ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР ДЛЯ РОЗРОБКИ рН-ЧУТЛИВИХ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ

Автор(и)

  • S. V. Patskovsky Інститут молекулярної біології і генетики Національної Академії Наук України Політехнічний Інститут м.Монреаль, Україна
  • О. V. Frolov НДІ “Мікроприлад”, Україна
  • О. А. Shulga Інститут хемо- та біосенсорики, Україна
  • О. P. Soldatkin Інститут молекулярної біології і генетики Національної Академії Наук України, Україна
  • S. V. Dzyadevych Інститут молекулярної біології і генетики Національної Академії Наук України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112444

Ключові слова:

рН-чутливі польові транзистори, , біосенсори, напівпровідникові структури, діелектрик

Анотація

В роботі досліджено рН-чутливість, стабільність та дрейф напівпровідникових структур з різною кількістю та типом поверхневого діелектрика та оптимізовано їх параметри для створення рН-чутливих польових транзисторів. Кращі результати були отримані для двошарового діелектрика, що складається з SiO2 і Si3 N4 , який і запропоновано для розробки рН-чутливих польових транзисторів. Кращі характеристики демонстрували перетворювачі, виготовлені в НДІ “Мікроприлад” (Київ, Україна).

Посилання

Thevenot D.R., Toth K., Durst R.A., Wilson G.S. Electrochemical biosensors: recommended definitions and classification (Technical report) // Pure Appl. Chem. — 1999. — 71. — P. 2333-2348.

Bergveld P. Development of an ion-sensitive solidstate device for neurophysiological measurements / / IEEE Trans. Biomed. Eng. — 1970. — 17. — P. 70-71.

Bergveld P. Development, operation and application of the ion sensitive field effect transistor as a tool for electrophysiology // IEEE Trans. Biomed. Eng. — 1972. — 19. — P. 342-351.

Matsuo T., Wise K.D. An integrated field effect electrode for biopotential recording // IEEE Trans. Biomed. Eng. — 1974. — 21. — P. 485-487.

Дзядевич С.В. Биосенсоры на основе ион-селективных полевых транзисторов: теория, технология, практика. // Биополимеры и клетка. — 2004. — 20, № 1-2. — C. 7-16.

Bergveld P. Thirty years of ISFETOLOGY. What happened in the past 30 years and what may happen in the next 30 years // Sens. Actuators B. — 2003. — 88. — P. 1-20.

Dzyadevych S.V., Soldatkin A.P., Korpan Y.I., Arkhypova V.N., El’skaya A.V., Chovelon J. — M., Martelet C., Jaffrezic-Renault N. Biosensors based on enzyme field effect transistors for determination of some substrates and inhibitors // Anal. Bioanal. Chem. — 2003. — 377. — P. 496- 506.

Sant W., Pourciel M.L., Launay J., Do Conto T., Martinez A., Temple-Boyer P. Development of chemical field effect transistors for medical analysis // Book of the 16th European Conference on SolidState Transducers. — Prague (Czech Republics), 2002. — P. 619-620.

Dzyadevych S.V., Mai Anh T., Soldatkin A.P., Duc Chien N., Jaffrezic-Renault N., Chovelon J. — M. Development of enzyme biosensor based on pHsensitive field-effect transistors for detection of phenolic compounds // Book XVI International Symposium on Bioelectrochemistry and Bioenergetics. — Bratislava (Slovakia), 2001. — P. 124.

Mai Anh T. Application of SOG material and technology to the fabrication of PH ISFET. // Master Thesis, ITIMS, Hanoi University of Technology. — 1999.

Reichmuth P., Van der Wal P.D., Puntener M., Schoning-Hammer A., Morf W.E., Rooij N.F., Pretsch E. Redusing the interference from CO2 or organic acids in ion-selective polymer membrane sensors having a field-effect transistor as internal reference element. // Analytica Chimica Acta. — 2002. — 464. — P. 79-88.

Bausells J., Carrabina J., Errachid A., Merlos A. Ion-sensitive field-effect transistor fabricated in commercial CMOS technology. // Sensors Actuators B. — 1999. — 57. — P. 56-62.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-20

Номер

Том 2 № 3 (2005)

Розділ

Біосенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.