ДОСЛІДЖЕННЯ СТАБІЛЬНОСТІ ПАРАМЕТРІВ ТРАНЗИСТОРНИХ ТЕРМОСЕНСОРІВ ПІД ДІЄЮ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ОПРОМІНЕННЯ ТА МАГНІТНОГО ПОЛЯ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2013.2.109608Ключові слова:
термосенсор, рентгенівське випромінювання, магнітне поле, p-n-перехідАнотація
Наведені параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х-променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p-n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольт-амперних (ВАХ) та вольт-фарадних характеристик (ВФХ), показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В=0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але впливає на дифузійну компоненту прямого струму через p-n-перехід. Дія рентгенівських променів (D<325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик у вищезгаданих умовах.Посилання
Yu. M. Shwarts, V. L. Borblik, N. R. Kulish, E. F. Venger, V.N.Sokolov. Limiting characteristics of diode temperature sensorsv // Sensors and Actuators. – 2000, №86. – С. 197–205.
В. Л. Винецкий, Г. А. Холодарь. Радиационная физика полупроводников. – Киев. Наукова думка, – 1979. – С. 335.
Ш. Махкамов, Н. А. Турсунов, М. Ашуров, Р. П. Сандов, С. В. Мартынченко. Об особенностях образования радиационных дефектов в кремниевых структурах // ЖТФ, – 1999. Т 69, №1. – С. 121-123.
Ю. Н. Головин. Магнитопластичность твердых тел. (Обзор) // ФТТ, – 2004. Т 46, В 5. – С. 769-803.
Р. Б. Моргунов. Спиновая микромеханика в физике пластичности // УФН, – 2004. Т 174, №2. – С. 131-153.
В. А. Макара, Л. П. Стебленко, Н. Я. Горидько, В. М. Кравченко, А. Н. Коломиец. О влиянии постоянного магнитного поля на электропластический эффект в кристаллах кремния // ФТТ, – 2001. Т 43, В 3. – С. 462-468.
В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе. Действие излучений на полупроводники. – Москва. Наука, – 1988. – С. 190.
D. Cavalcoli, A. Cavallini, M. Rossi, S. Pizzini. Micro- and nano-structures in silicon studied by DLTS and scanning probe methods // FTP – 2007. V. 41, №4. – P. 435-440.
В. М. Василюк, А. М. Леновенко, Н. О. Ковальчук. Високоякісні сенсори на основі кремнієвого р-n-переходу // Сенсорна електроніка та мікросистемні технології. – 2006, №3.– С. 26-29.
Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts, O. M. Ivashchenko, O. V. Kondrachuk, L. I. Shpinar. Simulation of low-temperature current flow and sensitivity in Si diode temperature sensors // Ukr. J. Phys. – 2004. V. 49, №10. – P. 1000-1005.
P. O’Neil and C. Derrington. Transistor – a hot tip for accurate temperature sensing // Electronics (October). – 1979. – P. 137-141.
С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. – Москва, «Мир». – 1984. – С. 456.
В. Г. Головко. Полупроводниковые емкости. – Новосибирск, изд. «Наука», – 1987. – С. 49.
Б.В. Павлык, А.С. Грыпа, Д.П. Слободзян, Р.М. Лыс, И.А. Шикоряк, Р.И. Дидык. Влияние магнитного поля на электрофизические свойства поверхностно-барьерных структур Bi-Si-Al // Физика и техника полупроводников. – 2011, Т. 45, В. 5. – С. 608-611.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2013 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
