DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.4.85175

ТЕМПЕРАТУРНА ДИНАМІКА СПЕКТРІВ ПОЛЯРИЗАЦІЙНОЇ ЧУТЛИВОСТІ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІВ ВЛАСНИЙ ОКСИД–p-InSe

В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк

Анотація


Досліджено температурну залежність коефіцієнта фотоплеохроїзму для гетеропереходу власний оксид–p-InSe. Зареєстровано різну температурну залежність зсуву довгохвильового краю фотоструму для двох орієнтацій поляризації: Е||С і Е┴С.


Ключові слова


гетероперехід власний оксид–p-InSe; анізотропія; коефіцієнт фотоплеохроїзму

Повний текст:

PDF

Посилання


F.P. Kesamanly, V.Ju. Rud’, Ju.V. Rud’. Estestvennyj fotopleohroizm v

poluprovodnikah (obzor) // FTP, 30(11), ss. 1921-1942 (1996).

F.P. Kesamanly, V.Ju. Rud’, Ju.V. Rud’. Navedennyj fotopleohroizm v

poluprovodnikah (obzor) // FTP, 33(5), ss. 513-536 (1998).

Patent Ukrai’ny № 101001 na vynahid «Sposib oderzhannja grani kolinearnoi’ z krystalografichnoju vissju С v sharuvatyh krystalah InSe i GaSe» / Kovaljuk Z.D., Katerynchuk V.M., Zaslonkin A.V.,

Tovarnyc’kyj M.V., Duplavyj V.J. (Bjul. № 4, 25.02.2013).

N.M. Mehtiev, Ju.V. Rud’, Je.Ju. Salaev. Fotojelektricheskie analizatory

poljarizovannogo izluchenija (FAPI) na sloistyh poluprovodnikah / FTP, 12(8), ss. 1566-1570 (1978).

V.N. Katerinchuk, Z.D. Kovaljuk, A.V. Zaslonkin. Vlijanie rezhimov

formirovanija sobstvennogo oksida na svojstva geteroperehodov oksid–p-InSe / Pis’ma v ZhTF, 25(13), ss. 34-36 (1999).

V.N. Katerinchuk, Z.D. Kovaljuk. Poluchenie geterostruktur okisel–p-InSe s uluchshennymi fotojelektricheskimi harakteristikami / FTP, 38(4), ss. 417-421 (2004).

Z.D. Kovalyuk, V.N. Katerinchuk, T.V. Betsa. Photoresponse spectral investigations for anisotropic semiconductor InSe / Opt. Mater., 17(1-2), pp. 279-281 (2001).

V.N. Katerinchuk, Z.R. Kudrinskij. Razmernyj opticheskij jeffekt v nanostrukturirovannyh plenkah In2O3 / FTP, 47(3), ss. 320-323 (2013).




Copyright (c) 2013 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)