ГЕТЕРОШАРИ α-ZnSe ДЛЯ СЕНСОРІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.2.73670Ключові слова:
гетерошар, ізовалентне заміщення, оптичне відбивання, високотемпературна фотолюмінесценціяАнотація
Досліджено оптичні та люмінесцентні властивості гетерошарів гексагонального α-ZnSe, отриманих методом ізовалентного заміщення на α-CdSe. Вперше визначено величини параметрів зонної структури – Δcr = 0,07 еВ і Δso = 0,37 еВ. Встановлено, що люмінесценція α-ZnSe є високотемпературною до 550 К, визначається домінуючим випромінюванням зв’язаних на ізовалентній домішці Cd екситонів і міжзонною рекомбінацією вільних носіїв заряду. Висока квантова ефективність η = 8-10 % люмінесценції гетерошарів α-ZnSe дозволяє використовувати їх в якості джерел стабільного випромінювання, а також у сенсорах реєстрації зміни температури.
Посилання
A. N. Georgobiani. Wideband semiconductors AIIBVI and perspectives of their application // Advances in Physical Sciences, 113(1), pp. 129-155 (1974).
M. M. Slyotov, B. M. Sobistchanskiy, E. V. Stets. Isovalent substitution – a perspective methods of producing heterojunction optoelectronical devices // SPIE, 4425, pp. 272-276 (2000).
V. P. Makhniy, M. M. Slyotov, E. V. Stets, I. V. Tkachenko, V. V. Gorley, P. P. Horley. Application of modulation spectroscopy for determination of recombination center parameters // Thin Solid Films, 450, pp. 222-225 (2004).
A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintsev, Yu. V. Ozerov, I. M. Tighineanu. Application of modulation spectroscopy to study defects in wide-gap semiconductors // Proceedings of the Lebedev Physical Institute, 163, pp. 39-100 (1985).
T. V. Gorkavenko, S. M. Zubkova, V. A. Makara, L. N. Rusina. Temperature dependence of the band structure of ZnS, ZnSe, ZnTe, and CdTe wurtzite-type semiconductor compounds // Semiconductors, 41(8), pp. 886-896 (2007).
V. Khomyak, M. Slyotov, I. Shtepliuk, O. Slyotov and V. Kosolovskiy. Effect of Se Isoelectronic Impurity on the Luminescence Features of the ZnO // Acta Physica Polonica A, 122(6), pp. 1041-1043 (2012).
Koh Era, Langer D. W. Luminescence of ZnSe near the band edge under strong laser light excitation // J. Luminescence, 1-2, pp. 514-527 (1970).
V. P. Gribkovskii. The theory of Light Absorption and Emission in Semiconductors. Nauka i Teknika, Minsk. 464 p. (1975).
V. I. Fistul. Doping impurity atoms in semiconductors (state and condition). Fiz. -Mat. Lit. , M. 432 p. (2004).
A. N. Georgobiani, М. К. Sheinkman. Physics of А2В6 compounds. Mir, M. 320 p. (1986).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
