ОПТИЧНИЙ ЗОНД ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ПОВЕРХНЕВОЇ ОДНОРІДНОСТІ ФОТОЧУТЛИВОСТІ ДЕТЕКТОРІВ В ІЧ ДІАПАЗОНІ

Автор(и)

  • О. Г. Голенков Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна https://orcid.org/0000-0001-8009-7161
  • А. В. Шевчик-Шекера Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна https://orcid.org/0000-0002-4708-8535
  • В. В. Забудський Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна https://orcid.org/0000-0003-2033-8730
  • І. О. Лисюк Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна https://orcid.org/0000-0003-0369-5883
  • З. Ф. Цибрій Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна https://orcid.org/0000-0003-1718-5569
  • А. С. Станіславський Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • С. В. Корінець Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • А. Ю. Шекера Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Україна https://orcid.org/0009-0002-9959-7961

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2025.4.343569

Ключові слова:

оптичний зонд, інфрачервоний діапазон, ефективна фоточутлива площа, однорідність фоточутливості, коефіцієнт фотоелектричного зв’язку

Анотація

Запропоновано конструкцію оптичного зонда для вимірювання параметрів детекторів інфрачервоного діапазону, таких як, ефективна фоточутлива площа, однорідність фоточутливості по поверхні та коефіцієнт фотоелектричного зв’язку. Експериментально та теоретично оцінено діаметр плями оптичного зонда та проведено апробування оптичного зонда на прикладі визначення однорідності фоточутливості по поверхні InSb фотодіоду на довжині хвилі 4,3 мкм.

Посилання

Rogalski A. Infrared and terahertz detectors. 3rd ed. Boca Raton, FL, USA : CRC Press, 2019. 1066 p.

Saleem M. I., Kyaw A. K. K., Hu J. Infrared photodetectors: recent advances and challenges toward innovation for image sensing applications. Advanced Optical Materials. 2024. Vol. 12, iss. 33. Article 2401625. https://doi.org/10.1002/adom.202401625

Hutsul T., Khobzei M., Tkach V. et al. Review of approaches to the use of unmanned aerial vehicles, remote sensing and geographic information systems in humanitarian demining: Ukrainian case. Heliyon. 2024. Vol. 10, iss. 7. Article e29142. https://doi.org/10.1016/j.heliyon.2024.e29142

Yu X., Ji Y., Shen X., Le X. Progress in advanced infrared optoelectronic sensors. Nanomaterials. 2024. Vol. 14, iss. 10. Article 845. https://doi.org/10.3390/nano14100845

Musca C. A., Dell J. M., Faraone L., Bajaj J., Pepper T., Spariosu K., Bruce C. Analysis of crosstalk in HgCdTe p-on-n heterojunction photovoltaic infrared sensing arrays. Journal of Electronic Materials. 1999. Vol. 28, no. 6. P. 617–623. https://doi:10.1007/s11664-999-0044-8

Karp L., Musca C. A., Dell J. M, Faraone L. Characterisation of crosstalk in HgCdTe n-on-p photovoltaic infrared arrays. Proceedings of the SPIE. 2004, Vol. 5274. P. 183–193. https://doi.org/10.1117/12.522217

Yinghui S., Bo Z., Meifang Y., Qingjun L., Yan Z., Xin W., Ning D. Crosstalk of HgCdTe LWIR n-on-p diode arrays. J. Semicond. 2009. Vol. 30, no. 9. Article 094007. https://doi.org/10.1088/1674-4926/30/9/094007

Olmstead B. L. et al. Spectra-physics scanning systems, 2000. Method and apparatus for reading images without need for self-generated illumination source. US Patent 6042012.

Sapon S. V., Boltovets M. S., Kulbachynskyi O. A., Zabudsky V. V., Golenkov O. G., Korotyeyev V. V., Efremov A. A. Properties of InSb photodiodes fabricated by ion implantation. SPQEO. 2024, Vol. 27, no. 3. P. 356–365. https://doi.org/10.15407/spqeo27.03

##submission.downloads##

Опубліковано

2025-12-23

Як цитувати

Голенков, О. Г., Шевчик-Шекера, А. В., Забудський, В. В., Лисюк, І. О., Цибрій, З. Ф., Станіславський, А. С., Корінець, С. В., & Шекера, А. Ю. (2025). ОПТИЧНИЙ ЗОНД ДЛЯ ВИЗНАЧЕННЯ ПОВЕРХНЕВОЇ ОДНОРІДНОСТІ ФОТОЧУТЛИВОСТІ ДЕТЕКТОРІВ В ІЧ ДІАПАЗОНІ. Сенсорна електроніка і мікросистемні технології, 22(4), 30–39. https://doi.org/10.18524/1815-7459.2025.4.343569

Номер

Том 22 № 4 (2025)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2025 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право на публікації переходить Видавцю.