ВПЛИВ УЛЬТРАЗВУКУ НА ПРОТІКАННЯ СТРУМУ В НИЗЬКООМНИХ КРИСТАЛАХ CdTe:Cl
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.1.70320Ключові слова:
ультразвук, дислокації, телурид кадмію, ефект ХоллаАнотація
В низькоомних кристалах CdTe:Cl n-типу (NCl≈1024 m-3) вперше спостережено динамічні (in-situ, повністю зворотні) акустостимульовані (АС) зміни провідності σ. Для визначення механізму АС явищ проведено дослідження температурних залежностей (77÷300 К) концентрації і рухливості електронів в умовах дії ультразвуку (УЗ) (fUS~10 MHz, WUS~(0,1÷2,0)∙104 Wt/m2 ) та кінетики релаксації σ(t) при ввімкненні та вимкненні УЗ. Запропоновано акусто-дислокаційний механізм, який пов'язує: а) «миттєві» (t<1 sec) зміни σ (t) з додатковим розсіюванням носіїв заряду на дислокаціях та кластерах точкових дефектів, які коливаються в УЗ полі; б) довготривалі (50÷500) sec температурно-залежні релаксації σ(t) є результатом дифузійної перебудови точково-дефектної структури в об’ємі кластера, включаючи перетворення акцепторного комплексу [(VCd 2-ClTe + )- ] в нейтральний – [(VCd 2-2ClTe + )0].Посилання
D. V. Korbutyak, S. V. Mel’nichuk, E. V. Korbut, and M. M. Borisyuk, Cadmium Telluride: Impurity Defect States and Detector Properties. Ivan Fedoriv, K. 198 s. (2000).
N. V. Agrinskaja and V. V. Shashkova. Metastabil’nye tsentry v nizkoomnyh kristallah CdTe:Cl n-tipa // Fiz. Tekh. Poluprov. 24(4), pp.697-701 (1990).
Ya. M. Olikh and O. Ya. Olikh. Active ultrasound effects and their future usage in sensor electronics // Sens. elektron. mikrosist. tehnol. №1, pp.19-29 (2004).
Ya. M. Olikh and M. D. Tymochko. In situ observation of the relaxation of conductivity in γ-irradiated n-type silicon under the action of ultrasound pulses // Tech. Phys. Lett. 37(1), pp. 37-40 (2011).
A. I. Vlasenko, Ya. M. Olikh, andR. K. Savkina. Akustostimulirovannaya aktivatsiya svyazannyh defektov v tverdykh rastvorakh // Fiz. Tekh. Poluprov. 33(2), pp.410–414 (1999).
Ya. M. Olikh and Yu. I. Shavlyuk. Akustostimulirovannoe podavlenie shuma v kristallakh CdXHg1-XTe // Fiz. Tverd. Tela 38(11), pp.3365–3371 (1996).
M. I Ilashchuk, V. V. Matlak, O. A. Parfenyuk, A. V. Savits’ky, A. I. Skytsko. Vliyanie neodnorodnostej na elektrofizicheskie svojstva CdTe:Ge // Ukr. J. Phys. 31(1), pp.126-128 (1986).
Ya. M. Olikh and R. K. Savkina. Akustostymul’ovanyj zsuv temperatury inversiyi znaka koefitsiyenta Kholla u radiatsijno-legovanykh krystalakh germaniyu // Ukr. J. Phys. 42(11-12), pp.1385-1389 (1997).
O. A. Matveev and A. I. Terent’ev. Osnovnye printsipy poslerostovogo otzhiga CdTe:Cl dlya polucheniya poluizoliruyushchih kristallov // Fiz. Tekh. Poluprov. 34(11), pp. 1316 -1321 (2000).
Physics and Chemistry АIIВVI compounds: Trans. from English ed. S.A Medvedev. Mir, М. 624 s. (1970).
A. I. Vlasenko, Ya. M. Olikh, and R. K. Savkina. Podvizhnost’ nositelej zaryada v kristallakh n-Cdx Hg1−x Te v usloviyah dinamicheskogo ul’trazvukovogo nagruzheniya // Fiz. Tekh. Poluprov. 34(6), pp. 670-676 (2000).
Ya. M. Olikh, S. E. Ostapov, and M. D. Tymochko. Influence of ultrasonic treatment on electrophysical properties of HgMnTe and HgCdMnTe single crystals // Ukr. J. Phys. 50(10), pp.1145- 1152 (2005).
M. V. Alekseenko, E. N. Arkad’eva, and O. A. Matveev. O vliyanii neodnorodnostej na podvizhnost’ elektronov v telluride kadmiya // Fiz. Tekh. Poluprov. 4(2), pp. 414-416 (1970).
O. A. Matveev and A. I. Terent’ev. Samokompensatsiya v CdTe v usloviyah fazovogo ravnovesiya kristallpar kadmiya tellura // Fiz. Tekh. Poluprov. 32(2), pp.159-165 (1998).
Ya. M. Olikh, M. D. Tymochko, M.I Ilashchuk. Metastabil’nyy kharakter diyi akustychnoyi khvyli na elektrychnu providnist’ CdTe:Cl // Tezy dopovidey 6-yi Mizhnarodnoyi naukovo-tekhnichnoyi konferentsiyi “Sensorna elektronika ta mikrosystemni tekhnologiji” (SEMST-6). Odesa, p. 99 (2014).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
