Том 2 № 3 (2005)

Опубліковано: 2017-02-24

Весь випуск

PDF

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

ФОРМУВАННЯ ПОЛЯРИЗАЦІЇ І РЕЛАКСАЦІЙНІ ЯВИЩА В СЕГНЕТОЕЛЕКТРИЧНИХ ПОЛІМЕРАХ, ПОЛЯРИЗОВАНИХ У КОРОННОМУ РОЗРЯДІ

A. E. Sergeeva, S. N. Fedosov, V. I. Soloshenko, A. F. Butenko, V. V. Valdman

4-11

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112359
- PDF (Русский)

Біосенсори

ПЕРСПЕКТИВИ СТВОРЕННЯ ПОРТАТИВНИХ БІОСЕНСОРІВ НА ОСНОВІ ПОВЕРХНЕВОГО ПЛАЗМОННОГО РЕЗОНАНСУ

I. D. Voytovych, V. M. Korsunsky, A. N. Kosogor, M. F. Starodub, I. O. Javorskiy

56-65

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112437
- PDF (Русский)
ДОСЛІДЖЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР ДЛЯ РОЗРОБКИ рН-ЧУТЛИВИХ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРІВ

S. V. Patskovsky, О. V. Frolov, О. А. Shulga, О. P. Soldatkin, S. V. Dzyadevych

66-73

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112444
- PDF

Проектування і математичне моделювання сенсорів

ПРО МЕТОД ВИЗНАЧЕННЯ ЗАКОНОМІРНОСТІ РОЗПОДІЛУ СТРУМІВ У ПРОВІДНОМУ НЕМАГНІТНОМУ ЛИСТІ ПРИ ЙОГО РУСІ В ЗАЗОРІ ВИХОРОСТРУМОВОГО СЕНСОРУ

V. B. Nersisyan

12-17

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112363
- PDF (Русский)

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Хімічні сенсори

ГАЗОВІ СЕНСОРИ НА ОСНОВІ ОКСИДУ ЦИНКУ (ОГЛЯД)

M. E. Bugayova, V. M. Koval, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, V. A. Karpina, V. D. Khranovskyy

34-42

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112374
- PDF
ВЕЙВЛЕТ АНАЛІЗ І ДЕТЕКТУВАННЯ ЗАГАЛЬНОГО ВМІСТУ ОЗОНУ У ЗЕМНІЙ АТМОСФЕРІ: МІКРОС ТЕХНОЛОГІЯ “GEOMATH”

A. V. Glushkov, V. N. Khokhlov, A. A. Svinarenko, Yu. Ya. Bunyakova, G. P. Prepelitsa

43-48

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112425
- PDF (English)
АВТОМАТИЧНЕ РЕГУЛЮВАННЯ КОНЦЕНТРАЦІЇ КИСНЮ В ПОВІТРЯНІЙ СУМІШІ ЗА ДОПОМОГОЮ СЕНСОРА ТА НАПІВПАЛИВНОГО ЕЛЕМЕНТУ

S. D. Korolenko, F. V. Makordey, L. D. Konovalenko, L. I. Korolenko

49-55

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112435
- PDF (Русский)

Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)

ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ СЕНСОРІВ УЛЬТРАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ GaSe-GaN

P. Y. Stakhira, Z. A. Shandra, V. V. Cherpak

82-86

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112457
- PDF

Матеріали для сенсорів

ТЕНЗОМЕТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ МІКРОКРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ ПРИ КРІОГЕННИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

A. A. Druzhinin, I. I. Maryamova, O. P. Kutrakov, I. V. Pavlovskyy

74-81

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112454
- PDF