ОТРИМАННЯ І ВЛАСТИВОСТІ УФ-СЕНСОРІВ НА ПІДКЛАДЦІ GaP З МОДИФІКОВАНОЇ ПОВЕРХНЕЮ

V. P. Makhniy, G. I. Bodyul, І. І. Herman, V. M. Skllyarchuk

Анотація


Досліджено фотоелектричні властивості контактів Ni-GaP, виготовлених на підкладках n-GaP, що відрізняються способом обробки поверхні. Після травлення в «царській горілці» підкладки мали дзеркальну поверхню (тип 1), яка після опрацювання у розплаві КОН + НNO3 = 1: 50 візуально сприймається матовою (тип 2). АСМ-топограми показали, що зразки 2 типу характеризуються структурою, що складається з однаково орієнтованих пірамід з основою 2-5 мкм, які є об’єднанням нанопірамід з латеральними розмірами 10-100нм. Наявність цієї поверхневої наноструктури викликає ряд особливостей фотоелектричних властивостей контактів Ni-GaP. Перша з них полягає в істотно більшій струмовій чутливості - 0,35 А / Вт проти 0,1 А / Вт для діодів з дзеркальною поверхнею. Напруга холостого ходу структур 2 типу досягає ~ 0,9 В, в той час як для зразків 1 типу воно не перевищує 0,5 В. Поверхнева наноструктура викликає також зменшення швидкості поверхневої рекомбінації, що підтверджується появою в спектрах фоточутливості смуги з максимумом ~ 3, 2еВ, відповідної енергії прямих переходах.


Ключові слова


контакт метал-напівпровідник; фосфід галію; квантово-розмірна поверхню; спектр фоточутливості; напруга холостого ходу

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


T. B. Blank, Yu. A. Goldberg. Semicon-ductor photovoltaics for the ultraviolet spectral range. Overview // PhТP, 2003, v. 37, №9. Р. 1025-1055.

V. I. Stafeev, I. D. Anisimovа. Photodiodes with Schottky barrier based on GaP, GaPxAs1-x and GaAs for UV and visible spectral ranges // PhТP, 1994, v. 28, №. 3. Р. 461-466.

А. I. Маlik, G. G. Hrushka. Optoelectronic properties of hetero-oxide - gallium phosphide metal //PhTP, 1991, v. 25, №. 10. P. 1691-1695.

I. D. Anisimova, I. M. Vikulin, F. A. Zai-tov, Sh. D. Kurmashev. Semiconductor photode-tectors: ultraviolet, visible and near infrared range of the spectrum. – M.: Radio and Communica-tions, 1984, P. 216.

V. P. Makhniy, N. V. Skrypnyk, Yu. N. Boyko/ Perspective of surface modification on CdTe single crystal substrate for creation of photosensitive barrier structures // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2009, v. 12, No2. P. 143-146.

V. P. Makhniy, I. I. German, Е. I. Chernykh. The influence of processing on the parameters of the surface of single-crystal substrates of cadmium telluride // Surface. X-ray, synchrotron and neutron researches, 2013, №6. P. 65-67.

S. S. Chusnutdinov, V. P. Makhniy, M. Aleszkiewicz, W . Zaleszczyk, M. M. Slotov. The effect of surface preparation on physical properties of Ni-ZnSe junctions // Acta Physika Polonica A, 2014, V. 126. P. 1076-1078.

V. P. Makhniy, V. M. Sklyarchuk, G. I. Bodyul, I. I. German. Optical properties of substrates with surface GaP quantum-dimensional structures // Proc. XV Internat. Conf. ”Physics and Technology of thin films and nanosystems”, May 11-16, 2015, Ivano-Frankivsk, Ukraine. P. 189.

К. Chopra, S. Das. Thin film solar cells. – М.: Mir, 1986, P. 435.

S. М Zi. Physics of Semiconductor Devices / Translated from English and edited by А. F.. Тrutko – М.: Energia, 1973, P. 656.

V. S. Gavrylenko, А. М. Grekov, D. V. Korbutyak, V. G. Lytovchenko. Optical properties of semiconductors. Reference book. –К: Naukova dumka,1987, P. 607.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.3.78645

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)