ФОТОДІОДИ HgCdTe СЕРЕДНЬОХВИЛЬОВОГО ІЧ ДІАПАЗОНУ СПЕКТРА

Автор(и)

  • F. Sizov Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України http://orcid.org/0000-0003-0906-0563
  • Z. Tsybrii Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України http://orcid.org/0000-0003-1718-5569
  • M. Vuichyk Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України
  • К. Andreyeva Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України
  • М. Apatsка Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України
  • S. Bunchuk Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України
  • N. Dmytruk Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України
  • М. Smolii Ін-т фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.1.70314

Ключові слова:

фотодіод, HgCdTe, інфрачервоний, BLIP режим

Анотація

Виготовлено фотодіоди HgCdTe середньохвильового інфрачервоного (ІЧ) діапазону спектра з великою площею чутливого елемента (Ø = 0.5 мм) з довгохвильовою межею фотовідгуку λco ≈ 5 мкм та досліджено їхні характеристики на структурах, вирощених методом рідкофазної епітаксії. Оцінено характеристики таких фотодіодів, які необхідні для їх функціонування в режимах, обмежених флуктуаціями потоку фотонів фонового випромінювання (BLIP режим, BLIP - background limited performance)

Посилання

M. Vuillermet, D. Billon-Lanfrey, Y. Reibel, A. Manissadjian, L. Mollard, N. Baierb O. Gravrand and G. Destéfanis, Status of MCT Focal Plane Arrays in France, Proc. SPIE, 8353, 83532K (2012).

N. Osia, T. Bourlai, Holistic and partial face recognition in the MWIR band using manual and automatic detection of face-based features, IEEE Int’l Conf. Technol. Homeland Security, p. 273- 279 (2012), doi:10.1109/THS.2012.6459861.

F. Sizov, IR photoelectronics: Photon orthermal detectors? Outlooks, Sensor Electronics and Мicrosystem Technologies, 12, 26-52 (2015) (in Russian).

J.T. Wimmers, D.S. Smith, “Characteristics of InSb photovoltaic detectors at 77 K and below”, Proc. SPIE, 364, 123-131 (1983).

J.T. Wimmers, R.M. Davis, C.A. Niblack, D.S. Smith, «Indium antimonide detector technology at Cincinnati Electronics Corporation», Proc. SPIE, 930, 125-138 (1988).

S.M. Johnson, D.R. Rhiger, J.P. Rosbeck, J.M. Peterson, S.M. Taylor, M.E. Boyd, “Effect of dislocations on the electrical and optical properties of long-wavelength infrared HgCdTe photovoltaic detectors”, J. Vacuum Sci. Technol., B10, 1495-1506 (1992).

L.N. Kurbatov, Optoelectronics of visible and infrared spectral regions, Moscow, MFTI Publisher (1999) (in Russian).

F. Sizov, Photoelectronics for vision systems in invisible spectra regions, Kiev, Akademperiodika (2008) (in Russian).

G.C. Holst, «Electro-optica imaging systems performance”, Bellingham, USA: SPIE Optical Eng. Press (2003).

J. Chu and A. Sher, Physics and properties of narrow-gap semiconductors, Springer, N.Y., (2008).

J.R. Lowney, D.G. Seiler, C.L. Littler, and I.T. Yoon, “Intrinsic Carrier Concentration of Narrow-Gap Mercury Cadmium Telluride”, J. Appl. Phys., 71, 1253-1258 (1992).

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-01-02

Номер

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори