Том 10, № 2 (2013)

Весь випуск

Переглянути або завантажити весь випуск PDF

Зміст

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: СПІНТРОНІКА В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ – ВГОРУ»
Ю. О. Кругляк, Н. Ю. Кругляк, М. В. Стріха 5-37
ПРО ДЕТЕКТУВАННЯ АНАПОЛЬНОГО МОМЕНТУ ЯДРА ТА ЕФЕКТУ НЕЗБЕРЕЖЕННЯ ПАРНОСТІ У ВАЖКИХ АТОМНИХ СИСТЕМАХ: НОВИЙ ПІДХІД
О. Ю. Хецелiyс 38-43
НОВИЙ ЧИСЕЛЬНИЙ ПІДХІД ДО ВИЗНАЧЕННЯ РАДІАЦІЙНИХ ПЕРЕХОДІВ У СПЕКТРАХ ДЕКОТРИХ СКЛАДНИХ ІОНІВ
Т. О. Флорко 44-49

Проектування і математичне моделювання сенсорів

РОЗРАХУНОК ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ІОНОСЕЛЕКТИВНИХ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ: ТЕОРЕТИЧНІ ТА ПРАКТИЧНІ АСПЕКТИ
С. В. Лозовий, О. Л. Кукла, О. С. Павлюченко, Ю. В. Голтвянський, М. М. Прищепа 50-61

Сенсори фізичних величин

ІНТЕРКАЛЬОВАНІ ШАРУВАТІ КРИСТАЛИ InSe, GaSe І Bi2 Te3 ТА ЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ТИСКУ НА ЇХ ОСНОВІ
З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк 62-67

Біосенсори

КОНТРОЛЬ МІКОТОКСИНІВ ЗА ДОПОМОГОЮ ІМУННОГО БІОСЕНСОРА НА ОСНОВІ НАНОСТРУКТУРОВАНОГО КРЕМНІЮ
М. Ф. Стародуб, Н. Ф. Слышик, И. В. Пилипенко, M. M. Meльниченко, Л. Н. Пилипенко 68-72
ВПЛИВ ХАРАКТЕРИСТИК СИСТЕМИ ТОНКОПЛІВКОВИЙ ПЕРЕТВОРЮВАЧ – БУФЕРНИЙ РОЗЧИН НА КОНДУКТОМЕТРИЧНИЙ БІОСЕНСОР, СТВОРЕНИЙ НА ЇЇ ОСНОВІ
М. Й. Мацишин, В. M. Пєшкова, В. Г. Мельник, О. Л. Кукла, А. В. Мамикін, Л. М. Семеничева, С. В. Дзядевич, О. П. Солдаткін 73-83

Матеріали для сенсорів

ДАТЧИКИ ТИСКУ: ОБ’ЄМНІ НАПІВПРОВІДНИКИ, НИТКОПОДІБНІ КРИСТАЛИ, НАНОПРОВІДНИКИ
Л. І. Панасюк, В. М. Єрмаков, В. В. Коломоєць, А. В. Божко, Л. В. Ящинський 84-87
ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ІОНІВ ВАНАДІЮ В КРИСТАЛАХ ZnS
Ю. А. Ніцук 88-93

Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів

ДОСЛІДЖЕННЯ СТАБІЛЬНОСТІ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОСЕНСОРІВ ПІД ДІЄЮ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ОПРОМІНЕННЯ ТА МАГНІТНОГО ПОЛЯ
Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа 94-101