ВОЛЬТ-ФАРАДНІ ВИМІРИ ТА СПЕКТРОСКОПІЯ ПРОВІДНОСТІ САМООРГАНІЗОВАНИХ ГЕРМАНІЄВИХ ОСТРІВЦІВ В КРЕМНІЄВИХ P-N З’ЄДНАННЯХ

Автор(и)

  • M. V. Shkil Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • V. V. Ilchenko Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • O. V. Tretyak Київський національний університет імені Тараса Шевченка
  • P. S. Chen Тайванський дослідницький інститут промислових технологій
  • Z. W. Pei Тайванський дослідницький інститут промислових технологій
  • M. J. Tsai Тайванський дослідницький інститут промислових технологій

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2004.2.111883

Ключові слова:

квантова точка, квантова яма, спектроскопія провідності, енергія активації

Анотація

За допомогою вольт-фарадних вимірів та спектроскопії провідності досліджувалися електричні властивості самоорганізованих германієвих квантових точок та квантових ям, що були вбудовані в кремнієві p-i-n діоди. Досліджувані зразки були вирощені на кремнієвій підкладинці з орієнтацією 001 за допомогою надвисоковакуумного хімічного парового осадження. Лінійний ріст термічної енергії активації (з 250 меВ до 380 меВ), який отримується після обробки даних спектроскопії провідності для зразку з квантовими точ- ками, показує, що ансамбль германієвих острівців має малу за величиною та в середньому неперервну густину станів. Для зразку без попередньої обробки бором ми знайшли два рівня з енергіями активації біля 132 меВ та 202 меВ, значення яких майже не змінювалися в деякому діапазоні зворотніх напруг.

Посилання

GRUNDMANN M. THE PRESENT STATUS OF QUANTUM DOT LASERS //PHYSICA E (AMSTERDAM). — 2000. — № 5. — P.167-184. 2.

IMAMURA K., SUGIYAMA Y., NAKATA Y., MUTO SH. AND YOKOHAMA N. NEW OPTICAL MEMORY STRUCTURE USING SELF-ASSEMBLED INAS QUANTUM DOTS //JPN. J. APPL. PHYS. — 1995. — PART 2, №34. — P.L1445- L1447.

YUSA G. AND SAKAKI H. TRAPPING OF PHOTOGENERATED CARRIERS BY INAS QUANTUM DOTS AND PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY IN NOVEL GAAS/NALGAAS FIELD-EFFECT TRANSISTOR STUCTURES //APPL. PHYS. LETT. — 1997. — №70, P.345-348.

FINLEY J. J., SKALITZ M., ARZBERGER M., ZRENNER A., BOHM G. AND ABSTREITER G. ELECTRICAL DETECTION OF OPTICALLY INDUCED CHARGE STORAGE IN SELF-ASSEMBLED INAS QUANTUM DOTS //APPL. PHYS. LETT. — 1998. — №73, P.2618-2620.

LEE S. W., HIRAKAWA K. AND SHIMADA Y. BOUND-TOCONTINUUM INTERSUBBAND PHOTOCONDUCTIVITY OF SELFASSEMBLED INAS QUANTUM DOTS IN MODULATIONDOPED HETEROSTRUCTURES //APPL. PHYS. LETT. -1999. — №75. — P.1428-1430.

CHU L., ZRENNER A., BOHM G. AND ABSTREITER G. LATERAL INTERSUBBAND PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY ON INAS/GAAS QUANTUM DOTS //APPL. PHYS. LETT. - 2000. — №76, P.1944-1946.

MIESNER C., ASPERGER T., BRUNNER K. AND ABSTREITER G. CAPACITANCE-VOLTAGE AND ADMITTANCE SPECTROSCOPY OF SELF-ASSEMBLED GE ISLANDS IN SI // APPL. PHYS. LETT. -2000. — №77, P.2704-2706.

CHANG W.H., CHEN W.Y., CHOU A.T., HSU T.M., CHEN P.S., PEI Z.W. AND LAI L.S. EFFECTS OF SPACER THICKNESS ON OPTICAL PROPERTIES OF STACKED GE/SI QUANTUM DOTS GROWN BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION //J. APPL. PHYS. -2003. — №93, P.4999-5002

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-11

Номер

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори