ДОСЛІДЖЕННЯ СТАБІЛЬНОСТІ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОСЕНСОРІВ ПІД ДІЄЮ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ОПРОМІНЕННЯ ТА МАГНІТНОГО ПОЛЯ

Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа

Анотація


Наведені параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p-n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольт-амперних (ВАХ) та вольт-фарадних характеристик (ВФХ), показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В=0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але впливає на дифузійну компоненту прямого струму через p-n-перехід. Дія рентгенівських променів (D<325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик у вищезгаданих умовах.

Ключові слова


термосенсор; рентгенівське випромінювання; магнітне поле; p-n-перехід

Посилання


Yu. M. Shwarts, V. L. Borblik, N. R. Kulish, E. F. Venger, V.N.Sokolov. Limiting characteristics of diode temperature sensorsv // Sensors and Actuators. – 2000, №86. – С. 197–205.

В. Л. Винецкий, Г. А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников. – Киев. Наукова думка, – 1979. – С. 335.

Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов, М. Ашуров, Р. П. Сандов, С. В. Мартынченко. Об особенностях образования радиационных дефектов в кремниевых структурах // ЖТФ, – 1999. Т 69, №1. – С. 121-123.

Ю. Н. Головин. Магнитопластичность твердых тел. (Обзор) // ФТТ, – 2004. Т 46, В 5. – С. 769-803.

Р. Б. Моргунов. Спиновая микромеханика в физике пластичности // УФН, – 2004. Т 174, №2. – С. 131-153.

В. А. Макара, Л. П. Стебленко, Н. Я. Горидько, В. М. Кравченко, А. Н. Коломиец. О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния // ФТТ, – 2001. Т 43, В 3. – С. 462-468.

В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе. Действие излучений на полупроводники. – Москва. Наука, – 1988. – С. 190.

D. Cavalcoli, A. Cavallini, M. Rossi, S. Pizzini. Micro- and nano-structures in silicon studied by DLTS and scanning probe methods // FTP – 2007. V. 41, №4. – P. 435-440.

В. М. Василюк, А. М. Леновенко, Н. О. Ковальчук. Високоякісні сенсори на основі кремнієвого р-n-переходу // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2006, №3.– С. 26-29.

Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts, O. M. Ivashchenko, O. V. Kondrachuk, L. I. Shpinar. Simulation of low-temperature current flow and sensitivity in Si diode temperature sensors // Ukr. J. Phys. – 2004. V. 49, №10. – P. 1000-1005.

P. O’Neil and C. Derrington. Transistor – a hot tip for accurate temperature sensing // Electronics (October). – 1979. – P. 137-141.

С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. – Москва, «Мир». – 1984. – С. 456.

В. Г. Головко. Полупроводниковые емкости. – Новосибирск, изд. «Наука», – 1987. – С. 49.

Б.В. Павлык, А.С. Грыпа, Д.П. Слободзян, Р.М. Лыс, И.А. Шикоряк, Р.И. Дидык. Влияние магнитного поля на электрофизические свойства поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al // Физика и техника полупроводников. – 2011, Т. 45, В. 5. – С. 608-611.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109608

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2013 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)