ОСОБЛИВОСТІ ЕКСИТОННОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ ЧЕРВОНИХ ФОСФІД- ГАЛІЄВИХ СВІТЛОДІОДІВ

Автор(и)

  • O. V. Konoreva Інститут ядерних досліджень НАН України, Ukraine
  • Ye. V. Malyi Інститут ядерних досліджень НАН України, Ukraine
  • Ya. M. Olikh Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Ukraine
  • I. V. Petrenko Інститут ядерних досліджень НАН України, Ukraine
  • M. B. Pinkovska Інститут ядерних досліджень НАН України, Ukraine
  • O. I. Radkevych ДП “НДІ Мікроприладів” НТК “Інститут монокристалів” НАН України, Ukraine
  • V. P. Tartachnyk Інститут ядерних досліджень НАН України, Ukraine

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.1.70301

Ключові слова:

фосфід галію, GaP(Zn-O), світлодіод, електролюмінесценція, рекомбінація, спектр, екситон, свічення

Анотація

Досліджувалися спектри електролюмінесценції червоних фосфідо-галієвих світлодіодів. Окрім основної смуги випромінювання hν = 1,845 еВ, виявлено додаткову коротко-хвильову компоненту hν = 2,206 еВ, існування якої пов’язується з донорно-акцепторними переходами між парами Zn-Sn. Головна особливість цієї лінії – зростання інтенсивності при малих струмах (до ~ 50 мА) та, зумовлене тепловим ефектом, падіння – при великих (понад 90 мА). Обговорюється природа аномального розширення спектральних ліній.

Посилання

A. Armitage, T. A. Fisher, M. S. Skolnick, D. M. Whitaker, P. Kinsler and J. S. Roberts. Exciton polaritons in semiconductor quantum microcavities in a high magnetic field // Phys. Rev. B. 55 16395 (1997)

A. Berg, P. Din. Svetodiody // Moskva, «Mir», s. 98 (1979)

O. N. Yermakov, V. P. Sushkov. Poluprovodnikovie sinteziruyushchiye indicatory // «Radio i sviaz», М., s. 239, (1990)

V. P. Kochereshko, Ye. L. Ivchenko, D. R. Yakovlev, F. Lavallar. Rezonansnaya opticheskaya orientatsiya I vystraivaniye eksitonov v sverkhreshetkakh // Fizika tverdogo tela 40 s. 2228-2235 (1998)

S. V. Zaitsev, G. Shomich, A. Forkhel, G. Baher. Magnitooptika i dinamika magnitnogo poliarona v polumagnitnyh kvantovyh tochkah CdSe/ZnMgS // Pisma v ZhETF, 58, s. 402-406 (2007)

Ι. Α. Sukach. Radiation-induced transformation of radiative exiton complexes bound to nitrogen in GaP:N green light-emitting structures // Journal of Luminescence 85 121-128 (1999)

O. M. Gontaruk, A. V. Kovalenko, O. V. Konoreva, E. V. Malyj, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk Electroluminescence of commercial GaP green light-emitting diodes // Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 80, No. 6, pp. 851-854 (2014)

O. Madelung Fizika poluprovodnikovyh soedinenii elementov III I V grupp // Moskva, «Mir», s. 477 (1967)

Zh. Pankov. Opticheskie protsessi v poluprovodnikakh // Moskva, «Mir» (1973)

K. Maeda Temperature dependence of pair band luminescence in GaP // J. Phys. Chem. Solids 26 (1965) 595

Natchan M. J., Morgan T. N. Exitation Dependence of Photoluminescence in n- and ptype Compensated GaAs. // Physics of Quantum Electronics. eds. Kelley P. L., Lax B. and Tannenwald P. E. Me Jraw-Hill., 478 (1966)

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-01-02

Номер

Том 13 № 1 (2016)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.