СТРУКТУРНІ ЗМІНИ В КРИСТАЛАХ GaAs, ДЕФОРМОВАНИХ СТИСКАННЯМ ПРИ 300 К
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2004.2.111963Ключові слова:
GaAs, механічне стискання, деформація, релаксація, дислокаціїАнотація
Досліджувалися структурні зміни навколо відбитка індентора на монокристалах GaAs. Використовувалися зразки у формі прямокутних паралелепіпедів розмірами 2,4×3,1×3,2 мм3 , що відповідають кристалографічним напрямкам [ 011 ] , [ 011 ] і [100 ] . Відбитки наносилися на бічні поверхні (011) і (011) при навантаженнях на індентор 0,20 Н. Потім зразок піддавався стискові уздовж [100 ] (більшого виміру) до напруження σ = 83 МПа і витримувався під навантаженням 120 годин при Т = 300 К. Після зняття тиску хімічним вибірковим травленням виявлено два типи дислокацій поблизу відбитка індентора: призматичні петлі, що вийшли з області концентрації напруження шляхом переповзання, і дислокації, що ковзають по площинах {111}. Виявлено розбіг дислокацій по площинах спайності в результаті сколу кристала.Посилання
ALYOKHIN V., PHYSICS OF STRENGTH AND PLASTICITY OF SURFACE LAYERS OF STUFFS (IN RUSSIAN). — MOSCOW: NAUKA, 1983, — 280 P.
NADTOCHIY V., NECHVOLOD N., SUSHCHENKO D., INVESTIGATION OF ELECTRICAL PROPERTIES OF GE AND SI DEFORMED AT LOW TEMPERATURES // FIZIKA I TEKHNIKA VYSOKIKH DAVLENIY. — 2001. V.11, NO.1, P.104-109.
NADTOCHY V., ZHIKHAREV I., GOLODENKO N, NECHVOLOD N., STRUCTURE CHANGES BY THE STRESS GRADIENT IN SUBSURFACE LAYERS OF GERMANIUM SINGLE CRYSTALS // PHYS. STAT. PHENOMENA. — 2003. — V.94. — Р.253-256.
NADTOCHY V., NECHVOLOD N., GOLODENKO N., MICROPLASTICITY AND ELECTRICAL PROPERTIES OF SUBSURFACE LAYERS OF DIAMONDLIKE SEMICONDUCTORS DEFORMED AT LOW TEMPERATURES // FUNCTIONAL MATERIALS. — 2003. — V.10, NO.4, — Р.702-706.
NADTOCHIY V., KALIMBET A., ALYOKHIN V., BELOSHAPKA A., INFLUENCING OF LOW-TEMPERATURE MICROPLASTIC DEFORMATION ON ELECTRICAL PROPERTIES OF SILICON P-N–JUNCTIONS // FIZIKA I KHIMIYA OBRABOTKI MATERIALOV. — 1985. — NO.1. — P.115-120.
LEFEBVRE A., VANDERSCHAEVE G., MECHANICAL TWINNING IN GALLIUM ARSENIDE // J. MICROSC. SPECTROSCOP. ELECTRON. — 1989. — V.14. — P.325-334.
FRANCOIS P., LEFEBVRE A., VANDERSCHAEVE G., LOW TEMPERATURE PLASTICITY OF BRITTLE MATERIALS // PHYS. STATUS. SOL. (A). — 1988. — V.109. — P.187-192.
ANDROUSSI Y., VANDERSCHAEVE G., LEFEBVRE A., SLIP AND TWINNING IN HIGH-STRESS-DEFORMED GAAS AND THE INFLUENCE OF DOPING // PHIL. MAG. A. 1989. — V.59, NO.6, — Р. 1189-1204.
BOIVIN P., RABIER J, GAREM H., PLASTIC DEFORMATION OF GAAS SINGLE CRYSTALS AS A FUNCTION OF ELECTRICAL DOPING. II. LOW TEMPERATURES (20-300° C) // PHIL. MAG. A. — 1990. — V.61, NO.4. — P.647-672.
RABIER J., THE PLASTICITY OF GAAS AT MEDIUM AND LOW TEMPERATURES // STRUCT. AND PROP. DISLOCAT. SEMICOND. PROC. 6TH INT. SYMP. — OXFORD. — 1989. — 5-8 APR. — Р.372-338.
BOYARSKAYA YU., GRABKO D., MEDINSKAYA M., POLISTRANT N., DETECTED AT LOCAL LOADING MECHANICAL PROPERTIES OF CLEAN AND DOPED INP CHIPS // FIZIKA I TEKHNIKA POLUPROVODNIKOV. –1997. — V.31, NO.2. — P.179-182.
ALYOKHIN V., NADTOCHIY V., NECHVOLOD N., SHORSHOROV M., FEATURE OF PLASTIC DEFORMATION OF GERMANIUM IN CONDITIONS OF UNIAXIAL PRESSING AT ROOM TEMPERATURE // METAL SINGLE CRYSTALS. THE BAYKOV METALLURGY INSTITUTE (IN RUSSIAN). — MOSCOW: NAUKA. — 1976, — P.186-190.
GOTRA Z., TECHNOLOGY OF MICROELECTRONIC DEVICES (IN RUSSIAN). — MOSCOW: RADIO I SVYAZ’, 1991, — 528 P.
ROZENBERG V., FUNDAMENTALS OF HIGH-TEMPERATURE STRENGTH OF METAL STUFFS (IN RUSSIAN). — MOSCOW: METALLURGIYA, 1973, — 328 P.
GOLOVIN YU., TYURIN A., NOT-DISLOCATION PLASTICITY AND ITS ROLE IN MASS TRANSFER AND FORMATION OF AN IMPRESS AT DYNAMIC INDENTING // FIZIKA TVYORDOGO TELA. — 2000. — V.42, NO.10. — P.1818-1820.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2004 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
