ОСОБЛИВОСТІ МІЖФАЗОВОЇ ВЗАЄМОДІЇ У СТРУКТУРАХ Si-SiO2

B. P. Koman

Анотація


На основі базових рівнянь нерівноважної термодинаміки та фізики поверхні для твердотілих структур Si–SiO2 розраховані енергетичні параметри міжфазової взаємодії на границі Si/SiO2: міжфазова енергія – γm, та міжфазовий натяг – σm. Досліджено вплив температури та Х – випромінювання на поведінку цих параметрів. З’ясовано, що у діапазоні поглинутих доз Х-опромінення (8·101–102 Гр) відбувається перехід структури у рівноважний стан, що характеризується мінімумом міжфазової енергії. Встановлена кореляція між рівнем механічних напружень в структурі та міжфазовим натягом на межі Si/SiO2.

Ключові слова


міжфазова; кремній–діоксид кремнію; енергетичні параметри; границя розділу; поверхнева енергія

Посилання


V. N. Eremenko, P. S. Martsenyuk. Svobodnaya poverhnostnaya energiya i ee korelyatsiya s drugimi svoystvami // V sb. Kapilyarnyie i adgezionnyie svoystva. – K. : Naukova dumka. – 1987. – P. 3-16 (in Russian).

V. K. Semenchenko. Poverhnostnyie yavleniya v metallah i splavah. – M. : Gostehteoretizdat, 1957. – 491 p. (in Russian).

L. L. Kunin. Poverhnostnyie yavleniya v metallah. – M. : Metallurgizdat, 1955. – 304 p. (in Russian).

B. N. Osherin. On surface energies of AN B8 – N semiconduction compounds // Phys. Status solidi (a). 1976. – Vol. 34, No.1. – pp. 181–187.

B. F. Ormont. O svyazi mezhdu himicheskoy i mehanicheskoy prochnostyu ochen tverdyih tel. //DAN SSSR – 1956. – Vol. 106, No. 4. – pp. 687–690. (in Russian).

B. F. Ormont. O zavisimosti mezhdu energeticheskimi, elektrofizicheskimi i mehanicheskimi svoystvami poluprovodnikov / B. F. Ormont // DAN SSSR. 1959. – Vol. 124, No. 1. pp. 129-133. (in Russian).

V. Z. Kanchukoev, A. Z. Kashezhev, A. X. Mambetov, V. A. Sozaev. Vliyanie elektricheskogo polya na poverhnostnuyu energiyu i rabotu vyihoda elektrona tonkih plenok splavov schelochnyih metallov // Pisma v ZhTF. – 2001. – Vol. 28, No. 12. – pp. 57–61. (in Russian).

E. V. Monahov. Strukturnyie i kompozitnyie perestroyki v OS – Ge – SiO2 – Si (111) pri impulsnom lazernom obluchenii. // Mikroelektronika. – 1997. – Vol. 26, No. 1. – pp. 64–70. (in Russian).

B. P. Koman, T. A. Klish. Fotoinduk-tsirovannyie izmereniya uprugih postoyannyih plYonok stekloobraznogo selenida myishyaka// Ukr. fiz. zh. – 1987. – Vol. 32, No. 3. – pp. 453-457. (in russian).

B. P. Koman, Yu. A. Eliseev Strukturna model stekol sistem As-Ge-S // VIsnik LDU. – 1985. – pp. 31–35. (Seriya fizichna, No. 19) (in Ukrainian).

D. M. Vinnik, B. P. Koman, I. V. Savitskiy, N. I. Yushin Vliyanie tolschinyi na fotoindutsirovannyiy sdvig kraya propusknaniya plYonok As60Se40 // Elektronnaya tehnika. – 1987. – Ser. IM, No. 32. Sb. ref. NNOKR. – P. 63. (in Russian).

V. Missol. Poverhnostnaya energiya razdela faz v metallah. Per. s polsk. – M. : Metallurgiya, 1978. – 176 p. (in russian).

B. P. Koman. , V. N. Yuzevich. Intrinsic mechanical stresses and thermodynamic parameters of the adhesive in the system a metal condensate - monocrystalline silicon// Fiz. Sol. St. – 2012. – Vol. 54. – No. 7. – pp. 1335–1341.

P. M. Soprunyuk, V. M. Yuzevich. EnergetichnI harakteristiki poverhnevih shariv. – Lviv: FMI Im. G. Karpenka NAN Ukrayini, SPOLOM. – 2005. – 292 p. (in Ukrainian).

Yu. V. Naydich Kontaktnyie yavleniya vmetallicheskih rasplavah. – Kiev: Naukova dumka. 1972. – 196 p. (in Russian).

B. D. Summ, Yu. V. Goryunov. Fiziko–himicheskie osnovyi smachivaniya i rastekaniya. – M. : Himiya, 1976. – 486 p. (in Russian).

W. J. Gibs The collected works, V. 1. Thermodynamics, New Haven, 1948, Vale Univ. Press.

V. A. Levin. Vvedenie v kvantovuyu himiyu tverdogo tela. – M. : Himiya, 1974. – 389 p. (in Russian).

B. N. Oscherin. Poverhnostnaya energiya poluprovodnikov tipa A2V4S52 i steklovanie ih rasplava // Fizika poverhnostnyih yavleniy v rasplavah. Ch. 2. Groznyiy, 1978. – pp. 22 – 26. (in Russian).

Ch. Kittel. Vvedenie v fiziku tverdogo tela. – 1978. – Moskva : Nauka. – 436 p. (in Russian).

Tablitsyi fizicheskih velichin: Spravochnik (Moskva: Mir: 1972). (in Russian).

B. P. Koman Temperature selectivity of radiation exposure on silicon MOSFETs. // Fiz. tehn. Semiconductors 2014 – Vol. 48. – Issue 5. – pp. 677-683.

Yu. S. Boyarskaya. Deformirovanie kristallov pri ispyitaniyah na mikrotverdost. – Kishinev: Shtintsa. – 1972. – 233p. (in Russian).

V. I. Sokolov, V. V. Plotnikov, A. M. Skvo-rtsov R. A. Haletskiy. Statsionarnoe okislenie kremniya // Izvestiya VUZov. Elektronika. – 2001. – No. 1. – pp. 17–21. (in Russian).

A. C. Adams, F. B. Alexander, C. D. Capio. Hydrogen–induced electronic states and vibrational modes in hydrogenated amorphous silicon nitride // J. Electrochem. Soc. – 1981. – Vol. 128. – No. 7. – pp. 1545-1551.

C. R. Helms, E. H. Poindexter. The silicon–silicon dioxide systems: its miсrostructure and imperfections // Rep. Prog. Phys. 1994. – Vol. 57. – pp. 791-852.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.2.73671

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)