ПІСЛЯРАДІАЦІЙНА РЕЛАКСАЦІЯ РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНИХ ЗМІН ОПТИЧНОГО ПОГЛИНАННЯ В ХАЛЬКОГЕНІДНОМУ СКЛІ СИСТЕМИ Ge-As-S

A. P. Kovalskiy, O. I. Shpotyuk, R. Ya. Golovchak, M. M. Vakiv

Анотація


Проаналізовано особливості використання радіаційно-чутливих середовищ на основі халькогенідних стекол системи As-Ge-S для реєстрації високоенергетичного γ-випромінювання. Показано, що суттєвою перевагою досліджуваних об’єктів у порівнянні з оксидними стеклами є вищий рівень вимірюваних доз, краща стійкість до дії агресивних зовнішніх факторів і нижча температура стирання радіаційно-індукованих змін в області краю фундаментального оптичного поглинання. Недоліком дозиметричних систем на основі вказаних халькогенідних стекол є температурна залежність та часова нестабільність радіаційно-індукованих змін. Вплив нагріву зразка в процесі опромінення може бути виключений шляхом обмеження діапазону вимірюваних доз та їх потужностей. Пострадіаційну зміну контрольованого параметру в часі можна врахувати шляхом введення відповідного коректуючого коефіцієнта. Встановлено, що релаксаційні процеси, відповідальні за пострадіаційні ефекти, описуються диференціальним рівнянням, характерним для бімолекулярного механізму рекомбінації, що свідчить про визначальну роль координаційних дефектів у формуванні радіаційно-індукованих змін.

Ключові слова


дозиметрія; γ-випромінювання; халькогенідне скло; оптичне поглинання; сенсор

Повний текст:

PDF

Посилання


ПИКАЕВ А. К. СОВРЕМЕННАЯ РАДИАЦИОННАЯ ХИ- МИЯ. ТВЕРДОЕ ТЕЛО И ПОЛИМЕРЫ. ПРИКЛАДНЫЕ АС- ПЕКТЫ. — М.: НАУКА, 1987. — 448 С.

ФРАНК M., ШТОЛЬЦ Б. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ДОЗИМЕТ- РИЯ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ. — М.: АТОМИЗ- ДАТ, 1973. — 247 C.

SHPOTYUK O. I. AND MATKOVSKII A. O. RADIATIONSTIMULATED PROCESSES IN ARSENIC TRISULPHIDE // J. NON-CRYST. SOLIDS. — 1994. — VOL. 176. — P. 45- 50.

ШПОТЮК О. И. ТЕМПЕРАТУРНАЯ СТАБИЛЬНОСТЬ ИН- ДУЦИРОВАННЫХ ГАММА-ОБЛУЧЕНИЕМ ЭФФЕКТОВ В СТЕКЛООБРАЗНОМ ТРИСУЛЬФИДЕ МЫШЬЯКА // Ж. ПРИКЛ. СПЕКТРОСКОПИИ. — 1987. — Т. 46. — С. 122-126.

SHPOTYUK O. I., BALITSKA V. O., VAKIV M. M. AND SHPOTYUK L. I. SENSORS OF HIGH-ENERGETIC RADIATION BASED ON AMORPHOUS CHALCOGENIDES // SENSOR ACTUAT. A–PHYS. — 1998. — VOL. 68, № 1-3. — P. 356-358.

BALITSKA V., GOLOVCHAK R., KOVALSKIY A. ET AL. EFFECT OF CO60 Γ-IRRADIATION ON THE OPTICAL PROPERTIES OF AS-GE-S GLASSES // J. NON-CRYST. SOLIDS. — 2003. — VOL. 326-327. — P. 130-134.

SHPOTYUK O. I., KOVALSKIY A. P., SKORDEVA E. ET AL. EFFECT OF GAMMA-IRRADIATION ON THE OPTICAL PROPERTIES OF GEX AS40-XS60 GLASSES // PHYSICA B. — 1999. — VOL. 271. — P. 242-247.

TANAKA KE. STRUCTURAL PHASE TRANSITIONS IN CHALCOGENIDE GLASSES // PHYS. REV. B. — 1989. — VOL. 39, № 2. — P. 1270-1279.

BOOLCHAND P., GEORGIEV D. G. AND MICOLAUT M. NATURE OF GLASS TRANSITION IN CHALCOGENIDES // J. OPTOELECTRON. ADV. MATER. — 2002. — VOL. 4, № 4. — P. 823-836.

ТЕТЕРИС Я., РЕЙНФЕЛДЕ М. Я. ОБЪЕМ ГРАММ-АТО- МА И ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ИЗМЕНЕНИЯ ОПТИЧЕС- КИХ СВОЙСТВ ОБРАЗЦОВ СИСТЕМЫ AS-SE // ИЗВ. АН СССР. НЕОРГАН. МАТЕРИАЛЫ. — 1986. — Т. 22, № 4. — С. 584-586.

ВАКИВ Н. М., БАЛИЦКАЯ В. А., ШПОТЮК О. И., БУТКЕВИЧ Б. ДЕГРАДАЦИОННЫЕ ПРЕВРАЩЕНИЯ В ТО- ПОЛОГИЧЕСКИ РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ: 1. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ КИНЕТИКИ // ТЕХНОЛО- ГИЯ И КОНСТРУИРОВАНИЕ В ЭЛЕКТРОННОЙ АППАРА- ТУРЕ. — 2003. — № 4. — С. 61-64.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.1.112090

Copyright (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)