НОВИЙ КРЕМНІЄВИЙ ДАТЧИК МАГНІТНОГО ПОЛЯ

V. G. Verbitskiy, K. V. Kryvokhyzha, O. G. Kukharenko, M. G. Tolmachov, O. V. Tretiak

Анотація


Досліджувались структури у вигляді планарного кремнієвого p-n переходу, в область просторового заряду якого вводились парамагнітні центри шляхом опромінення високоенергетичними іонами Не+. Експериментально підтверджено зміну провідності таких структур в умовах спінового резонансу. З’ясовано, що величина цієї зміни суттєво не залежить від напруженості магнітного поля. Це явище може бути використано для створення широкодіапазонного безкалібровочного датчика магнітного поля.


Ключові слова


p-n перехід; радіаційні дефекти; парамагнітні центри; спін-залежний струм; датчик магнітного поля

Посилання


Yu. V. Afanaciev, N. V. Studentsov, V. N. Horyov, E. N. Chechurina, A. P. Shchelkin. Sredstva izmereniya parametrov magnitnogo polya. Energiya, Leningrad. 320 p. (1979) (in russian).

Yu. V. Gorelkinskiy. Izmereniye napryazhennosti silno neodnorodnyh magnitnyh polei metodom EPR. Autoref. dis. kand. tehn. nauk, Leningrad. 24 p. (in russian).

O. V. Tretyak, O. I. Kozonushchenko, K. V. Krivokhizha, A. S. Revenko. Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 13(1), pp. 95-97 (2010).

I. A. Kolomiets, L. S. Mima, V. I. Striha, O. V. Tretiak. Spin-zavisimiy perenos toka v plasticheski deformirovannom kremnii. FTP, 13(3), pp. 427-434 (1979) (in russian).

V. A. Kozlov, V. V. Kozlovskiy. Legirovaniye poluprovodnikov radiatsionnymi defectami pri obluchenii protonami i α-chastitsami. FTP, 35(7), pp. 769-795 (2001) (in russian).

J. F. Ziegler, J. P. Biersack, U. Liimark. The Stopping and Range of Ions in Matter. Pergamon Press, vol. 1, (1985).

S. O. Lebed, O. G. Kukharenko, M. G. Tolmachov, O. V. Tretiak. Kyinskiy skanuyuchui yadernyi mikrozond z metodykoyu pretsyzijnogo programovanogo oprominenja zrazka mikropuchkom ioniv. Voprosy atomnoi nauki i tehniki, 81(5), (2012) (in ukrainian).




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.2.73607

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)