СЕНСОРНІ ВЛАСТИВОСТІ ГІБРИДНИХ КОМПОЗИТІВ ПОЛІ-3,4- ЕТИЛЕНДИОКСІТІОФЕН – ПОРУВАТИЙ КРЕМНІЙ

Л. С. Монастирський, О. І. Аксіментьєва, І. Б. Оленич, Л. І. Ярицька, Ю. Ю. Горбенко

Анотація


Створено плівкові сенсорні елементи на основі гібридних систем полі-3, 4-етилендиоксітіофен – нанокристали поруватого кремнію. Методом інфрачервоної спектроскопії вивчено молекулярний склад отриманих матеріалів. Досліджено вплив адсорбції молекул води на електропровідність і ємність гібридних композитів. Зареєстровано суттєву зміну електричної провідності та ємності в залежності від концентрації водяної пари. Для оцінки сенсорних властивостей було розраховано адсорбційну чутливість одержаних гібридних систем та досліджені їх динамічні характеристики.

Ключові слова


поруватий кремній; полі-3,4-етилендиоксітіофен; композит; сенсори; адсорбційна чутливість

Посилання


S. Misra, R. Bhattacharya, R. Angelucci. Integrated polymer thin film macroporous silicon microsystems // J. Indian Inst. Sci., 81, pp. 563-567 (2001).

O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, B.M. Savchyn, P.Y. Stakhira,

Ya.I. Vertsimakha, B.R. Tsizh. Electronic Processes in the Porous SiliconConducting Polymer Heterostructures // Molec. Cryst. Liq. Cryst., 467, pp. 73-83 (2007).

T.P. Nguyen, P.Le Rendu, V.H. Tran. Electrical and Optical Properties of

Conducting Polymer/Porous Silicon Structures // Journal of Porous Materials, 7, pp. 393-396, (2000).

I.B. Olenych, O.I. Aksimentyeva, L.S. Monastyrskii, M.R. Pavlyk. Electrochromic effect in photoluminescent porous silicon–polyaniline hybrid structures // J. Appl. Spectrosc., 79(3), pp. 495–498 (2012).

Ph. Leclere, M. Surin, P. Brocorens, M. Cavallini, F. Biscarini, R. Lazzaroni. Supramolecular assembly of conjugated polymers: From molecular engineering to solid-state properties // Mater. Sci. Engin. R, 55, pp. 1–56 (2006).

J. Ouyang, Q. Xu, C.-W. Chu, Y. Yang, G. Li, J. Shinar. On the mechanism of conductivity enhancement in poly(3,4- ethylenedioxythiophene): poly (styrene sulfonate) film through solvent treatment // Polymer, 45(25), pp. 8443-8450 (2004).

L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, I.B. Olenych, B.S. Sokolovskii,

M.R. Pavlyk, P.P. Parandii. Application hybrid structure based on porous silicon for creating elements sensor devices // Sensor Electronics and Microsystems Technologies, 9(3), pp. 87-91 (2012) (in Ukrainian).

M. Niwano. In-situ IR observation of etching and oxidation processes of Si

surfaces // Surface Science, 427-428, pp. 199-207 (1999).

M.G. Han, S.H. Foulger. Preparation of poly(3,4-etylendioxythiophene)

(PEDOT) coated silica core-shell particles and PEDOT hollow particles //

Chem. Commun., 19, pp. 2154-2155 (2004).

O. Pyshkina, A. Kubarkov, V. Sergeyev. Poly(3,4-etylendioxythiophene): synthesis and properties // Scientific Journal of Riga Technical University. Material Science and Chemistry, 21, pp. 51-54 (2010).

A. Borghesi, A. Sassella, B. Pivac, L. Pavesi. Characterization of porous

silicon inhomogeneities by high spatial resolution infrared spectroscopy // Sol. St. Commun., 87(1), pp. 1-4 (1993).

Yu.А. Vashpanov and V.A. Smyntyna, Adsorption Sensitivity of Semiconductors. Astroprint, Odesa. 216 (2005) (in Russian).

I.B. Olenych, L.S. Monastyrskii, O.I. Aksimentyeva, B.S. Sokolovskii.

Humidity sensitive structures on the basis of porous silicon // Ukr. J. Phys., 56(11), pp. 1198-1202 (2011).

S.J. Gregg, K.S.W. Sing. Adsorption, Surface Area and Porosity. Academic

Press, London. 304 (1982).

Е.А. Tutov, E.N. Bormontov, V.M. Kashkarov, M.N. Pavlenko,

E.P. Domashevskaya. Influence of water vapor adsorption on the C-V characteristics of heterostructures containing porous silicon // Tech. Phys., 73(11), pp. 1442-1448 (2003).




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2014.1.108143

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2017 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)