ГРАФЕН НА СЕГНЕТОЕЛЕКТИЧНІЙ ПІДКЛАДЦІ: ЕЛЕМЕНТИ ПАМ’ЯТІ І МОДУЛЯТОРИ ВИПРОМІНЮВАННЯ. ОГЛЯД.
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.1.112761Ключові слова:
графен, сегнетоелектрик, енергетично незалежна пам’ять, модуляторАнотація
Дано короткий огляд робіт, присвячених створенню елементів енергонезалежної
пам’яті нового покоління та модуляторів для близького і середнього ІЧ діапазону на основі графену на сегнетоелектричній підкладці.
Посилання
S. Das Sarma, Shaffique Adam, E. H. Hwang, Enrico Rossi. Electronic transport in two dimensional graphene // Rev. Mod. Phys. – 2011. – v.83, n.2. – P.407-470.
В. Гусинін, В. Локтєв, С. Шарапов. Графен: неймовірне стало можливим // Вісник НАН України. – 2010. - вип.12. - C. 51-59.
М.В. Стріха. Нерівноважні електрони й дірки в графені (огляд) // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2011. – т.2 (8), №. 1. – С. 10-19.
Seyoung Kim, Junghyo Nah, Insun Jo, Davood Shahrjerdi, Luigi Colombo, Zhen Yao, Emanuel Tutuc, Sanjay K. Banerjee. Realization of a High
Mobility Dual-gated Graphene Field Effect Transistor with Al2O3 Dielectric // Appl. Phys. Lett. – 2009. – v.94. – article number 062107;
arXiv: 0901.2901 (19 Jan. 2009).
Annirudha Konar, Tian Fang, Depdeep Jena. Effect of high- gate dielectrics on charge transport in graphene-based field effect transistors
// Phys. Rev. B. – 2010. – v. 82. – article number 115452; arXiv:0902.0819v2 (15 Oct 2010).
M.V.Strikha. Modulation of a mid-IR radiation by a gated graphene on ferroelectric substrate // Ukr. Journ. of Phys. Optics. – 2011. – v.12, n.4.
– P.162-165.
Yi Zheng, Guang-Xin Ni, Chee-Tat Toh, Ming-Gang Zeng, Shu-Ting Chen, Kui Yao, and Barbaros zyilmaz. Gate-controlled nonvolatile graphene-ferroelectric memory // Appl. Phys. Lett. – 2009. – v. 94, n,16. – article number 163505. DOI: 10.1063/1.3119215.
И.С. Желудев. Основы сегнетоэлектричества. Москва: «Атомиздат», 1973. – 472 с.
Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Москва: «Наука», 1983. – 240 с.
J. Valasek. Piezoelectric and allied phenomena in Rochelle salt // Physical Review. – 1921. – v.15. – P.537-541.
J. Rouquette, J. Haines, V. Bornand, M. Pintard, Ph. Papet, C. Bousquet, L. Konczewicz, F. Gorelli, S. Hull. Pressure tuning of the morphotropic phase boundary in piezoelectric lead zirconate titanate // Physical Review B. – 2004. – v. 70 (1). – article number 014108.
W.Liu, B.Jiang, W.Zhu. Self-biased dielectric bolometer from epitaxially grown Pb(Zr,Ti)O3 and lanthanum-doped Pb(Zr,Ti)O3 multilayered
thin films // Applied Physics Letters. – 2000. – v.77 (7). – P.1047–1049.
J.F. Scott. Ferroelectric Memories. Springer, 2000.
M. Dawber, K.M. Rabe, J.F. Scott. Physics of thin-film ferroelectric oxides // Reviews of Modern Physics. – 2005. – v.77. – P.1083.
M.Ye. Zhuravlev, R.F. Sabirianov, S.S. Jaswal, E.Y. Tsymbal. Giant Electroresistance in Ferroelectric Tunnel Junctions // Physical Review Letters. – 2005. – v. 94. – article number 246802–4. arXiv:cond-mat/0502109.
R. Ramesh, N.A Spaldin. Multiferroics: progress and prospects in thin films // Nature Materials. – 2007. - v.6. – P.21-29.
Noel A. Clark, Sven Torbj rn Lagerwall. Submicrosecond Bistable Electro-Optic Switching in Liquid Crystals // Applied Physics Letters. – 1980. – v. 36. – P.899.
Yi Zheng, Guang-Xin Ni, Chee-Tat Toh, Chin-Yaw Tan, Kui Yao, and Barbaros zyilmaz. Graphene field effect transistors with ferroelectric
gating // Phys. Rev. Lett. – 2010. – v. 105, n,16. – article number 166602. DOI: 10.1103/PhysRevLett.105.166602.
X. Hong, J. Hoffman, A. Posadas, K. Zou, C. H. Ahn, J. Zhu. Unusual Resistance Hysteresis in n-Layer Graphene Field Effect Transistors
Fabricated on Ferroelectric Pb(Zr0.2Ti0.8)O3 // Applied Physics Letters. – 2010. – v. 97, n.3. – article number 033114. DOI: 10.1063/1.3467450.
W. Kim, A. Javey, O. Vermesh, O. Wang, Y. Li, and H. Dai. Hysteresis caused by water molecules in carbon nanotube field-effect transistors // Nano Letters. – 2003. – v.3, n.2. – P.193.
Yi Zheng, Guang-Xin Ni, Sukang Bae, Chun-Xiao Cong, Orhan Kahya, Chee-Tat Toh, Hye Ri, Kim, Danho Im, Ting Yu, Jong Hyun Ahn, Byung Hee Hong, and Barbaros Ozyilmaz. Waferscale graphene/ferroelectric hybrid devices for low voltage electronics // Europ. Phys. Lett. – 2011. – v.93, n.1. – article number 17002. DOI:10.1209/0295-5075/93/17002.
Emil B. Song, Bob Lian, Sung Min Kim, Sejoon Lee, Tien-Kan Chung, Minsheng Wang, Caifu Zeng, Guangyu Xu, Kin Wong, Yi Zhou, Haider
I. Rasool, David H. Seo, Hyun-Jong Chung, Jinseong Heo, Sunae Seo, and Kang L. Wang. Robust bi-stable memory operation in single-layer
graphene ferroelectric memory // Applied Physics Letters. – 2011. – v. 99, n.4. – article number 042109. DOI: 10.1063/1.3619816.
М.В. Стриха. Механизм антигистерезисного поведения сопротивления графена на подложке сегнетоэлектрика Pb(ZrxTi1-x)O3 // Письма
ЖЭТФ. – 2012. – т.95, вып.4. – С.216-218.
Ming Liu, Xiaobo Yin, Erik Ulin-Avila, Baisong Geng, Thomas Zentgraf, Long Ju, Feng Wang & Xiang Zhang. A graphene-based broadband
optical modulator // Nature. – 2011. – V. 474. – P.64-67; doi: 10.1038/nature10067.
M.V. Strikha and F.T.Vasko. Carrierinduced modulation of light by a gated
graphene // Journal of Applied Physics. – 2011. – v.110. – Article number 083106. doi:10.1063/1.3653837.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
