ПРО ПОРОГОВУ ФОТОЧУТЛИВІСТЬ КРЕМНІЄВИХ МДН ФОТОСЕНСОРІВ З НЕРІВНОВАЖНИМ ВИСНАЖЕННЯМ

Автор(и)

  • A. P. Gorban Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • V. P. Kostylyov Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна https://orcid.org/0000-0002-1800-9471
  • A. V. Sachenko Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • О. A. Serba Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • V. V. Chernenko Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.1.112089

Ключові слова:

структура МДН, фотосенсор, нерівноважне виснаження, порогова фоточутливість

Анотація

Проаналізовані колекторні характеристики кремнієвих МДН фотосенсорів з нерівноважним виснаженням. Теоретично і експериментально показано, що такі фотосенсори мають більш високу порогову фоточутливість, ніж фотосенсори з “металургійними” р-n-переходами. Зроблений висновок про можливість використання кремнієвих МДН структур з нерівноважним виснаженням в якості порогових фотосенсорів, а також в якості порогових детекторів ядерних випромінювань.

Посилання

ЛИТОВЧЕНКО В. Г., ГОРБАНЬ А. П., ОСНОВЫ ФИЗИ- КИ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ СИСТЕМ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТ- РИК-ПОЛУПРОВОДНИК. — КИЕВ: НАУКОВА ДУМКА, 1978. — 316 С.

ГОРБАНЬ А. П., ИВАНИЦКИЙ О. П., КОСТЫЛЕВ В. П., НЕСТАЦИОНАРНЫЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАК- ТЕРИСТИКИ МДП-СТРУКТУР В УСЛОВИЯХ НЕРАВНО- ВЕСНОГО ИСТОЩЕНИЯ //ОПТ. — 1987. — ВЫП. 12. — С. 39 — 44.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-17

Номер

Том 2 № 1 (2005)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.