К. Hentzschel. US patent 3983264A, Feb. 2, 2011, МПК H01L29/452.

Jong Lam 25 Lee, Но Won Jang, Jong Kyu Kim, and Changmin Jeon. US patent 7214325B2. May 08, 2007, МПК H01L21/28575.

Doycho I. K., Lepikh Ya. I. Sposib vyhotovlennia omichnoho kontaktu do shparystoho skla Vynakhid PU228932. Data, z yakoi ye chynnymy prava: 28.11.2024. Zayavka а202202804 vid 05.08.2022. [in Ukrainian].

##submission.downloads##

Опубліковано

2024-12-27

Номер

Том 21 № 4 (2024)

Розділ

Технологія виробництва сенсорів

Ліцензія

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.