ОСОБЛИВОСТІ ЕКСИТОННОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ ЧЕРВОНИХ ФОСФІД- ГАЛІЄВИХ СВІТЛОДІОДІВ

O. V. Konoreva, Ye. V. Malyi, Ya. M. Olikh, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, O. I. Radkevych, V. P. Tartachnyk

Анотація


Досліджувалися спектри електролюмінесценції червоних фосфідо-галієвих світлодіодів. Окрім основної смуги випромінювання hν = 1,845 еВ, виявлено додаткову коротко-хвильову компоненту hν = 2,206 еВ, існування якої пов’язується з донорно-акцепторними переходами між парами Zn-Sn. Головна особливість цієї лінії – зростання інтенсивності при малих струмах (до ~ 50 мА) та, зумовлене тепловим ефектом, падіння – при великих (понад 90 мА). Обговорюється природа аномального розширення спектральних ліній.


Ключові слова


фосфід галію; GaP(Zn-O); світлодіод; електролюмінесценція; рекомбінація; спектр; екситон; свічення

Посилання


A. Armitage, T. A. Fisher, M. S. Skolnick, D. M. Whitaker, P. Kinsler and J. S. Roberts. Exciton polaritons in semiconductor quantum microcavities in a high magnetic field // Phys. Rev. B. 55 16395 (1997)

A. Berg, P. Din. Svetodiody // Moskva, «Mir», s. 98 (1979)

O. N. Yermakov, V. P. Sushkov. Poluprovodnikovie sinteziruyushchiye indicatory // «Radio i sviaz», М., s. 239, (1990)

V. P. Kochereshko, Ye. L. Ivchenko, D. R. Yakovlev, F. Lavallar. Rezonansnaya opticheskaya orientatsiya I vystraivaniye eksitonov v sverkhreshetkakh // Fizika tverdogo tela 40 s. 2228-2235 (1998)

S. V. Zaitsev, G. Shomich, A. Forkhel, G. Baher. Magnitooptika i dinamika magnitnogo poliarona v polumagnitnyh kvantovyh tochkah CdSe/ZnMgS // Pisma v ZhETF, 58, s. 402-406 (2007)

Ι. Α. Sukach. Radiation-induced transformation of radiative exiton complexes bound to nitrogen in GaP:N green light-emitting structures // Journal of Luminescence 85 121-128 (1999)

O. M. Gontaruk, A. V. Kovalenko, O. V. Konoreva, E. V. Malyj, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk Electroluminescence of commercial GaP green light-emitting diodes // Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 80, No. 6, pp. 851-854 (2014)

O. Madelung Fizika poluprovodnikovyh soedinenii elementov III I V grupp // Moskva, «Mir», s. 477 (1967)

Zh. Pankov. Opticheskie protsessi v poluprovodnikakh // Moskva, «Mir» (1973)

K. Maeda Temperature dependence of pair band luminescence in GaP // J. Phys. Chem. Solids 26 (1965) 595

Natchan M. J., Morgan T. N. Exitation Dependence of Photoluminescence in n- and ptype Compensated GaAs. // Physics of Quantum Electronics. eds. Kelley P. L., Lax B. and Tannenwald P. E. Me Jraw-Hill., 478 (1966)




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.1.70301

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)