ВПЛИВ ТЕМПЕРАТУРИ НА ТЕНЗОЧУТЛИВІСТЬ СИЛЬНОДЕФОРМОВАНИХ МОНОКРИСТАЛІВ n-G
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2015.2.73601Ключові слова:
монокристали n-Ge, коефіцієнт тензочутливості, питомий опір, одновісний тискАнотація
Досліджено п’єзоопір монокристалів n-Ge для випадку одновісного тиску вздовж кристалографічного напрямку [100]. Отримано залежності коефіцієнта тензочутливості для даних умов експерименту при різних фіксованих температурах. Показано, що максимум коефіцієнта тензочутливості припадає на діапазон одновісних тисків 2,3–2,5 ГПа та зменшується зі збільшенням температури. Таке зменшення при температурах, коли не проявляється ще власна провідність, пояснюється “виключенням” механізму розсіяння електронів на міждолинних та оптичних фононах при інверсії типу (L1- Δ1) абсолютного мінімуму в n-Ge. При температурах T>240 K необхідно додатково, при високих одновісних тисках, враховувати збільшення концентрації електронів в зоні провідності за рахунок власної провідності, що впливає як на величину п’єзоопору, так і коефіцієнта тензочутливості n-Ge.Посилання
A.A. Selezniov, A.Y. Aleinikov, P.V. Ermakov, N.S. Ganchuk, S.N. Ganchuk, R.E. Jones. Molekuliarno-dinamicheskiy raschiot koeficyenta teploprovodimosti monokristalla germaniya // Fizika Tviordogo Tela, 54(3), pp. 436-441 (2012).
N.V. Chygarev. Pikosekundnaya optoakusticheskaya giperzvukovaya spektroskopiya germaniya / N.V. Chygarev, D.Y. Parashchuk. // Trudy VI vserosiyskoi shkoly-seminara “Liuminiscencyia i soputstvuyushchie yavlenia”. Irkutsk. pp. 194-203 (2000).
G. M. Martines-duart, R. G. Martin-Palma, F. Agullo-rueda. Nanotehnologii dlia mikro- i optoelektroniki. Tehnosfera. M. (2009).
S. Tong, J. Liu, L.J. Wan, K.L. Wang // Appl. Phys.Lett. 80, p.1189 (2002).
O.V. Osadchuk, Y.O. Osadchuk. Deformaciini efekty u napivprovidnykovyh strukturah // Visnyk Khmelnytskogo nacionalnogo universytetu, 2, p.211 (2014).
K. Brunner. Si/Ge nanostructures // Rep. Prog. Phys, 65(1), pp. 27-72 (2002).
P.I. Baranskyj, V.P. Klochkov, I.V. Potykevych. Poluprovodnikovaja elektronika. Naukova dumka, K. 704 s. (1975).
S. Luniov, O. Burban, P. Nazarchuk. Deformation potentials for Δ1 minimum of conduction band of single crystals n-Ge // Journal of Advances in Physics, 5(1), pp. 705-711 (2014).
S. V. Luniov. Tenzochutlyvistj v Δ1– modeli zony providnosti krystaliv germaniju // Sensorna electronika ta mikrosystemni tehnologii, 10(3), pp. 76-81 (2013).
S.V. Luniov, P.F. Nazarchuk, O.V. Burban, V.A. Lopuhovich. Metodyka vymirjuvannja elektrychnyh vlastyvostej monokrystaliv n-Ge pry vysokyh odnovisnyh tyskah // Visnyk TNTU, 3, pp. 172 (2014).
V.P. Savchyn, R.Y. shuvar. Elektronne perenesennja v napivprovidnykah ta napivprovidnykovyh strukturah. Vydavnychyi centr LNU imeni Ivana Franka, Lviv. 687 p. (2008).
A.L. Poljakova. Deformatcia poluprovodnikov I poluprovodnikovyh priborov. Energija, Moskva. 168 p. (1979).
P.S. Kireev. Fizika poluprovodnikov. Vysshaja shkola, Moskva. 592 p. (1969).
P.I. Baranskij, A.V. Fedosov, G.P. Gajdar. Fizychni vlastyvosti krystaliv kremniju ta germaniju v poljah efektyvnogo vplyvu, Nadstyrja. Lutsk. 280 p. (2000).
S.V. Luniov, P.F. Nazarchuk, O.V. Burban. Parametry vysokoenergetychnogo Δ1 – minimumu zony providnosti krystaliv n-Ge. // Zhurnal fizychnyh doslidzhen. Журнал фізичних досліджень, (3), p. 3702 (2013) .
S. V. Luniov. Effect of phonon scattering of electrons by piezoresistance of single crystals n-Ge / S.V. Luniov, O.V. Burban, P.F. Nazarchuk, A.I. Zimych. // Proceedings of X International Scientific Conference “Electronics and Applied Physics”. Taras Shevchenko National University, Kyiv. pp. 84 -85 (2014).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2015 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
