РОЗПІЗНАВАННЯ ГАЗІВ НА ОСНОВІ МІКРОКОМП'ЮТЕРНОГО АНАЛІЗУ ДАНИХ СЕНСОРІВ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2016.3.78646Ключові слова:
газові сенсори, поруватий кремній, мікрокомп’ютерний аналіз даних, розпізнавання газів, морфолід пеларгоновоі кислоти, аміак, пропан, леткі органічні сполукиАнотація
Робота присвячена проблемі детектування горючих і токсичних газів, а також їх попарного розпізнавання на основі вимірювання зміни технічних параметрів ПК, зокрема дослідженню концентраційних залежностей опору, ємності та частотної залежності імпедансу сенсорів ПК. Для розпізнавання газів запропоновано обробляти дані сенсорів ПК за допомогою мікрокомп’ютерних систем. В роботі досліджувались процеси детектування пар таких токсичних газів як морфолід пеларгонової кислоти (МПК) та газ аміак, а також горючо-вибухонебезпечних газів пропан та летких органічних сполук тютюнового диму. Для цього проведені вимірювання ВАХ, опору, ємності зразків та частотної залежності імпедансу ГС при безпосередньому контакті з газами при зміні іх концентрації в об’ємі.
Для розпізнавання двох токсичних газів МПК і аміаку вимірювались вольт-амперні характеристики та визначались концентраційні залежності ємності та опору гетероструктур ПК. При адсорбції МПК та зростанні концентрації останнього ємність та опір поруватого кремнію n- типу спадали Якщо ПК знаходиться в зоні дії аміаку, то ємність та опір зразка зростають, тобто реалізується режим екстракції електронів. Таким чином, різний характер залежностей опору та ємності дозволяє розпізнавати ці гази.
Для іншої пари газів – летких органічних сполук тютюнового диму та горючо-вибухонебезпечного газу пропану спостерігається однаковий вплив полярних молекул газу на підсистему носіїв ПК (опір та ємність зростають), однак розпізнавання газів в цьому випадку здійснюється за аналізом зміни вигляду частотної залежності різницевого значення імпедансу зразків ПК, що адсорбують ці гази.
Посилання
Skryshevskyi V. A. Fizychni osnovy napivprovidnykovykh fizychnykh sensoriv / V. A. Skryshevskyi. - K:VPTs «Kyivskyi universytet», 2006. - 190 p. (in Ukrainian).
Humidity sensors using porous silicon layer with mesa structure / S.-J. Kim, J.-Y. Park, S.-H. Lee, S.-H. Yi // Journal of Physics D: Applied Physics. - 2000. - V.33, No 15. P. - P. 1781-1784.
Pat. #92968 Ukraina, MPK: G01N 21/00, G01N 20/00, H01L 27/14. Sposib otrymannia hazovoho sensora / Monastyrskyi L. S., Morozov L. M., Olenych I. B., Sokolovskyi B. S.; zaiavnyk i vlasnyk Lvivskyi natsionalnyi universytet imeni Ivana Franka. - # a200904358; zaiavl. 05.05.2009; opubl. 27.12.2010, Biul. #24. http://uapatents.com/patents/morozov-leonid-mikhajjlovich (in Ukrainian).
Model roboty pidsystem osvitlennia ta okhorony intelektualnoho budynku/ Tesliuk V. M., Berehovska Kh. V., Berehovskyi V. V.//Naukovyi visnyk NLTU Ukrainy. – 2013. – Vyp. 23.-S.10. P. 297-303. (in Ukrainian).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2016 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.