ДОСЛІДЖЕННЯ ПРИЧИН КАТАСТРОФІЧНОЇ ДЕГРАДАЦІЇ ПАРАМЕТРІВ КРЕМНІЄВИХ МОН — ТРАНЗИСТОРІВ

Автор(и)

  • O. Kulinich Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • M. Glauberman Одеський національний університет імені І.І. Мечникова, Україна
  • G. Chemeresuk Одеський національний університет імені І.І. Мечникова, Україна
  • I. Yatsunsky Одеський національний університет імені І.І. Мечникова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.1.112262

Ключові слова:

катастрофічна деградація, МОН — транзистор, , кремній

Анотація

Робота присвячена виявленню причин катастрофічної деградації деградації параметрів кремнієвих МОН- транзисторів, які були сформовані за звичайною планарною технологією. Встановлено, що основними причинами деградації є:

– обрив термокомпресійних контактів, який можна пояснити виникненням в районі контакту інтерметалевих з’єднань, що приводить до охрупчування контактів;

– порушення цільності металевої розводки і контактних площин, виникаючих в наслідок порушення технологічних режимів фотолітографії, а також присутності розвиненої дефектної структури на поверхні кремнію і виникнення сіліцидних сполук.

Посилання

VELCHEV N., TONCHEVA L., DIMITROV I. ELECTRICAL PROPERTIES OF MOS STRUCTURES WITH PROCESS-INDUCED DEFECTS // CRYST. LATTICE DEFECTS. — 1980. — №4. — P. 159 –166.

GLAUBERMAN M, KULINICH O. INFLUENCE DEFECTS OF STRUCTURE OF RESURFACE SILICON ON CHARGE CARRIERS MOBILITY IN MOS TRANSISTORS CHANNEL AND THRESHOLD VOLTAGE //UKR. PHYS. JOUR. — 2002. — V. 47,#8. — P. 779-783.

SIRTLE E., ADLER A. // Z. METALIK. — 1961. — V. 52. — P. 529- 533.

SECCO D’ARAGONA F. // J. ELECTROCHEM. SOC. — 1972. — V. 119. — Р. 948- 952.

RAVI K. V. DEFECTS AND IMPURITIES IN SEMICONDUCTOR SILICON. — N. Y.:J. WILEY,1981. — 472 P.

HELMREICH D, SIRTLE E. SEMICONDUCTOR SILICON. — N. Y.: HUFF AND SIRTLE,1977. — 626P.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-17

Номер

Розділ

Деградація, метрологія і сертифікація сенсорів