ТЕХНОЛОГІЧНІ ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ СЕНСОРІВ УЛЬТРАФІОЛЕТОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ GaSe-GaN

Автор(и)

  • P. Y. Stakhira Національний університет «Львівська політехніка», Україна https://orcid.org/0000-0001-5210-415X
  • Z. A. Shandra Національний університет «Львівська політехніка», Україна
  • V. V. Cherpak Національний університет «Львівська політехніка», Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2005.3.112457

Ключові слова:

гетероструктура, GaSe, GaN, рентгенофазовий аналіз, катодолюмінісценція

Анотація

Запропонований метод іонного розпилення GaAs а аміачній атмосфері, що відбувається в схрещених електричному і магнітному полях для формування нітридо-галієвих структур на підкладці GaSe, з метою створення сенсорів ультрафіолетового випромінювання. Проведено оптимізацію лінійних розмірів реактора з метою отримання однорідних плівок нітриду галію. Результати рентгенофазового аналізу гетероструктури GaSe-GaN вказують на присутність полікристалічної плівки гексагонального нітриду галію на поверхні зразків. Зокрема, на дифрактограмах присутня лінія (110), що відповідає гексагональному GaN. Вивчено катодолюмінесцентні властивості гетероструктури GaSe-GaN.

Посилання

С.В. Осинский, В.Г. Вербицький, В.В. Денисенко. Ультрафиолетовая фоточуствительность НЕМТ-структур на III-нитридах//Proc. of III International Conference on Optoelectronic Information Technologies, Vinnytsia, Ukraine, 27- 28 April, 2005. — P.202.

K.Kornitzer, T.Ebner, C Kirchuer, Highresolution photoluminescence and reflectance spectra of homoepitaxial GaN layers// Phys. Stat. Sol (b). — 1999. — Vol. 216. — P.5-9.

В.Д.Боднар, В.І. Васильків, І.Й. Кухарський, Б.О. Сімків. Вплив власних дефектів на електрофізичні властивості плівок нітриду галію// Журнал фізичних досліджень, 1999. — Т.3. — №4. — С-498-501.

P. Stakhira, Z. Shandra. Studies of potentials distribution in Pennih’s cell with sectional anode// Proc. of 5-nd International Symposium on Microelectronic Technology and Microsystems. — 2001. — Pitesti, Romania. — Р.39-45.

JCPDS-ISCDD, Powder diffraction files CDROM, 1995, 37-931, 2-1078.

V.P. Savchyn, P.J. Stakhira, N.N. Berchenko. Thermal and plasma nitridation of GaSe crystal// Vacuum. — 2002. — 67. — Р.69-73.

Ching-Wu Wang, Bo-Skao Soong and etc. Effects of gamma-ray irradiation on the microstrucural and luminescent properties of radio-frequency magnetronsputtered GaN thin films// Journal of Applied Physics. — 2000. — Vol. 88, №11. — P.6355-6358.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-10-20

Номер

Том 2 № 3 (2005)

Розділ

Мікросистемні та нанотехнології (MST, LІGA-технологія, актюатори та ін.)

Ліцензія

Авторське право (c) 2005 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.