ОСОБЛИВОСТІ ЕКСИТОННОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ ЧЕРВОНИХ ФОСФІД- ГАЛІЄВИХ СВІТЛОДІОДІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.1.70301Ключові слова:
фосфід галію, GaP(Zn-O), світлодіод, електролюмінесценція, рекомбінація, спектр, екситон, свіченняАнотація
Досліджувалися спектри електролюмінесценції червоних фосфідо-галієвих світлодіодів. Окрім основної смуги випромінювання hν = 1,845 еВ, виявлено додаткову коротко-хвильову компоненту hν = 2,206 еВ, існування якої пов’язується з донорно-акцепторними переходами між парами Zn-Sn. Головна особливість цієї лінії – зростання інтенсивності при малих струмах (до ~ 50 мА) та, зумовлене тепловим ефектом, падіння – при великих (понад 90 мА). Обговорюється природа аномального розширення спектральних ліній.
Посилання
A. Armitage, T. A. Fisher, M. S. Skolnick, D. M. Whitaker, P. Kinsler and J. S. Roberts. Exciton polaritons in semiconductor quantum microcavities in a high magnetic field // Phys. Rev. B. 55 16395 (1997)
A. Berg, P. Din. Svetodiody // Moskva, «Mir», s. 98 (1979)
O. N. Yermakov, V. P. Sushkov. Poluprovodnikovie sinteziruyushchiye indicatory // «Radio i sviaz», М., s. 239, (1990)
V. P. Kochereshko, Ye. L. Ivchenko, D. R. Yakovlev, F. Lavallar. Rezonansnaya opticheskaya orientatsiya I vystraivaniye eksitonov v sverkhreshetkakh // Fizika tverdogo tela 40 s. 2228-2235 (1998)
S. V. Zaitsev, G. Shomich, A. Forkhel, G. Baher. Magnitooptika i dinamika magnitnogo poliarona v polumagnitnyh kvantovyh tochkah CdSe/ZnMgS // Pisma v ZhETF, 58, s. 402-406 (2007)
Ι. Α. Sukach. Radiation-induced transformation of radiative exiton complexes bound to nitrogen in GaP:N green light-emitting structures // Journal of Luminescence 85 121-128 (1999)
O. M. Gontaruk, A. V. Kovalenko, O. V. Konoreva, E. V. Malyj, I. V. Petrenko, M. B. Pinkovska, V. P. Tartachnyk Electroluminescence of commercial GaP green light-emitting diodes // Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 80, No. 6, pp. 851-854 (2014)
O. Madelung Fizika poluprovodnikovyh soedinenii elementov III I V grupp // Moskva, «Mir», s. 477 (1967)
Zh. Pankov. Opticheskie protsessi v poluprovodnikakh // Moskva, «Mir» (1973)
K. Maeda Temperature dependence of pair band luminescence in GaP // J. Phys. Chem. Solids 26 (1965) 595
Natchan M. J., Morgan T. N. Exitation Dependence of Photoluminescence in n- and ptype Compensated GaAs. // Physics of Quantum Electronics. eds. Kelley P. L., Lax B. and Tannenwald P. E. Me Jraw-Hill., 478 (1966)
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.