СЕНСОРНІ ВЛАСТИВОСТІ ГІБРИДНИХ КОМПОЗИТІВ ПОЛІ-3,4- ЕТИЛЕНДИОКСІТІОФЕН – ПОРУВАТИЙ КРЕМНІЙ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2014.1.108143Ключові слова:
поруватий кремній, полі-3, 4-етилендиоксітіофен, композит, сенсори, адсорбційна чутливістьАнотація
Створено плівкові сенсорні елементи на основі гібридних систем полі-3, 4-етилендиоксітіофен – нанокристали поруватого кремнію. Методом інфрачервоної спектроскопії вивчено молекулярний склад отриманих матеріалів. Досліджено вплив адсорбції молекул води на електропровідність і ємність гібридних композитів. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності в залежності від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість одержаних гібридних систем та досліджені їх динамічні характеристики.Посилання
S. Misra, R. Bhattacharya, R. Angelucci. Integrated polymer thin film macroporous silicon microsystems // J. Indian Inst. Sci., 81, pp. 563-567 (2001).
O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, B.M. Savchyn, P.Y. Stakhira, Ya.I. Vertsimakha, B.R. Tsizh. Electronic Processes in the Porous SiliconConducting Polymer Heterostructures // Molec. Cryst. Liq. Cryst., 467, pp. 73- 83 (2007).
T.P. Nguyen, P.Le Rendu, V.H. Tran. Electrical and Optical Properties of Conducting Polymer/Porous Silicon Structures // Journal of Porous Materials, 7, pp. 393-396, (2000).
I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, M.R. Pavlyk. Electrochromic effect in photoluminescent porous silicon–polyaniline hybrid structures // J. Appl. Spectrosc., 79(3), pp. 495–498 (2012).
Ph. Leclere, M. Surin, P. Brocorens, M. Cavallini, F. Biscarini, R. Lazzaroni. Supramolecular assembly of conjugated polymers: From molecular engineering to solid-state properties // Mater. Sci. Engin. R, 55, pp. 1–56 (2006).
J. Ouyang, Q. Xu, C.-W. Chu, Y. Yang, G. Li, J. Shinar. On the mechanism of conductivity enhancement in poly(3,4- ethylenedioxythiophene): poly(styrene sulfonate) film through solvent treatment // Polymer, 45(25), pp. 8443-8450 (2004).
L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, I.B. Olenych, B.S. Sokolovskii, M.R. Pavlyk, P.P. Parandii. Application hybrid structure based on porous silicon for creating elements sensor devices // Sensor Electronics and Microsystems Technologies, 9(3), pp. 87-91 (2012) (in Ukrainian).
M. Niwano. In-situ IR observation of etching and oxidation processes of Si surfaces // Surface Science, 427-428, pp. 199-207 (1999).
M.G. Han, S.H. Foulger. Preparation of poly(3,4-etylendioxythiophene) (PEDOT) coated silica core-shell particles and PEDOT hollow particles // Chem. Commun., 19, pp. 2154-2155 (2004).
O. Pyshkina, A. Kubarkov, V. Sergeyev. Poly(3,4-etylendioxythiophene): synthesis and properties // Scientific Journal of Riga Technical University. Material Science and Chemistry, 21, pp. 51- 54 (2010).
A. Borghesi, A. Sassella, B. Pivac, L. Pavesi. Characterization of porous silicon inhomogeneities by high spatial resolution infrared spectroscopy // Sol. St. Commun., 87(1), pp. 1-4 (1993).
Yu.А. Vashpanov and V.A. Smyntyna, Adsorption Sensitivity of Semiconductors. Astroprint, Odesa. 216 (2005) (in Russian).
I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, B.S. Sokolovskii. Humidity sensitive structures on the basis of porous silicon // Ukr. J. Phys., 56(11), pp. 1198-1202 (2011).
S.J. Gregg, K.S.W. Sing. Adsorption, Surface Area and Porosity. Academic Press, London. 304 (1982).
Е.А. Tutov, E.N. Bormontov, V.M. Kashkarov, M.N. Pavlenko, E.P. Domashevskaya. Influence of water vapor adsorption on the C-V characteristics of heterostructures containing porous silicon // Tech. Phys., 73(11), pp. 1442-1448 (2003).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2017 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
