ВИКОРИСТАННЯ р-n ПЕРЕХОДІВ НА ОСНОВІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ З СУЛЬФІДНОМОДИФІКОВАНОЮ ПОВЕРХНЕЮ В ЯКОСТІ СЕНСОРІВ АМІАКУ

Анотація

Досліджено вплив режимів сульфідної обробки поверхні на вольт-амперні характеристики прямого та оберненого струмів і чутливість p-n переходів на основі GaAs до парів аміаку. Встановлено, що короткотривала обробка зменшує прямі та обернені струми в передпробійній області, виміряні в повітрі, та призводить до зростання чутливості до парів аміаку. Зменшення струмів вихідних структур, виміряних у повітрі, після сульфідної обробки пояснюється зменшенням щільності поверхневих центрів внаслідок видалення оксидного шару. Причиною чутливості p-n структур на основі GaAs до парів аміаку є утворення каналу поверхневої провідності, який закорочує p-n перехід і призводить до зростання прямих струмів в області низьких рівнів інжекції та обернених струмів у передпробійній області. Короткотривала сульфідна обробка за рахунок зменшення щільності поверхневих центрів збільшує кількість вільних електронів у каналі, що призводить до підвищення чутливості оброблених структур до парів аміаку. Збільшення тривалості обробки супроводжується появою нових поверхневих центрів і зменшенням максимально досягнутої чутливості до парів аміаку.