Том 10 № 2 (2013)

Опубліковано: 2013-04-01

Весь випуск

PDF

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

УРОКИ НАНОЕЛЕКТРОНІКИ: СПІНТРОНІКА В КОНЦЕПЦІЇ «ЗНИЗУ – ВГОРУ»

Ю. О. Кругляк, Н. Ю. Кругляк, М. В. Стріха

5-37
- PDF
ПРО ДЕТЕКТУВАННЯ АНАПОЛЬНОГО МОМЕНТУ ЯДРА ТА ЕФЕКТУ НЕЗБЕРЕЖЕННЯ ПАРНОСТІ У ВАЖКИХ АТОМНИХ СИСТЕМАХ: НОВИЙ ПІДХІД

О. Ю. Хецелiyс

38-43
- PDF (English)
НОВИЙ ЧИСЕЛЬНИЙ ПІДХІД ДО ВИЗНАЧЕННЯ РАДІАЦІЙНИХ ПЕРЕХОДІВ У СПЕКТРАХ ДЕКОТРИХ СКЛАДНИХ ІОНІВ

Т. О. Флорко

44-49
- PDF (English)

Біосенсори

КОНТРОЛЬ МІКОТОКСИНІВ ЗА ДОПОМОГОЮ ІМУННОГО БІОСЕНСОРА НА ОСНОВІ НАНОСТРУКТУРОВАНОГО КРЕМНІЮ

М. Ф. Стародуб, Н. Ф. Слышик, И. В. Пилипенко, M. M. Meльниченко, Л. Н. Пилипенко

68-72
- PDF (English)
ВПЛИВ ХАРАКТЕРИСТИК СИСТЕМИ ТОНКОПЛІВКОВИЙ ПЕРЕТВОРЮВАЧ – БУФЕРНИЙ РОЗЧИН НА КОНДУКТОМЕТРИЧНИЙ БІОСЕНСОР, СТВОРЕНИЙ НА ЇЇ ОСНОВІ

М. Й. Мацишин, В. M. Пєшкова, В. Г. Мельник, О. Л. Кукла, А. В. Мамикін, Л. М. Семеничева, С. В. Дзядевич, О. П. Солдаткін

73-83
- PDF

Проектування і математичне моделювання сенсорів

РОЗРАХУНОК ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ІОНОСЕЛЕКТИВНИХ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ: ТЕОРЕТИЧНІ ТА ПРАКТИЧНІ АСПЕКТИ

С. В. Лозовий, О. Л. Кукла, О. С. Павлюченко, Ю. В. Голтвянський, М. М. Прищепа

50-61
- PDF

Сенсори фізичних величин

ІНТЕРКАЛЬОВАНІ ШАРУВАТІ КРИСТАЛИ InSe, GaSe І Bi2 Te3 ТА ЧУТЛИВІ ЕЛЕМЕНТИ ПЕРЕТВОРЮВАЧІВ ТИСКУ НА ЇХ ОСНОВІ

З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк

62-67
- PDF

Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів

ДОСЛІДЖЕННЯ СТАБІЛЬНОСТІ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОСЕНСОРІВ ПІД ДІЄЮ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ОПРОМІНЕННЯ ТА МАГНІТНОГО ПОЛЯ

Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа

94-101
- PDF

Матеріали для сенсорів

ДАТЧИКИ ТИСКУ: ОБ’ЄМНІ НАПІВПРОВІДНИКИ, НИТКОПОДІБНІ КРИСТАЛИ, НАНОПРОВІДНИКИ

Л. І. Панасюк, В. М. Єрмаков, В. В. Коломоєць, А. В. Божко, Л. В. Ящинський

84-87
- PDF
ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ІОНІВ ВАНАДІЮ В КРИСТАЛАХ ZnS

Ю. А. Ніцук

88-93
- PDF (Русский)