ЕКСПЕРИМЕНТАЛЬНІ ДОСЛІДЖЕННЯ ЭРС ХОЛОСТОГО ХОДУ СЕНСОРА ЗОБРАЖЕННЯ НА ОСНОВІ НЕІДЕАЛЬНОГО ГЕТЕРОПЕРЕХОДУ CdS-Cu2S
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.1.112796Ключові слова:
сенсор, неідеальний гетероперехід, туннельно-стрибковий механізм струмопереносуАнотація
Проведено експериментальні дослідження напруги холостого ходу сенсора оптичного й рентгенівського зображень при різних умовах освітлення. Встановлено, що напруга холостого ходу досліджуваного сенсора істотно нижче розрахованого з використанням лише термоемісійних моделей переносу. Показано, що для коректного розрахунку Uхх необхідно враховувати як
процеси рекомбінації на центрах гетеромежі носіїв генерованих в вузькозонному матеріалі, так і явища тунельно-стрибкового струмопереносу по локалізованих станах в області просторового заряду широкозонного матеріалу.
Посилання
Те Velde T.S. Mathematical analyses of hetero junction, applied to the copper sulphide - cadmium sulphide solar cell// Solid State Electron.- 1973,- V.16, № 12.- P. 1305-1314.
Виноградов М.С., Борщак В.А,, Василевский Д.Л. Туннельный механизм потерь в гетерофотоэлементах// Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. –1987. -№ 1(186). - С. 46-50.
Василевский Д.Л. Фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов // Фотоэлектроника.– 1988.– № 2.– С. 3-15.
D.L. Vassilevski. «Physical principles of graphic registration by non-ideal heterojunction», Sensors and Actuators, A 55, 1996, p.167-172.
D.L. Vasilevski, M.S.Vinogradov, V.A.Borscak. Appl. Surface Science, 103, 383 (1996).
В.А. Борщак, В.А. Смынтына, А.П. Балабан, Е.В. Бритавский, Н.П. Затовская. Зависимость проводимости освещенного неидеального
гетероперехода от внешнего смещения. ФТП, 45, 922 (2011).
D.V.Vassilevski. Influence of tunnel effects on the kinetics of the photocapacitance in nonideal heterojunctins/ D.V.Vassilevski, V.A. Borschak, M.S.Vinogradov // Solid-State Electronics.– 1994.– Vol. 37.– No. 9.– p. 1680-1682.
Саченко А.В. Фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов/ Саченко А.В., Снитко О.В. // Киев: Наукова думка.– 1994.– 232 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
