ПІСЛЯРАДІАЦІЙНА РЕЛАКСАЦІЯ РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНИХ ЗМІН ОПТИЧНОГО ПОГЛИНАННЯ В ХАЛЬКОГЕНІДНОМУ СКЛІ СИСТЕМИ Ge-As-S

Анотація

Проаналізовано особливості використання радіаційно-чутливих середовищ на основі халькогенідних стекол системи As-Ge-S для реєстрації високоенергетичного γ-випромінювання. Показано, що суттєвою перевагою досліджуваних об’єктів у порівнянні з оксидними стеклами є вищий рівень вимірюваних доз, краща стійкість до дії агресивних зовнішніх факторів і нижча температура стирання радіаційно-індукованих змін в області краю фундаментального оптичного поглинання. Недоліком дозиметричних систем на основі вказаних халькогенідних стекол є температурна залежність та часова нестабільність радіаційно-індукованих змін. Вплив нагріву зразка в процесі опромінення може бути виключений шляхом обмеження діапазону вимірюваних доз та їх потужностей. Пострадіаційну зміну контрольованого параметру в часі можна врахувати шляхом введення відповідного коректуючого коефіцієнта. Встановлено, що релаксаційні процеси, відповідальні за пострадіаційні ефекти, описуються диференціальним рівнянням, характерним для бімолекулярного механізму рекомбінації, що свідчить про визначальну роль координаційних дефектів у формуванні радіаційно-індукованих змін.