НА ШЛЯХУ ДО СТВОРЕННЯ ТЕРМОЕЛЕКТРОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ НА ОСНОВІ НАНООБ’ЄКТІВ ТИПУ КВАНТОВИХ ТОЧОК, НАНОДРОТІВ І НАДГРАТОК
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.1.112764Ключові слова:
термоелектроперетворювачі, нанооб’єкти, внутрішні механічні напруженняАнотація
У роботі розглянуто проблеми, пов’язані з ефективністю термоелектроперетворювачів, створюваних на основі використання нанодротів, надґраток і квантових точок. Акцентується особлива увага на ролі внутрішніх механічних напружень, які суттєво впливають на зонну структуру напівпровідникових компонентів термоелектроперетворювачів і які необхідно враховувати як при розгляді загальних питань кінетики електронного газу в напівпровідникових кристалах, так і при конкретному вирішенні задач, пов’язаних із прямим перетворенням теплової енергії в електричну.
Посилання
Goldsmid H. J., Douglas R. W., The use of semiconductors in thermoelectric refrigeration. Brit. J. Appl. Phys. - 1954. - Vol. 5, No. 11. -
P. 386-390.
Goldsmid H. J., Douglas R. W., The use of semiconductors in thermoelectric refrigeration [This is an Erratum for the article 1954 Brit. J. Appl. Phys. 5 386] // Brit. J. Appl. Phys. - 1954. - Vol. 5, No. 12. - P. 458.
Wright D. A., Thermoelectric Properties of Bismuth Telluride and its Alloys // Nature. - 1958. - Vol. 181, No. 4612. - P. 834.
Li J.-F., Tanaka S., Umeki T. e t a l . , Microfabrication of thermoelectric materials by silicon molding process // Sens. Actuators A. - 2003. - Vol. 108, No. 1-3. - P. 97-102.
Dresselhaus M. S., Chen G., Tang M. Y. et al., Low-Dimensional Thermoelectric Materials // Advanced Materials. - 2007. - Vol. 19. - P. 1043-1053.
Иоффе А. Ф., Полупроводниковые термоэлементы. - М.-Л.: Изд. АН СССР, 1960. - 188 с.
Martin J., Nolas G. S., Zhang W. et al., PbTe nanocomposites synthesized from PbTe nanocrystals // Appl. Phys. Lett. - 2007. - Vol. 90, No. 22. - P. 222112 (3).
Zhu T. J., Liu Y. Q., Zhao X. B., Synthesis of PbTe thermoelectric materials by alkaline reducing chemical routes // Mater. Res. Bull. - 2008. - Vol. 43, No. 11. - P. 2850-2854.
Ohta H., Thermoelectrics based on strontium titanate. // Mater. Today. - 2007. - Vol. 10, No. 10. - P. 44-49.
Tritt T. M., Subramanian M. A., Thermoelectric Materials, Phenomena, and Applications: A Bird’s Eye View // MRS Bull. - 2006. - Vol. 31,
No. 03. - P. 188-198.
Tamura H., Preparation and Electrical Properties of Bi2Te3-Ge Alloys // Jpn. J. Appl. Phys. - 1966. - Vol. 5, No. 7. - P. 593-602.
Brandt N. B., Kulbachinskii V. A., Pressure spectroscopy of impurity states and band structure of bismuth telluride // Semiconduct. Sci. Technol.
- 1992. - Vol. 7, No. 7. - P. 907-911.
Heremans J. P., Jovovic V., Toberer E. S. et al., Enhancement of Thermoelectric Efficiency in PbTe by Distortion of the Electronic Density of
States // Science. - 2008. - Vol. 321, No. 5888. - P. 554-557.
Kim D.-H., Mitani T., Thermoelectric properties of fine-grained Bi2Te3 alloys // J. Alloy Compd. - 2005. - Vol. 399, No. 1-2. - P. 14-19.
Toprak M. S., Stiewe C., Platzek D. et al., The impact of Nanostructuring on the Thermal Conductivity of Thermoelectric CoSb3 // Adv. Funct. Mater. - 2004. - Vol. 14, No. 12. - P. 1189-1196.
Stiewe C., Bertini L., Toprak M. S. et. al., Nanostructured Co1-xNix(Sb1-yTey)3 skutterudites: Theoretical modeling, synthesis and thermoelectric properties // J. Appl. Phys. - 2005. - Vol. 97, No. 4. - P. 044317 (7).
Hicks L. D., Dresselhaus M. S., Effect of quantum-well structures on the thermoelectric figure of merit // Phys. Rev. В. - 1993. - Vol. 47,
No. 19. - P. 12727-12731.
Hicks L. D., Dresselhaus M. S., Thermoelectric figure of merit of a one-dimensional conductor // Phys. Rev. B. - 1993. - Vol. 47, No. 24. - P. 16631-16634.
Hicks L. D., Harman T. C., Dresselhaus M. S., Use of quantum-well superlattices to obtain a high figure of merit from nonconventional
thermoelectric materials // Appl. Phys. Lett. - 1993. - Vol. 63, No. 23. - P. 3230-3.
Broido D. A., Reinecke T. L., Comment on ‘‘Use of quantum-well superlattices to obtain high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials’’ [Appl. Phys. Lett. 63, 3230 (1993)] // Appl. Phys. Lett. - 1995. - Vol. 67, No. 8. - P. 1170.
Broido D. A., Reinecke T. L., Effect of superlattice structure on the thermoelectric figure of merit // Phys. Rev. B. - 1995. - Vol. 51, No. 19. - P. 13797-13800.
Broido D. A., Reinecke T. L., Thermoelectric transport in quantum well superlattices // Appl. Phys. Lett. - 1997. - Vol. 70, No. 21. - Р. 2834 (3).
Deng Y., Zhou X.-s., Wei G.-d. et al., Solvothermal preparation and characterization of nanocrystalline Bi2Te3 powder with different
morphology // J. Chem. Solids - 2002. - Vol. 63, No. 11 - P. 2119-2121.
Ji X., Zhao X., Zhang Y., Lu B., Ni H. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 793 (2004), S1.4.1.
Poudel B., Hao Q., Ma Y. et al., High-Thermoelectric Performance of Nanostructured Bismuth Antimony Telluride Bulk Alloys // Science. - 2008. - Vol. 320, No. 5876. - P. 634-638.
Zhao X. B., Ji X. H., Zhang Y. H. et al., Bismuth telluride nanotubes and the effects on the thermoelectric properties of nanotube-containing
nanocomposites // Appl. Phys. Lett. - 2005. - Vol. 86, No. 6 - P. 062111 (3).
Hone J., Ellwood I., Muno M. et al., Thermoelectric Power of Single-Walled Carbon Nanotubes // Phys. Rev. Lett. - 1998. - Vol. 80, No. 5. - P. 1042-1045.
Cao Y. Q., Zhu T. J., Zhao X. B., Thermoelectric Bi2Te3 nanotubes synthesized by low-temperature aqueous chemical method // J. Alloy Compd. - 2008. - Vol. 449, No. 1-2. - P. 109-112.
Lu J., Han Q., Yang X. et al., Preparation of Bi2S3 nanorods via a hydrothermal approach // Mater. Lett. (Materials Letters). - 2007. - Vol. 61, No. 16. - P. 3425-3428.
Zhao X. B., Ji X. H., Zhang Y. H. et al., Effect of solvent on the microstructures of nanostructured Bi2Te3 prepared by solvothermal synthesis // J. Alloy Compd. - 2004. - Vol. 368, No. 1-2. - P. 349-352.
Sun T., Zhao X. B., Zhu T. J. et al., Aqueous chemical reduction synthesis of Bi2Te3 nanowires with surfactant assistance // Mater. Lett. - 2006.
- Vol. 60, No. 20. - P. 2534-2537.
Melnichuk S. V., Kosyachenko S. V. , Thermoelectric properties of superlattices // Journal of Thermoelectricity. - 1996. - № 3. - Р. 15-22
Sur I., Casian A., Balandin A., Electronic thermal conductivity and thermoelectric figure of merit of n-type PbTe/Pb1-xEuxTe quantum-wells // Phys. Rev. B. - 2004. - V. 69, N 3. - P. 035306 (7).
Khitun A., Balandin A., Liu J. L. et al., In-plane lattice thermal conductivity of a quantum-dot superlattice // J. Appl. Phys. - 2000. - Vol. 88, No. 2. - P. 696-699.
Harman T. C., Taylor P. J., Walsh M. P. et al., Quantum Dot Superlattice Thermoelectric Materials and Devices // Science. - 2002. - Vol. 297, No. 5590. - P. 2229-2232.
Venkatasubramanian R., Siivola E., Colpitts T. et al., Thin-film thermoelectric devices with high room-temperature figures of merit // Nature. - 2001. - V. 413, N 6856. - P. 597-602.
Venkatasubramanian R., Colpitts T., O’Quinn B. et al., Low-temperature organometallic epitaxy and its application to superlattice structures in
thermoelectrics // Appl. Phys. Lett. - 1999. - Vol. 75, No. 8. - P. 1104-1106.
Rabina O., Lin Y.-M., Dresselhaus M. S., Anomalously high thermoelectric figure of merit in nanowires by carrier pocket alignment // Appl. Phys. Lett. - 2001. - Vol. 79, No. 1. - P. 81-83.
Zhang Y. H., Zhu T. J., Tu J. P. et al., Flower-like nanostructure and thermoelectric properties of hydrothermally synthesized La-containing Bi2Te3 based alloys // Mater. Chem. Phys. - 2007. - Vol. 103, No. 2-3. - P. 484-488.
Zhao L.-D., Zhang B.-P., Li J.-F. et al., Thermoelectric and mechanical properties of nano-SiC-dispersed Bi2Te3 fabricated by mechanical alloying and spark plasma sintering // J. Alloys Compd. - 2008. - Vol. 455, No. 1-2. - P. 259-264.
Zhou J., Li S., Soliman H. M. A. et al., Seebeck coefficient of nanostructured phosphorus-alloyed bismuth telluride thick films // J. Alloys Compd. - 2009. - Vol. 471, No. 1-2. - P. 278-281.
Kim D. H., Kim C., Heo S. H. et al., Influence of powder morphology on thermoelectric anisotropy of spark-plasma-sintered Bi–Te-based
thermoelectric materials // Acta Materialia. - 2011. - Vol. 59, No. 1. - P. 405-411.
Tritt T. M., Holey and Unholey Semiconductors // Science. - 1999. - Vol. 283, No. 5403. - P. 804-805.
Boyer A., E., Properties of thin film thermoelectric materials: application to sensors using the Seebeck effect // Mater. Sci. Eng. B. - 1992. - Vol. 13, No. 2. - P. 103-111.
Shafai C., Brett M. J., Optimization of Bi2Te3 thin films for icrointegrated Peltier heat pumps // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1997. - Vol. 15, No. 5. -
P. 2798-2801.
Bilc D. I., Mahanti S. D., Kanatzidis M. G., Electronic transport properties of PbTe and AgPbmSbTe2+m systems // Phys. Rev. В. - 2006. - Vol. 74, No. 12. - P. 125202 (12).
Lee S.-M., Cahill D. G., Venkatasubramanian R., Thermal conductivity of Si–Ge superlattices // Appl. Phys. Lett. - 1997. - Vol. 70, No. 22.
-P. 2957-2959.
Ma Y., Hao Q., Poudel B. et al., Enhanced Thermoelectric Figure-of-Merit in p-Type Nanostructured Bismuth Antimony Tellurium Alloys Made from Elemental Chunks // Nano Letters. - 2008. - Vol. 8, No. 8. - P. 2580-2584.
Cao Y. Q., Zhao X. B., Zhu T. J. et al., Syntheses and thermoelectric properties of Bi2Te3/Sb2Te3 bulk nanocomposites with laminated nanostructure // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 92, No. 14. - P. 143106 (3).
Cao Y. Q., Zhu T. J., Zhao X. B. et al., Nanostructuring and improved performance of ternary Bi–Sb–Te thermoelectric materials // Appl. Phys. A - 2008. - Vol. 92, No. 2. - P. 321-324.
Xie W., Tang X., Yan Y. et al., Unique nanostructures and enhanced thermoelectric performance of melt-spun BiSbTe alloys // Appl. Phys. Lett. - 2009. - Vol. 94, No. 10. - P. 102111 (3).
Xie W., Tang X., Yan Y. et al., High thermoelectric performance BiSbTe alloy with unique lowdimensional structure // J. Appl. Phys. - 2009.
- Vol. 105, No. 11. - P. 113713 (8).
Wang X. W., Lee H., Lan Y. C. et al., Enhanced thermoelectric figure of merit in nanostructured n-type silicon germanium bulk alloy // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 93, No. 19. - P. 193121 (3).
Hsu K. F., Loo S., Guo F. et al., Cubic AgPbmSbTe2+m: Bulk Thermoelectric Materials with High Figure of Merit // Science. - 2004. -
Vol. 303, No. 5659. - P. 818-821.
Lan Y., Minnich A. J., Chen G. et al., Enhancement of Thermoelectric Figure-of-Merit by a Bulk Nanostructuring // Adv. Funct. Mater. - 2010. - Vol. 20, No. 3. - P. 357-376.
Иоффе А. Ф., Физика полупроводников. - М.-Л.: Изд. АН СССР, 1957. - 492 с.
Анатычук Л. И., Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Справочник). - Киев: Наукова думка, 1979. - 767 с.
Anatychuk L. I., Physics of Thermoelectricity. - Kyiv-Chernivtsi: Institute of Thermoelectricity, 1998. - V. 1. - 376 p.
Анатычук Л. И., Термоэлектрические преобразователи энергии. Термоэлементы. Элементная база термоэлектричества. - Киев-Черновцы: Институт термоэлектричества, 2003. - Т. II. - 376 с.
Fedorovich R. D., Naumovets A. G., Tomchuk P. M., Electron and light emission from island metal films and generation of hot electrons in
nanoparticles // Physics Reports. - 2000. - V. 328, N 2-3. - P. 74-179.
Boukai A. I., Bunimovich Yu., Tahir-Kheli J. et al., Silicon nanowires as efficient thermoelectric materials // Nature. - 2008. - V. 451, N 7175. -
P. 168-171.
Markussen T., Jauho A.-P., Brandbyge M., Electron and phonon transport in silicon nanowires: Atomistic approach to thermoelectric properties
// Phys. Rev. В. - 2009. - Vol. 79, No. 3. - P. 035415 (7).
Hochbaum A.I., Chen R., Delgado R.D. et al., Enhanced thermoelectric performance of rough silicon nanowires // Nature. - 2008. - V. 451,
N 7175. - P. 163-167.
Salavati-Niasari M., Bazarganipour M., Davar F., Hydrothermal preparation and characterization of based-alloy Bi2Te3 nanostructure with different morphology // J. Alloys Compd. - 2010. - Vol. 489, No. 2. - P. 530-534.
Zhu T. J., Yan F., Zhao X. B. et al., Preparation and thermoelectric properties of bulk in situ nanocomposites with amorphous/nanocrystal
hybrid structure // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2007. - Vol. 40, No. 19. - P. 6094-6097.
Zhou A. J., Zhu T. J., Ni H. L. et al., Preparation and transport properties of CeSi2/HMS thermoelectric composites // J. Alloys Compd. - 2008. - Vol. 455, No. 1-2. - P. 255-258.
Li Y., Jiang J., Xu G. et al., Synthesis of micro/ nanostructured p-type Bi0.4Sb1.6Te3 and its thermoelectrical properties // J. Alloys Compd. -
- Vol. 480, No. 2. - P. 954-957.
Zhang L., Grytsiv A., Kerber M. et al., MmFe4Sb12- and CoSb3-based nano-skutterudites prepared by ball milling: Kinetics of formation and transport properties // J. Alloys Compd. - 2009. - Vol. 481, No. 1-2. - P. 106-115.
Sales B. C., Smaller Is Cooler // Science. - 2002. - Vol. 295, No. 5558. - P. 1248-1249.
Mi J. L., Zhao X. B., Zhu T. J. et al., Solvothermal synthesis and electrical transport properties of skutterudite CoSb3 // J. Alloys Compd. - 2006. -
Vol. 417, No. 1-2. - P. 269-272.
Zhai P. C., Zhao W. Y., Li Y. et al., Nanostructures and enhanced thermoelectric properties in Ce-filled skutterudite bulk materials // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 89, No. 5. - P.052111 (3).
Zhao L.-D., Zhang B.-P., Liu W.-S. et al., Effect of mixed grain sizes on thermoelectric performance of Bi2Te3 compound // J. Appl. Phys. - 2009. - Vol. 105, No. 2. - P. 023704 (6).
Alboni P. N., Ji X., He J. et al., Thermoelectric properties of La0.9CoFe3Sb12–CoSb3 skutterudite
nanocomposites // J. Appl. Phys. - 2008. - Vol 103, No. 11. - P. 113707 (5).
Zhang Q., He J., Zhu T. J. et al., High figures of merit and natural nanostructures in Mg2Si0.4Sn0.6 based thermoelectric materials // Appl. Phys. Lett. - 2008. - Vol. 93, No. 10. - P. 102109-102111.
Mi J . L., Zhao X. B., Zhu T. J. et al., Thermoelectric properties of Yb0.15Co4Sb12 based nanocomposites with CoSb3 nano-inclusion // J.
Phys. D: Appl. Phys. - 2008. - Vol. 41, No. 20. - P. 205403.
Shi X., Chen L. D., Bai S. Q. et al., Effect of C60 Particle Dispersion on Thermal Conductivity of CoSb3 // Key Eng. Mater. - 2003. - Vol. 249.
P. 75-78.
Huang X. Y., Xu Z., Chen L. D. et al., Effect of Content on the Thermoelectric Performance of ZrNiSn/ Composites // Key Eng. Mater. - 2003. - Vol. 249 (Composite Materials III). - P. 79-82.
Geller S., Wernick J. H., Ternary semiconducting compounds with sodium chloride-like structure: AgSbSe2, AgSbTe2, AgBiS2, AgBiSe2 // Acta
Crystallographica. - 1959. - Vol. 12. - P. 46-54.
Armstrong R. W., Faust J. W., Tiller W. A., A Structural Study of the Compound AgSbTe2 // J. Appl. Phys. - 1960. - Vol. 31, No. 11. - P. 1954 (6).
Ma H., Su T., Zhu P. et al., Preparation and transport properties of AgSbTe2 by high-pressure and high-temperature // J. Alloys Compd. - 2008. - Vol. 454, No. 1-2. - P. 415-418.
Wang H., Li J.-F., Nan C.-W. et al., Highperformance Ag0.8Pb18+xSbTe20 thermoelectric bulk materials fabricated by mechanical alloying and spark plasma sintering // Appl. Phys. Lett. - 2006. - Vol. 88, No. 9. - P. 092104-092106.
Marin R.-M., Brun G., Tedenac J.-C., Phase equilibria in the Sb2Te3-Ag2Te system // J. Mater. Sci. - 1985. - Vol. 20, No. 2. - P. 730-735.
McHugh J. P., Tiller W. A., Haszko S. E. et al., Phase Diagram for the Pseudobinary System // J. Appl. Phys. - 1961. - Vol. 32, No. 9. - P. 1785.
Zhang S. N., Zhu T. J., Yang S. H. et al., Improved thermoelectric properties of AgSbTe2 based compounds with nanoscale Ag2Te in situ
precipitates // J. Alloys Compd. - 2010. - Vol. 499, No. 2. - P. 215-220.
Bilc D., Mahanti S. D., Quarez E. et al., Resonant States in the Electronic Structure of the High Performance Thermoelectrics AgPbmSbTe2+m:
The Role of Ag-Sb Microstructures // Phys. Rev. Lett. - 2004. - Vol. 93, No. 14. - P. 146403 (4).
Lin H., Bozin E. S., Billinge S. J. L. et al., Nanoscale clusters in the high performance thermoelectric AgPbmSbTem+2 // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72, No. 17. - P. 174113 (7).
Quarez E., Hsu K.-F., Pcionek R. et al., Nanostructuring, Compositional Fluctuations, and Atomic Ordering in the Thermoelectric Materials AgPbmSbTe2+m. The Myth of Solid Solutions // J. Am. Chem. Soc. - 2005. - Vol. 127, No. 25. - P. 9177-9190.
Hazama H., Mizutani U., Asahi R., Firstprinciples calculations of Ag-Sb nanodot formation in thermoelectric AgPbmSbTe2+m (m = 6, 14, 30) // Phys. Rev. B. - 2006. - Vol. 73, No. 11. - P. 115108 (7).
Androulakis J., Hsu K.-F., Pcionek R. et al., Nanostructuring and High Thermoelectric Efficiency in p-Type Ag(Pb1-ySny)mSbTe2+m // Adv. Mater. - 2006. - Vol. 18, No. 9. - P. 1170-1173.
Kosuga A., Kurosaki K., Uno M. et al., Electrical properties of (x = 0, 0.1, 0.3) // J. Alloys Compd. - 2005. - Vol. 386, No. 1-2. - P. 315-318.
Kosuga A., Uno M., Kurosaki K. et al., Thermoelectric properties of
(x = 0, 0.1, 0.3) // J. Alloys Compd. - 2005. - Vol. 387, No. 1-2. - P. 52-55.
Kosuga A., Uno M., Kurosaki K. et al., Thermoelectric properties of stoichiometric (x = 0, 0.1, 0.2) // J. Alloys Compd. - 2005. - Vol. 391, No. 1-2. - P. 288-291.
K o s u g a A . , K u r o s a k i K . , M u t a H . et al., Thermoelectric properties of p - t y p e (x = 0.05, 0.09, 0.2) // J. Alloys Compd. - 2006.
- Vol. 416, No. 1-2. - P. 218-221.
Cai K. F., He X. R., Hydrothermal synthesis and characterization of silver and antimony codoped PbSe nanopowders // Mater. Lett. - 2006. - Vol. 60, No. 20. - P. 2461-2464.
Arachchige I. U., Wu J., Dravid V. P. et al., Nanocrystals of the quaternary thermoelectric materials: AgPbmSbTem+2 (m = 1-18): phasesegregated or solid solutions? // Adv. Mater. - 2008. - Vol. 20, No. 19. - P. 3638-3642.
Ao W. Q., Sun W. A., Li J. Q. et al., Hydrothermal synthesis of nano-sized AgPb18SbTe20 thermoelectric powders // J. Alloys Compd. - 2009. - Vol. 475, No. 1-2. - P. L22-L24.
Cai K. F., Yan C., He Z. M. et al., Preparation and thermoelectric properties of AgPbmSbTe2+m alloys // J. Alloys Compd. - 2009. - Vol. 469, No. 1-2. - P. 499-503.
Yang S. H., Zhu T. J., Sun T. et al., Nanostructures in high-performance thermoelectric materials // Nanotechnology. - 2008. - Vol. 19, No. 24. - P. 245707.
Slack G. A., The thermal conductivity of nonmetallic crystals // in: Solid State Physics: Advances in Research and Applications; ed. by F. Seitz, D. Turnbull, H. Ehrenreich. - New York: Academic Press, 1979. - Vol. 34, p. 1–71.
Shi X., Chen L., Yang J. et al., Enhanced thermoelectric figure of merit of CoSb3 via largedefect scattering // Appl. Phys. Lett. – 2004. –
Vol. 84, No. 13. – P. 2301–2303.
Keppens V., Mandrus D., Sales B. C. et al., Localized vibrational modes in metallic solids // Nature. - 1998. - Vol. 395, No. 6705. - P. 876-877.
Sales B. C., Mandrus D., Chakoumakos B. C. et al., Filled skutterudite antimonides: Electron crystals and phonon glasses // Phys. Rev. В. -
- Vol. 56, No. 23. - P. 15081-15089.
Sales B. C., Electron crystals and phonon glasses: a new path to improved thermoelectric materials // Mater. Res. Soc. Bull. - 1998. - Vol. 23. - P. 15-21.
Nolas G. S., Morelli D. T., Tritt T. M., Skutterudites: A Phonon-Glass-Electron Crystal Approach to Advanced Thermoelectric Energy Conversion Applications // Annu. Rev. Mater. Sci. - 1999. - Vol. 29. - P. 89-116.
Min G., Rowe D. M., A serious limitation to the phonon glass electron crystal (PGEC) approach to improved thermoelectric materials // J. Mater.
Sci. Lett. - 1999. - Vol. 18, No. 16. - P. 1305-1306.
Grytsiv A., Rogl P., Berger S. et al., A novel skutterudite phase in the Ni–Sb–Sn system: phase equilibria and physical properties // J. Phys. Condens. Mater. - 2002. - Vol. 14, No. 29. - P. 7071-7090.
Slack G.A., Design Concepts for Improved Thermoelectric Materials // in: Thermoelectric Materials - New Directions and Approaches, ed. by T. M. Tritt, G. Mahan, H. B. Lyon, Jr. and M. G. Kanatzidis, Pittsburgh, PA: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1997. Vol. 478, p. 47-54.
Nolas G. S., Slack G. A., Cohn J. L. et al., The Next Generation of Thermoelectric Materials // in: Proceedings of the XVII Intern. Conf.
on Thermoelectrics (ICT-98), (Nagoya, Japan, 1998), p. 294-297.
Nolas G. S., Cohn J. L., Slack G. A. et al., Semiconducting Ge clathrates: Promising candidates for thermoelectric applications // Appl. Phys. Lett. - 1998. - Vol. 73, No. 2. - P. 178-180.
Cohn J. L., Nolas G. S., Fessatidis V. et al., Glasslike Heat Conduction in High-Mobility Crystalline Semiconductors // Phys. Rev. Lett. - 1999. - Vol. 82, No. 4. - P. 779-782.
Nolas G. S., Semiconductor Clathrates: A PGEC System with Potential for Thermoelectric Applications // in: Thermoelectric Materials - The Next Generation Materials for Small-Scale Refrigeration and Power Generation Applications, ed. by T. M. Tritt, G. Mahan, H. B. Lyon, Jr. and M. G. Kanatzidis, Pittsburgh., PA: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1999. Vol. 545, p. 435-442.
Paschen S., Pacheco V., Bentien A. et al., Are type-I clathrates Zintl phases and ‘phonon glasses and electron single crystals’? // Physica B. - 2003. - Vol. 328, No. 1-2 - P. 39-43.
He Z., Stiewe C., Platzek D. et al., Thermoelectric properties of hot-pressed skutterudite CoSb3 // J. Appl. Phys. - 2007. - Vol. 101, No. 5. -
P. 053713 (6).
Bertini L., Stiewe C., Toprak M. et al., Nanostructured skutterudites:
Synthesis, thermoelectric properties, and theoretical modeling // J. Appl. Phys. - 2003. - Vol. 93, No. 1 - P. 438-447.
Nolas G. S., Takizawa H., Endo T. et al., Thermoelectric properties of Sn-filled skutterudites // Appl. Phys. Lett. - 2000. - Vol. 77,
No. 1. - P. 52-54.
Sales B. C., Mandrus D., Williams R. K., Filled Skutterudite Antimonides: A New Class of Thermoelectric Materials // Science. - 1996. - Vol. 272, No. 5266. - P. 1325-1328.
Mi J. L., Zhao X. B., Zhu T. J. et al., Nanosized La filled CoSb3 prepared by a solvothermal-annealing method // Mater. Lett. - 2008. - Vol. 62, No. 15. - P. 2363-2365.
Dyck J. S., Chen W., Uher C. et al., Thermoelectric properties of the n-type filled skutterudite Ba0.3Co4Sb12 doped with Ni // J. Appl. Phys. –
– Vol. 91, No. 6. – P. 3698–3705.
Lu P.-X., Wu F., Han H.-L. et al., Thermoelectric properties of rare earths filled CoSb3 based nanostructure skutterudite // J. Alloys Compd. -
- Vol. 505, No. 1. - P. 255-258.
He Z., Stiewe C., Platzek D. et al., Nano ZrO2/CoSb3 composites with improved thermoelectric figure of merit // Nanotechnology. – 2007. – Vol. 18, No. 23. – P. 235602.
DiSalvo F. J., Thermoelectric Cooling and Power Generation // Science. - 1999. - V. 285, N 5428. - P. 703-706.
Majumdar A., Thermoelectricity in Semiconductor Nanostructures // Science. - 2004. - V. 303, N 5659. - Р. 777-778.
Kegel I., Metzger T. H., Lorke A. et al., Nanometer-Scale Resolution of Strain and Interdiffusion in Self-Assembled InAs/GaAs Quantum Dots // Phys. Rev. Lett. - 2000. - V. 85, N 8. - P. 1694-1697.
Двуреченский А. В., Якимов А. И., Квантовые точки 2 типа в системе Ge/Si // ФТП. - 2001. - Т. 35, Вып. 9. - С. 1143-1153.
Migliorato M. A., Cullis A. G., Fearn M. et al., Atomistic simulation of strain relaxation in InxGa1-xAs/GaAs quantum dots with nonuniform
composition // Phys. Rev. B. - 2002. - V. 65, N 11. - P. 115316 (5).
Ненашев А. В., Двуреченский А. В., Пространственное распределение упругих деформаций в структурах Ge/Si с квантовыми точками // ЖЭТФ. - 2000. - Т. 118, Вып. 3. - С. 570-578.
Якимов А. И., Двуреченский А. В., Степина Н. П. и др., Эффекты электронэлектронного взаимодействия в оптических свойствах плотных массивов квантовых точек Ge/Si // ЖЭТФ. - 2001. - Т. 119, Вып. 3. - С. 574-589.
Jiang H., Singh J., Strain distribution and electronic spectra of InAs/GaAs self-assembled dots: An eight-band study // Phys. Rev. B. - 1997.
- V. 56, N 8. - P. 4696-4701.
Grundmann M., Stier O., Bimberg D., InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and electronic structure // Phys. Rev. B. - 1995. - V. 52, N 16. - P. 11969-11981.
Chen Y., Washburn J., Structural Transition in Large-Lattice-Mismatch Heteroepitaxy // Phys. Rev. Lett. - 1996. - V. 77, N 19. - P. 4046-4049.
Козырев Ю. Н., Рубежанская М. Ю., Скляр В. К. и др., Термодинамические характеристики эпитаксиального роста и структурные особенности упруго-напряженных пленок Si1-xGex (0 х 1) с квантовыми точками // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. Збірник наукових праць. - Київ: Видавничий дім «Академпері-одика», 2003. - Т. 1, Вип. 1. - С. 301-308.
Miller P. D., Liu C.-P., Henstrom W. L. et al., Direct measurement of strain in a Ge island on Si (001) // Appl. Phys. Lett. - 1999. - V. 75, N 1.
- P. 46-48.
Xie Q., Chen P., Madhukar A., InAs islandinduced-strain driven adatom migration during GaAs overlayer growth // Appl. Phys. Lett. - 1994.
- V. 65, N 16. - P. 2051-2053.
Blonskyy I. V., Kadan V. M., Kadashchuk A. K. et al., New Mechanism of Charge Carriers Localization in Silicon Nanowires // Phys. Low.- Dim. Struct. - 2003. - V. 7/8. - P. 25-33.
Блонский И. В., Бродин М. С., Вахнин А. Ю. и др., Фактор структурной неоднородности кремниевых нанокристаллитов в их люминесцентных свойствах // Микросистемная техника. - 2003. - № 2. - C. 28-32.
Liu N., Tersoff J., Baklenov O. et al., Nonuniform Composition Profile in In0.5Ga0.5As Alloy Quantum Dots // Phys. Rev. Lett. - 2000. - V. 84,
N 2. - P. 334-337.
Rosenauer A., Gerthsen D., Van Dyck D. et al., Quantification of segregation and mass transport in InxGa1-xAs/GaAs Stranski-Krastanow
layers // Phys. Rev. B. - 2001. - V. 64, N 24. - P. 245334 (15).
Никифоров А. И., Черепанов В. А., Пчеляков О. П., Исследование процесса роста пленки Ge на поверхности Si (100) методом
регистрирующей дифрактометрии // ФТП. - 2001. - Т. 35, Вып. 9. - C. 1032-1035.
Majumdar A., Rokhinson L. P., Tsui D. C. et al., Effective mass enhancement of two-dimensional electrons in a one-dimensional superlattice potential // Appl. Phys. Lett. - 2000. - V. 76, N 24. - P. 3600-3602.
Волков В. А., Тахтамиров Э. Е., Динамика электрона с пространственно-зависящей массой и метод эффективной массы для
полупроводниковых гетероструктур // УФН. - 1997. - Т. 167, Вып. 10. - C. 1123-1128.
Алешкин В. Я., Гавриленко В. И., Иконников А. В. и др., Циклотронный резонанс в легированных и нелегированных гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами // ФТП. - 2005. - Т. 39, Вып. (1). - С. 71-75.
Lippens P. E. and Lannoo M., Calculation of the band gap for small CdS and ZnS crystallites // Phys. Rev. B. - 1989. - V. 39, N 15. - P. 10935-
Стрельчук В. В., Кладько В. П., Валах М. Я. та iн., Дослідження самоіндукованих квантових точок в InхGa1-хAs/GaAs багатошарових
наноструктурах // Наносистеми, наноматерали, нанотехнології. Збірник наукових праць. - Київ: Видавничий дім «Академперіодика»,
- Т. 1, Вип. 1. - С. 309-327.
Самойлович А. Г., Коренблит Л. Л., Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках
// УФН. - 1953. - Т. 49, Вып. 2. - С. 243-272.
Баранский П. И., Объемный эффект Пельтье в германии // ЖТФ. - 1958. - Т. 28, Вып. 2. - С. 225-230.
Anatychuk L. J., Vikhor L. N., Computer design of functionally graded thermoelectric materials // Proc. of the IVth International Symposium on
FGM. Tsukuba (Japan). - 1996. - P. 501-507.
Баранский П. И., Теоретические и экспериментальные исследования явлений переноса в многодолинных полупроводниках в экстремальных условиях // Физические основы полупроводниковой электроники / Под ред. О. В. Снитко. - Київ: Наукова думка, 1985. - Гл. 13. - 302 с.
Баранский П. И., Буда И. С., Даховский И. В., Теория термоэлектрических и термомагнитных явлений в анизотропных
полупроводниках. - Київ: Наукова думка, 1987. - 272 с.
Баранский П. И., Нетрадиционные механизмы пьезосопротивления в одноосно деформированных полупроводниках // Изв. АН СССР Неорг. матер. - 1997. - Т. 33, № 2. - C. 147-152.
Покропивний В. В., Поперенко Л. В., Фізика наноструктур. - Київ: Видавничо-поліграфічний центр “Київський університет”, 2008. - 200 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
