ДАТЧИКИ ТИСКУ: ОБ’ЄМНІ НАПІВПРОВІДНИКИ, НИТКОПОДІБНІ КРИСТАЛИ, НАНОПРОВІДНИКИ

Л. І. Панасюк, В. М. Єрмаков, В. В. Коломоєць, А. В. Божко, Л. В. Ящинський

Анотація


Ми представляємо в даній роботі експериментальні результати щодо зміни симетрії в одновісно-деформованих вздовж головних кристалографічних напрямків вироджених кристалах р-Si. Показано, що в умовах зміни симетрії ефективні маси дірок також істотно змінюються особливо в області слабких одновісних деформацій, які відповідають за п’єзоефект в напівпровідниках, об’ємних кристалах, ниткоподібних напівпровідниках та у нанопровідниках.

Ключові слова


тензочутливість; п’єзоопір; сенсор тиску; одновісна деформація; ниткоподібні кристали; нанопровідники

Посилання


Панков Ю.М. Пєзоопір у тонких шарах і мікрокристалах кремнію та германію р-типу провідності і сенсори на їх основі: Дис. канд..фіз.-мат. наук, Львів,1999.- 189 с.

Коломоец В.В., Ермаков В.Н., Сусь Б.А., Родионов В.Е. Установка для создания одноосных деформаций твердых тел. Патент России № 2040785, 1995.

J.X.Cao, X.G.Gong, and R.Q,Wu, Giant piezoresistance and its origin in Si(111) nanowires: First-principles calculations // Phys. Rev. B. -75, 233302 (2007).

Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наук, М. 584с. (1972).

R.He and P.Yang, Giant piezoresistance effect in silicon nanowires. // Nature Nanotechnology 1, 42 - 46 (2006).

Milne J. S., Rowe A. C. H., Arscott S., Renner Ch. Giant Piezoresistance

Effects in Silicon Nanowires and Microwires // 105, p.226802 (2010).




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109551

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2013 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)