ДИНАМІКА ВЗАЄМОДІЇ НОСІЇВ ЗАРЯДУ З ЦЕНТРАМИ ПРИЛИПАННЯ ПРИ ФОТОДЕФОРМАЦІЙНОМУ ЗБУДЖЕННІ НАПІВПРОВІДНИКА

Автор(и)

  • B. M. Pavlyshenko Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна
  • R. Ya. Shuvar Львівський національний університет імені Івана Франка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.1.111976

Ключові слова:

п’єзофоторезистивний ефект, центри прилипання, сенсори тиску.

Анотація

Досліджується динаміка нерівноважних носіїв заряду при наявності центрів прилипання в умовах спільної дії на напівпровідник стацінарного фотозбудження та змінної деформації.

Посилання

СТАХІРА Й. М., ШУВАР Р. Я., ПАВЛИШЕНКО Б. М. РЕКОМБІНАЦІЙНИЙ МЕХАНІЗМ ЕФЕКТУ ПІДСИЛЕННЯ ДИНАМІЧНОЇ ТЕНЗОЧУТЛИВОСТІ НАПІВПРОВІДНИКІВ ПРИ ФОТОЗБУДЖЕННІ // УКР. ФІЗ. ЖУРН. — 1995. — Т. 40, №7. — С. 723-726.

СТАХІРА Й. М., ШУВАР Р. Я., ПАВЛИШЕНКО Б. М., САВЧИН В. П., ВПЛИВ ФОТОЗБУДЖЕННЯ НА П’ЄЗОРЕ- ЗИСТИВНІ ВЛАСТИВОСТІ НАПІВПРОВІДНИКІВ //ВІСНИК ЛЬВІВСЬКОГО УНІВЕРСИТЕТУ: СЕР. ФІЗИЧНА. ВИП 26, 1993Р.— С. 89-93.

МИГУЛИН В. В., МЕДВЕДЕВ В. И., МУСТЕЛЬ Е. Р., ПАРЫГИН В. Н. ОСНОВЫ ТЕОРИИ КОЛЕБАНИЙ. — М.:ГЛ. РЕД. ФИЗ. — МАТ. ЛИТ.,1988. — 392С.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-17

Номер

Том 2 № 1 (2005)

Розділ

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.