НОВИЙ КРЕМНІЄВИЙ ДАТЧИК МАГНІТНОГО ПОЛЯ

Автор(и)

  • V. G. Verbitskiy Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Україна
  • K. V. Kryvokhyzha Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Україна
  • O. G. Kukharenko Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Україна
  • M. G. Tolmachov Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Україна
  • O. V. Tretiak Інститут високих технологій Київського національного університету імені Тараса Шевченка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.2.73607

Ключові слова:

p-n перехід, радіаційні дефекти, парамагнітні центри, спін-залежний струм, датчик магнітного поля

Анотація

Досліджувались структури у вигляді планарного кремнієвого p-n переходу, в область просторового заряду якого вводились парамагнітні центри шляхом опромінення високоенергетичними іонами Не+. Експериментально підтверджено зміну провідності таких структур в умовах спінового резонансу. З’ясовано, що величина цієї зміни суттєво не залежить від напруженості магнітного поля. Це явище може бути використано для створення широкодіапазонного безкалібровочного датчика магнітного поля.

Посилання

Yu. V. Afanaciev, N. V. Studentsov, V. N. Horyov, E. N. Chechurina, A. P. Shchelkin. Sredstva izmereniya parametrov magnitnogo polya. Energiya, Leningrad. 320 p. (1979) (in russian).

Yu. V. Gorelkinskiy. Izmereniye napryazhennosti silno neodnorodnyh magnitnyh polei metodom EPR. Autoref. dis. kand. tehn. nauk, Leningrad. 24 p. (in russian).

O. V. Tretyak, O. I. Kozonushchenko, K. V. Krivokhizha, A. S. Revenko. Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 13(1), pp. 95-97 (2010).

I. A. Kolomiets, L. S. Mima, V. I. Striha, O. V. Tretiak. Spin-zavisimiy perenos toka v plasticheski deformirovannom kremnii. FTP, 13(3), pp. 427-434 (1979) (in russian).

V. A. Kozlov, V. V. Kozlovskiy. Legirovaniye poluprovodnikov radiatsionnymi defectami pri obluchenii protonami i α-chastitsami. FTP, 35(7), pp. 769-795 (2001) (in russian).

J. F. Ziegler, J. P. Biersack, U. Liimark. The Stopping and Range of Ions in Matter. Pergamon Press, vol. 1, (1985).

S. O. Lebed, O. G. Kukharenko, M. G. Tolmachov, O. V. Tretiak. Kyinskiy skanuyuchui yadernyi mikrozond z metodykoyu pretsyzijnogo programovanogo oprominenja zrazka mikropuchkom ioniv. Voprosy atomnoi nauki i tehniki, 81(5), (2012) (in ukrainian).

##submission.downloads##

Опубліковано

2016-01-13

Номер

Том 13 № 2 (2016)

Розділ

Сенсори фізичних величин

Ліцензія

Авторське право (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.