ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЧИН КАТАСТРОФІЧНОЇ ДЕГРАДАЦІЇ ПАРАМЕТРІВ КРЕМНІЄВИХ МОН — ТРАНЗИСТОРІВ

O. Kulinich, M. Glauberman, G. Chemeresuk, I. Yatsunsky

Анотація


Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:

– обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з’єднань, що приводить до охрупчування контактів;

– порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук.


Ключові слова


катастрофічна деградація; МОН — транзистор;, кремній

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


VELCHEV N., TONCHEVA L., DIMITROV I. ELECTRICAL PROPERTIES OF MOS STRUCTURES WITH PROCESS-INDUCED DEFECTS // CRYST. LATTICE DEFECTS. — 1980. — №4. — P. 159 –166.

GLAUBERMAN M, KULINICH O. INFLUENCE DEFECTS OF STRUCTURE OF RESURFACE SILICON ON CHARGE CARRIERS MOBILITY IN MOS TRANSISTORS CHANNEL AND THRESHOLD VOLTAGE //UKR. PHYS. JOUR. — 2002. — V. 47,#8. — P. 779-783.

SIRTLE E., ADLER A. // Z. METALIK. — 1961. — V. 52. — P. 529- 533.

SECCO D’ARAGONA F. // J. ELECTROCHEM. SOC. — 1972. — V. 119. — Р. 948- 952.

RAVI K. V. DEFECTS AND IMPURITIES IN SEMICONDUCTOR SILICON. — N. Y.:J. WILEY,1981. — 472 P.

HELMREICH D, SIRTLE E. SEMICONDUCTOR SILICON. — N. Y.: HUFF AND SIRTLE,1977. — 626P.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.1.112262

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)