БІОСЕНСОРИ НА ОСНОВІ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ. ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА ТА ЗАСТОСУВАННЯ ДЛЯ МЕДИЧНОЇ ДІАГНОСТИКИ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2004.2.111960Ключові слова:
поруватий кремній, біосенсори, медична діагностикаАнотація
Обговорюються в підсумованому вигляді експериментальні результати, щодо дослідження структури та властивостей поруватого кремнію та відносно розробки на його основі оптичних імунних біосенсорів для медичної діагностики.Посилання
UHLIR JR.A. ELECTROLYTIC SHAPING OF GE AND SI // BELL SYST. TECH. J. — 1956. — N35. — P. 333-347.
CANHAM L. T. SILICON QUANTUM WIRE ARRAY FABRICATION BY ELECTROCHEMICAL AND CHEMICALDISSOLUTION OF WAFERS // APPL. PHYS. LETT. — 1990. — N57. — P. 1046-1048.
BSIESY A., VIAL J.C., GASPARD F. ET AL. PHOTOLUMINESCENCE OF HIGH POROSITY AND OF ELECTROCHEMICALLY OXIDIZED P-SI LAYERS // SURFACE SCI. — 1991. — N254. — P. 195-200.
KOSHIDA N., KOYAMA H. EFFICIENT VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE FROM P-SI // JAPANESE J. APPL. PHYS. — 1991. — N30. — P. L1221-L1223.
GARDELIS S., RIMMER J.S., DAWSON P. ET AL. EVIDENCE FOR QUANTUM CONFINEMENT IN THE PHOTOLUMINESCE OF P-SI AND SIGE // APPL. PHYS. LETT. — 1991. — N59. — P. 2128-2120.
LACKWOOD D.J. LIGHT EMISSION IN SILICON // SEMICOND. AND SEMIMETALS. — SAN DIEGO: ACADEMIC PRESS. — 1998. — V. 49. — P. 1-35.
СВЕЧНИКОВ С.В., САЧЕНКО А.В., СУКАЧ Г.А. И ДР. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ СЛОИ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ: ПО- ЛУЧЕНИЕ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ (ОБЗОР) // ОПТО- ЭЛЕКТРОНИКА И ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХ. — 1994. — N27. — C. 3-28.
FAUCHET P.M. POROUS SILICON: PHOTOLUMINESCENCE AND ELECTROLUMINESCENT DEVICES // SEMICOND. AND SEMIMETALS. — SAN DIEGO: ACADEMIC PRESS. — 1998. — V. 49. — P. 206-252.
CANHAM L.T. POROUS SEMICONDUCTORS: A TUTORIAL REVIEW // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. — 1997. — V.452. — P. 29-42.
GOUDEAU P., NAUDON A., VEZIN V. ET AL. CORRELATION BETWEEN THE POROUS SILICON MORPHOLOGY AND THE PHOTOLUMINESCENCE EFFICIENCY // PHYS. STAT. SOL. B. — 1995. — V.190, N63. — P. 63- 67.
MEHRA R.M., AGARWAL V., MATHUR P.C. DEVELOPMENT AND CHARACTERIZATION OF POROUS SILICON (A REVIEW) // IBID. N9. — 75-79.
KOYAMA H., TSYBESKOV L., FAUCHET P. M. STRONGLY NONLINEAR LUMINESCENCE IN OXIDIZED POROUS SILICON FILMS // J. LUMINESCENCE. — 1999. — N80. — P. 99- 102.
CULLIS A.G., CANHAM L.T., CALCOTT P.D.J. THE STRUCTURAL AND LUMINESCENCE PROPERTIES OF POROUS SILICON // APPL. PHYS. REV. — 1997. — V.82, N3. — P. 909-965.
JIANG J.C., WHITE R.C. VISIBLE LIGHT EMISSION FROM POROUS SILICON MADE WITHOUT USING ANY EXTERNAL ELECTRIC POWER SUPPLY // PROC. MAT. RES. SYMP., SESSION AA, PITSBURG, PA. — 1992. — P. 11.
SHIH A., JUNG K. H., HSIH T.Y. ET AL. PHOTOLUMINESCENCE AND STRUCTURE OF CHEMICALLY ETCHED POROUS SI AND LATERALLY ANODIZED POROUS SI // IBID. — P. 5.
ЛАБУНОВ В.А., БОНДАРЕНКО В.П., БОРИСЕНКО В.Е. ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕК- ТРОТЕХНИКЕ // ЗАРУБЕЖН. ЭЛЕКТРОН. ТЕХ. — М. : ЦНИИ “ЭЛЕКТРОНИКА”. — 1978. — 48 С.
DUBIN V.M. FORMATION MECHANISM OF POROUS SILICON LAYERS OBTAINED BY ANODIZATION OF MONOCRYSTALLINE N-TYPE SILICON IN HF SOLUTIONS // SURF. SCI. — 1992. — V.274, N1. — P. 82-92.
LEHMANN V., GOSELE U. POROUS SILICON FORMATION: A QUANTUM WIRE EFFECT // APPL. PHYS. LETT. — 1991. — V.58, N10. — P. 856-859.
LEHMANN V., GOSELE U. POROUS SILICON. QUANTUM SPONGE STRUCTURES GROWN VIA A SELF-ADJUSTING ETCHING PROCESS // ADV. MATER. — 1992. — V.4, N2. — P. 114-116.
CHAZALVIEL J. — N., OZANAM F. SURFACE CHEMISTRY OF POROUS SILICON // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. “MICROCRYSTALLINE AND NANOCRYSTALLINE SEMICOND. NOV. 30 — DEC. 3, 1998. BOSTON, МASSACHUSETTS, USA”. — 1998. — V. 536. — P. 155-166.
SHOW Y., RATH S., NOZAKI S., MORISAKI H. IMPROVED PL IN POROUS SILICON DUE TO THE COMPENSATION OF THE DEFECT CENTER BY ANODIC OXIDATION // IBID. — P. F5.2
TISCHLER M.A., COLLINS R.T., STATHIS J.H., TSANG J.C. LUMINESCENCE DEGRADATION IN POROUS SILICON // APPL. PHYS. LETT. — 1992. — V.60, N5. — P. 639- 641.
DACENKO O.I., MAKARA V.A., NAUMENKO S.M., ET AL. EVOLUTION OF THE POROUS SILICON SAMPLE PROPERTIES IN THE ATMOSPHERIC AMBIENT // J. LUMINESCENCE. — 1999. — N81. — P. 263-270.
NAKAJIMA A., IKATURA S., WATANABE S., NAKAYAMA N. // APPL. PHYS. LETT. — 1992. — V. 61, N46. — P. 46.
LINSMEIER J., WUEST K., SCHENK H. ET AL. CHEMICAL SURFACE MODIFICATION OF POROUS SILICON USING TETRAETHOXYSILANE // THIN SOLID FILMS. — 1997. — V297, N1-2. — P. 26-30.
PETROVA-KOCH V., MUSCHIK T., KUX A. ET AL. // APPL. PHYS. LETT. — 1992. — N61. — P. 943
DAAMI A., BREMOND G., STALMANS L., POORTMANS J. EFFICIENT LUMINESCENCE FROM POROUS SILICON // J. LUMINESCENCE. — 1999. — N80. — P. 169-172.
MARONCHUK I.E., NAIDENKOV M.N., NAIDENKOVA M.V. ET AL. INFLUENCE OF PHYSICAL AND CHEMICAL SURFACE TREATMENT ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SILICON // TECH. PHYS. — 1999. — V. 44, N1. — P. 122-123.
LI X.J., ZHU D.L. CHEN Q.W., ZHANG Y.H. STRONGAND NONDEGRADING-LUMINESCENT POROUS SILICON PREPARED BY HYDROTHERMAL ETCHING // APPL. PHYS. LETT. — 1999. — V. 74, N3. — P. 389-391.
ZHANG Y.H., LI X.J., ZHENG L., CHEN Q.W. NONDEGRADING PHOTOLUMINESCENCE IN POROUS SILICON // PHYS. REV. LETT. — 1998. — V. 81, N8. - 1710-1713.
KIM N.Y., LAIBINIS P.E. THERMAL DERIVATIZATION OF POROUS SILICON WITH ALCOHOLS // J. AMERIC. CHEM. SOC. — 1997. — V.119, N9. — P. 2297-2298.
KIM N.Y., LAIBINIS P.E. FUNCTIONALIZATION OF POROUS SILICON SURFACES BY SOLUTION-PHASE REACTIONSWITH ALCOHOLS AND GRINARD REAGENTS // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. “MICROCRYSTALLINE AND NANOCRYSTALLINE SEMICOND. NOV. 30 — DEC. 3, 1998. BOSTON, МASSACHUSETTS, USA, 1998”. — 1998. — V. 536. — P. 167-169.
BURIAK J., ALLEN M.J. PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SILICON SURFACES STABILIZED THROUGH LEWIS ACID MEDIATED HYDROSILATION // J. LUMINESCENCE. — 1999. — N80. — P. 29-35.
SONG J.H., SAILOR M. QUENCHING OF PHOTOLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON BY AROMATIC MOLECULES // J. AMERIC. CHEM. SOC. — 1997. -N119. — P. 7381-7385.
FELLAH S., WEHRSPOHN R.B., GABOUZE N. ET AL. PHOTOLUMINESCENCE QUENCHING OF POROUS SILICON IN ORGANIC SOLVENTS: EVIDENCE FOR DIELECTRIC EFFECTS // J. LUMINESCENCE. — 1999. — N80. — P. 109-113.
JIN W.J., SHEN G.L., YU R.Q. ORGANIC SOLVENT INDUCED QUENCHING OF POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE // SPECTROCHIMICA ACTA PART A. — 1998. — N54. — P. 1407-1414
WAKEFIELD G. DOBSON P.J., HUTCHISON J.L., FOO Y.Y. CHARGE INJECTION INTO POROUS SILICON ELECTROLUMINESCENT DEVICES // MAT. SCI. AND ENGINEER. B. — N51. — P. 141-145.
SONI R.K., FONSECA L.F., RESTO O. ET AL. ELECTROPOLYMERIZATION IN POROUS SILICON FILMS // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. “MICROCRYSTALLINE AND NANOCRYSTALLINE SEMICOND. NOV. 30 — DEC. 3, 1998. BOSTON, МASSACHUSETTS, USA, 1998”. — 1998. — V. 536. — P. 197-201.
LEE E.J., BITNER T.W., HA J.S., SHANE M.J., SAILOR M.J. LIGHT-INDUCED REACTIONS OF POROUS AND SINGLE-CRYSTAL SI SURFACES WITH CARBOXYLIC ACIDS // J. AMERIC. CHEM. SOC. — 1996. — V.118, N23. — P.5375-5382.
CANHAM L.T. BIOMEDICAL APPLICATIONS OF POROUS SILICON // PROPERTIES OF POROUS SILICON. EMIS DATA REVIEWS SERIES. — 1997. — N18. — P. 371-376.
CANHAM L. , REEVES C.L., WALLIS D.J. ET AL. SILICON AS AN ACTIVE BIOMATERIAL // MAT. RES. SOC. SYMP. PROC. — 1997. — V. 452. — P. 579-589.
KOSHIDA N., KOYAMA M. VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON // APPL. PHYS. LETT. — 1992. — V. 60, N3. — P. 347-349.
RICHTER A., STEINER P., KOZLOWSKI F., LANG W. CURRENT-INDUCED LIGHT EMISSION FROM A POROUS SILICON DEVICE // IEEE ELECTR. DEV. LETT. — 1991. — V. 12, N3. — P. 691-692.
NAMAVAR F., MARUSKA H.P., KALKHORAN N.M. VISIBLE ELECTROLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON NP HETEROJUNCTION DIODES // APPL. PHYS. LETT. — 1992. — V. 60, N20. — P. 2514-2516.
VIKULOV V., VERBA A., KIRICHENCO Y. SILICON SOLAR CELLS WITH POROUS SILICON LAYERS // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. “THIN-FILM STRUCTURES FOR PHOTOVOLTAICS” DEC. 2 — 5. — 1997. — V. 485. — P.G2.2
MATTEI G., MARUCCI A., YAKOVLEV V.A. SPLITTING OF POROUS SILICON MICROCAVITY MODE DUE TO THE INTERACTION WITH SI — H VIBRATIONS // MAT. SCI. AND ENGINEER. B. — 1998. — N51. — P. 158-161.
LAURELL T., DROTT J., ROSENGREN L., LINDSTROM K. ENHANCED ENZYME ACTIVITY IN SILICON INTEGRATED ENZYME REACTORS UTILIZING POROUS SILICON AS THE COUPLING MATRIX // SENSORS AND ACTUATORS B. — 1996. — N31. — P. 161-168.
BEN ALI M., MLIKA R., BEN OUADA H. ET AL. POROUS SILICON AS SUBSTRATE FOR ION SENSORS // IBID. A. — 1999. — N74. — P. 123-125.
ARRAND H.F., BENSON T.M., LONI A. ET AL. SOLVENT DETECTION USING POROUS SILICON OPTICAL WAVEGUIDES // J. LUMINESCENCE. — 1999. — N80. — P. 119-123.
LYSENKO V., ROUSSEL PH., DELHOMME G. ET AL. OXIDIZED POROUS SILICON: A NEW APPROACH IN SUPPORT THERMAL ISOLATION OF THERMOPILE-BASED BIOSENSORS // SENSORS AND ACTUATORS A. — 1998. — N67. — P. 205-210.
SORLI B., GARCIA M., BENHIDA A. ET AL. POROUS SILICON LAYER USED AS A HUMIDITY SENSOR // PROC. EUROP. MAT. CONF. E-MRS 1999 SPRING MEETING. — 1999. — SYMP. I: MICROCRYSTALLINE AND NANOCRYSTALLINE SEMICOND. — P. I-8.
RITTERSMA Z.M., BENECKE W. A NOVEL CAPACITIVE POROUS SILICON HUMIDITY SENSOR WITH INTEGRATED THERMO- AND REFRESH RESISTORS GAS SENSORS // PROC. 13TH EUROP. CONF. SOLID-STATE TRANSDUCERS “EUROSENSORS XIII”, SEPT. 12-15, 1999, THE HAGUE, THE NETHERLANDS. 1999. — P. 371-374.
KIM S. — J., JEON B. — H., CHOI K-S. IMPROVEMENT OF THE SENSITIVITY BY UV LIGHT IN ALCOHOL SENSORS USING POROUS SILICON LAYER // CAS’99 PROC. 1999 INT. SEMICOND. CONF. — V. 2. — SINAIA (ROMANIA). — 1999. — P. 475-478.
THUST M., SCHOENING M.J., FROHNHOFF S., ARENSFISCHER R., KORDOS P., LUTH H. POROUS SILICON AS A SUBSTRATE MATERIAL FOR POTENTIOMETRIC BIOSENSORS // MEAS. SCI. TECHNOL. — 1996. — N7. — P.26-29.
BOGUE R.W. NOVEL POROUS SILICON BIOSENSOR // BIOSENSENSORS AND BIOELECTRONICS — 1997. — V. 12, N1. — P. XXVII-XXIX.
SCHOENING M.J., RONKEL F., CROTT M. ET AL. MINIATURIZATION OF POTENTIOMETRIC SENSORS USING POROUS SILICON MICROTECHNOLOGY // ELECTROCHIM. ACTA. — 1997. — V. 42, N20-22. — P. 3185-3193.
LIN V.S. — Y., MOTESHAREI K., DANCIL K-P. S. ET AL. A POROUS SILICON-BASED OPTICAL INTERFEROMETRIC BIOSENSOR // SCIENCE. — 1997. — V.278, N31. — P. 840-842.
DANCIL K. — P.S., DOUGLAS P.G., GURTNER C., SAILOR M.J. DEVELOPMENT OF A POROUS SILICON BASED BIOSENSOR // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. “MICROCRYSTALLINE AND NANOCRISTALLINE SEMICOND. NOV. 30 — DEC. 3, 1998. BOSTON, МASSACHUSETTS, USA”- 1998. — V. 536. — P. F3.3
DANCIL K. — P.S., GREINER D.P., SAILOR M.J. A POROUS SILICON OPTICAL BIOSENSOR: DETECTION OF REVERSIBLE BINDING OF IGG TO A PROTEIN A-MODIFIED SURFACE // J. AMERIC. CHEM. SOC. — 1999. — N121. — P. 7925-7930.
VAN NOORT D., WELIN-KLINTSTROEM S., ARWIN H. ET AL. MONITORING SPECIFIC INTERACTION OF LOW MOLECULAR WEIGHT BIOMOLECULES ON OXIDIZED POROUS SILICON USING ELLIPSOMETRY // BIOSENSENSORS AND BIOELECTRONICS — 1998. — V. 13, N3-4. — P. 439- 449.
ZANGOOIE S., BJORKLUND R., ARWIN H. VAPOR SENSITIVITY OF THIN POROUS SILICON LAYERS // SENSORS. AND ACTUATORS B. — 1997. — N43. — P. 168-174.
KELLY M.T., BOCARSLY A.B. MECHANISMS OF PHOTOLUMINESCENT QUENCHING OF OXIDIZED POROUS SILICON. APPLICATIONS TO CHEMICAL SENSING // COORDINATION CHEM. REV. — 1998. — N171. — P. 251-259.
FOUCARAN A., PASCAL-DELANNOY F., GIANI A. ET AL. POROUS SILICON LAYERS USED FOR GAS SENSOR APPLICATIONS // THE SOLID FILMS. — 1997. — N297. — P. 317-320.
STARODUB N.F., FEDORENKO L.L., STARODUB V.M., DIKIJ S.P. AND SVETCHNIKOV S.V. USE OF THE SILICON CRYSTALS PHOTOLUMINESCENCE TO CONTROL IMMUNOCOMPLEX FORMATION // SENSORS AND ACTUATORS B. — 1996. V. 35-36. — P. 44-47.
STARODUB N.F., FEDORENKO L.L., STARODUB V.M., DIKIY S. P., SVECHNIKOV S.V. EXTINGUISHING VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SILICON STIMULATED BY ANTIGEN-ANTIBODY IMMUNOCOMPLEX FORMATION // IN: PROC. SPIE OPTICAL ORGANIC AND SEMICONDUCTOR INORGANIC MATERIALS. — 1997. V. 2968. — P. 73-76.
СТАРОДУБ В.М. РОЗРОБКА ІМУННИХ СЕНСОРІВ НА ОСНОВІ ПОРУВАТОГО КРЕМНІЮ ТА ДОСЛІДЖЕННЯ ЇХ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ХАРАКТЕРИСТИК // АВТОРЕФЕРАТ ДИС. КАНД. БІОЛ. НАУК, КИЇВ, 2000.
STARODUB M., STARODUB V., FEDORENKO L. AND DIKIY S. IMMUNOSENSOR BASED ON POROUS SILICIUM PHOTOLUMINESCENCE FOR DETECTION OF SPECIFIC ANTIBODIES LEVEL // IN: PROC. OF THE FIRST NATIONAL SCIENTIFIC-APPLIED CONFERENCE ON THE PROBLEM OF AIDS WITH INTERNATIONAL PARTICIPATION, KIEV, 24- 25.01.1995. KIEV: PRAVO, 1995. — P. 73-74.
STARODUB N.F., STARODUB V.M., FEDORENKO L.L. AND DIKIY S.P. USAGE OF THE SILICIUM CRYSTAL PHOTOLUMINESCENCE TO REGISTRATE IMMUNOCOMPLEX FORMATION // IN: PROC. OF THE SIXTH INTERNATIONAL MEETING ON CHEMICAL SENSORS, JULY 22-25, 1996, NIST, GAITHERSBURG, 1996. –P. 248.
STARODUB V. M., FEDORENKO, L.L., DIKIY, S.P. AND STARODUB, N.F. ANTIGEN-ANTIBODY INTERACTION: NEW ASPECTS OF THE SIGNAL GENERATION AT THE SPECIFIC COMPLEX FORMATION // IN: PROC. OF THE 17-TH INTERNATIONAL CONGRESS OF BIOCHEMISTRY AND MOLECULAR BIOLOGY IN CONJUNCTION WITH 1997 ANNUAL MEETING OF THE AMERICAN SOCIETY FOR BIOCHEMISTRY AND MOLECULAR BIOLOGY, AUGUST 24- 29, 1997, SAN FRANCISCO,USA, 1997. — P. 1787.
CANHAM L.T. LUMINESCENCE BAND AND THEIR PROPOSE ORIGINS IN HIGHLY POROUS SILICON // PHYS. STAT. SOL. B. — 1995. — V.190, N9. — P. 9-14.
FUKUDA YO., FURUYA K., ISHIKAWA N., SAITO T. AGING BEHAVIOR OF PHOTOLUMINESCENCE IN POROUS SILICON //J. APPL. PHYS. — 1997. — V. 82, N11. — P. 5718-5721.
FEDORENKO L.L., SARDARLY A.D., KAGANOVICH E.B., ET AL. RELAXATION SPECTRA OF PHOTOLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON OBTAINED BY CHEMICAL ETCHING OF LASER-MODIFIED SILICON // SEMICOND. — 1997. — V.31, N1. — P. 4-7.
СВЄЧНИКОВ С.В., ФЕДОРЕНКО Л.Л., КАГАНОВИЧ Е.Б. ТА ІН. ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЯ ПОРУВАТОГО КРЕ- МНІЮ, ОДЕРЖАНОГО ПРИ ЗАСТОСУВАННІ ЛАЗЕРНОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ // УКР. ФІЗ. Ж. — 1994. — Т.39, N6. — С. 704-705.
TORCHINSKAYA T.V., KORSUNSKAYA N.E., KHOMENKOVA L.YU. ET AL. TWO WAYS OF POROUS SI PHOTOLUMINESCENCE EXCITATION // MAT. SCI. AND ENGINEER. B. — 1998. — N51. — P. 162-165.
CALCOTT P.D.J. THE MECHANISM OF LIGHT EMISSION FROM POROUS SILICON: WHERE ARE WE 7 YEARS ON? // MAT. SCI. AND ENGINEER. B. — 1998. — N51. -P. 132- 140.
CHI N., PHILLIPS D.L., CHAN K. — YU. IN SITU PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION OF POROUS SILICON FORMATION // THIN SOLID FILMS. — 1999. — N342. — P. 142-147.
BELOGOROKHOV A.I., ENDELEIN R., TABATA A. ET AL. ENHANCED PHOTOLUMINESCENCE FROM POROUS SILICON FORMED BY NONSTANDARD PREPARATION // PHYS. REV. B. — 1997. — V. 56, N16. — P. 10276-10282.
TOYAMA T., KOTANI Y., SHIMODE A., OKAMOTO H. DIRECT TRANSITION AT THE FUNDAMENTAL GAP IN LIGHTEMITTING NANOCRYSTALLINE SI THIN FILM // APPL. PHYS. LETT. — 1999. — V. 74, N22. — P. 3323-3325.
CHANG I.M. STUDY ON PHOTOLUMINESCENCE PROPERTY OF POROUS SILICON // AMERIC. PHYS. SOC., MARCH 1997 MEETING PROGRAM, 17-21 MARCH 1997, KANSAS CITY. — 1997. — P. H41.45.
WITHROW S.P., WHITE C.W., BUDAI J.D., MELDRUM A.L. EFFECT OF HYDROGEN ON PHOTOLUMINESCENCE FROM SI NANOCRYSTALS IN SIO2 // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. “MICROCRYSTALLINE AND NANOCRISTALLINE SEMICOND. NOV. 30 — DEC. 3, 1998. BOSTON, МASSACHUSETTS, USA”. — 1998. — V. 536. — P. F3.9
KOVALEV D., HECKLER H., AVERBOUKH B., BENCHORIN M., SCHWARTZKOPFF M., KOCH F. THE ORIGIN OF LIGHT EMISSION POROUS SILICON // IBID. “SYMP. H”. — 1998. — V. 486. — P. H12.1
FAN J.C., CHEN C.H., CHEN Y.F. OBSERVATION OF PERSISTENT PHOTOLUMINESCENCE IN POROUS SILICON: EVIDENCE OF SURFACE EMISSION // APPL. PHYS. LETT. — 1998. — V. 72, N13. — P. 1605-1607.
NIRMAL M., BRUS L. LUMINESCENCE PHOTOPHYSICS IN SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS // ACC. CHEM. RES. — 1999. — N32. — P. 407-414.
KELLY J.J., KOOIJ E.S., VANMAEKELBERGH D. GENERATION AND QUENCHING OF LUMINESCENCE IN NTYPE POROUS SILICON/SOLUTION DIODES: ROLE OF ADSORBED HYDROGEN // LANGMUIR. — 1999. — N15. — 3666-3671.
BRANDT M.S., FUCHS H.D., STUTZMANN M. ET AL. THE ORIGIN OF VISIBLE LUMINESCENCE FROM “POROUS SILICON”: A NEW INTERPRETATION // SOLID STATE COMMUNICATIONS. — 1992. -V. 81, N4. — P. 307- 312.
GOLE J.L., DUDEL F.P., GRANTIER D., DIXON D. ORIGIN OF POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE: EVIDENCE FOR A SURFACE BOUND OXYHYDRIDE-LIKE EMITTER // PHYS. REV. B. — 1997. — V. 56, N4. — P. 2151-2153.
SENDOVA-VASSILEVA M., DIMOVA-MALINOVSKA D., KAMENOVA M. ET AL. DEPTH DEPENDENCE OF PHOTOLUMINESCENCE AND CHEMICAL BONDING IN POROUS SILICON // J. LUMINESCENCE. — 1999. — N80. — P. 179-182.
TORCHINSKAYA T.V., KORSUNSKAYA N.E., KHOMENKOVA L.YU., DZHUMAEV B.R. ADSORPTION ASSISTED EXCITATION OF POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. “MICROCRYSTALLINE AND NANOCRISTALINE SEMICONDUCTORS. NOV. 30 — DEC. 3, 1998. BOSTON, МASSACHUSETTS, USA.” — 1998. — V. 536. — P. F5.11
TORCHINSKAYA T.V., KORSUNSKAYA N.E., KHOMENKOVA L.YU., DZHUMAEV B.R. ROLE OF OXIDATION PROCESS ON POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE AND ITS EXCITATION // IBID. — P. F5.41
.OBRAZTSOV A.N., TIMOSHENKO V.YU., OKUSHI H., WATANABE H. COMPARATIVE STUDY OF THE OPTICAL PROPERTIES OF POROUS SILICON AND THE OXIDES SIO AND SIO2 // SEMICOND. — 1999. — V. 33, N3. — P. 323- 326.
BANGERT U., GARDELIS S., HAMILTON B., PETTIFER R. CORE SHELL SPECTROSCOPY OF RAPIDLY OXIDISED POROUS SILICON // PHYS. STAT. SOL. B. — 1995. — V.190, N69. — P. 75-76.
SONG H.Z., QIN G.G., YAO D.C. ET AL. MICROSECOND PHOTOLUMINESCENCE DECAY AND OXIDATION OF POROUS SILICON // SOLID STATE COMMUNICATIONS. — 1997. — V. 102, N11. — P. 813-816.
SHEINKMAN M., TORCHINSKAYA T.V., KORSUNSKAYA N.E., DZHUMAEV B., KHOMENKOVA L. COMPLEX STUDIES OF EXCITATION MECHANISMS OF POROUS SILICON PHOTOLUMINESCENCE // PROC. MAT. RES. SOC. SYMP. “SYMPOSIUM H.” — 1997. — V. 486. — P. H12.7
STARODUB V. M., FEDORENKO L. L., SISETSKIY A. P. AND STARODUB N. F. CONTROL OF MYOGLOBIN LEVEL IN A SOLUTION BY AN IMMUNE SENSOR BASED ON THE PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SILICON // SENSORS AND ACTUATORS B. — 1999. — V. 58 (1-3). — P. 409-414.
СТАРОДУБ В. М., ФЕДОРЕНКО Л. Л., СІСЕЦЬКИЙ А. П., КУРСЬКИЙ М. Д. ІМУННИЙ СЕНСОР ДЛЯ ВИЗНА- ЧЕННЯ РІВНЯ МІОГЛОБІНУ // УКР. БІОХІМ. Ж. — 1999. — V. 71 (3). — P. 68-72.
STARODUB N., STARODUB V., POROUS SILICON: SOME THEORETICAL ASPECTS AND PRACTICAL APPLICATION AS TRANSDUCER FOR IMMUNE SENSOR // EXTENDED ABSTRACTS OF THE 3D INTERNATIONAL CONFERENCE. POROUS SEMICONDUCTORS SCIENCE AND TECHNOLOGY. PUERTO DE LA CRUZ, TENERIFE, SPAIN 10-15.03/2002. — 2002. — P.155-157.
СТАРОДУБ М.Ф., ФЕДОРЕНКО Л.Л., СТРІЛЬЧЕНКО І.Ю., СТАРОДУБ В.М., СВЄЧНІКОВ С.В. СПОСІБ ФО- ТОЛЮМІНЕСЦЕНТНОГО ІМУНОАНАЛІЗУ // 44341, УКРА- ЇНА, БЮЛ. №2, 15.02.2002.
СТАРОДУБ Н.Ф., КОРОБОВ В.Н., НАЗАРЕНКО В.И. МИОГЛОБИН: СТРУКТУРА, СВОЙСТВА, СИНТЕЗ, БИО- ЛОГИЧЕСКАЯ РОЛЬ. — К.: НАУК. ДУМКА, 1992. — 284 С.
WOO J., LACBAWAN F. L, SUNHEIMER R. ET AL. IS MYOGLOBIN USEFUL IN THE DIAGNOSIS OF ACUTE MYOCARDIAL INFARCTION IN THE EMERGENCY DEPARTMENT SETTING? // AMERIC. J. CLIN. PATHOL. — 1995. — N103. — P. 725-729.
ELLIS A.K., LITTLE T., MASUD Z. ET AL. PATTERNS OF MYOGLOBIN RELEASE AFTER REPERFUSION OF INJURED MYOCARDIUM // CIRCULATION. — 1985. — V. 72, N3. — P. 639-647.
. БАРОН И.И., БОНДАРЬ В.С., ВЫСОЦКИЙ Е.С. И ДР. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ГЕМОГЛОБИНА И МИОГЛОБИНА В МОЧЕ ХЕМИЛЮМИНЕСЦЕНТНЫМ МЕТОДОМ // ИН-Т ФИ- ЗИОЛОГИИ СО АН СССР. ПРЕПР. — 1986. -N416. — C. 12.
РОТТ Г.М., ЛАПШИНА Г.М, РАЖИНСКАЯ И.В. И ДР. РАЗРАБОТКА И СОПОСТАЛЕНИЕ ИНФОРМАЦИОН- НОЙ ЗНАЧИМОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МИОГЛОБИНА В ДИА- ГНОСТИКЕ ИНФАРКТА МИОКАРДА. ТЕЗИСЫ СООБЩ. ВСЕСОЮЗН. КОНФЕРЕНЦ. ПО ПРИМЕНЕН. ФЕРМЕНТОВ В БИОХИМИЧ. АНАЛИЗАХ. ПАЛАНГА. 22-25 МАЯ 1984 Г. ВИЛЬНЮС, 1984. — С. 18.
ЧЕРНЯЕВ А.Л. МИОГЛОБИН МИОКАРДА И СКЕЛЕТ- НОЙ МУСКУЛАТУРЫ // АРХИВ ПАТОЛОГ. — 1988. — Т. 50, ВЫП. 1. — С. 82-87.
SILVA D.P., LANDT JR.YV., PORTER S.E. ET AL. DEVELOPMENT AND APPLICATION OF MONOCLONAL ANTIBODIES TO HUMAN CARDIAC MYOGLOBIN IN A RAPID FLUORESECENCE IMMUNOASSAY // CLIN. CHEM. — 1991. — V. 37, N8. — P. 1356-1364.
ISHII J., NOMURA M., ANDO T. ET AL. EARLY DETECTION OF SUCCESSFUL CORONARY REPERFUSION BASED ON SERUM MYOGLOBIN CONCENTRATION: COMPARISONWITH SERUM CREATINE KINASE ISOENZYME MB ACTIVITY // AMERIC. HEALTH J. — 1994. — V. 128, N4. — P. 641-648.
STARODUB V.M., DIBROVA T.L., KOSTJUKEVICH K., SHIRSHOV Y.M., STARODUB N.F. OPTICAL SENSORS FOR MEDICAL DIAGNOSTICS AND ENVIRONMENTAL MONITORING // LECTURE NOTES ICB SEMINARS “MEASUR. AND MICROTECH. FOR DETERMIN. (BIO)CHEM. QUANT. IN MED. AND ENVIRON. MONITOR”, WARSAW, POLAND, MARCH 1998. — 1998. — Р. 192-205.
STARODUB V. M. AND STARODUB N. F. OPTICAL IMMUNE SENSORS FOR THE MONITORING PROTEIN SUBSTANCES IN THE AIR // IN: PROC. OF THE 13TH EUROPEAN CONFERENCE ON SOLID-STATE TRANSDUCERS, SEPTEMBER 12-15, 1999, THE HAGUE, THE NETHERLANDS. — 1999. — P. 181-184.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2004 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
