ВЛАСТИВОСТІ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУР CdHgTe/CdZnTe ПІСЛЯ НИЗЬКОЕНЕРГЕТИЧНОГО ОПРОМІНЕННЯ ІОНАМИ БОРУ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.1.112829Ключові слова:
імплантація, деформації, разупорядкування, фоточутливістьАнотація
Наведено результати дослідження стану поверхні, оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетероструктур , підданих опроміненню
іонами (100 кеВ, доза імплантації 1013 см-2). Показано, що введення в приповерхневу область CdHgTe імплантату призводить до стискання кристалічної гратки та утворення шару з оптичними властивостями, що відрізняються від властивостей матриці. Розраховано профіль розподілу бору в проімплантованій структурі, визначена величина коефіцієнта стискання (3 ·10 - 31 м3) кристалічної гратки твердого розчину CdHgTe, а також максимальне значення величини механічної напруги 4·104 Па в області радіаційного разупорядкування, обумовленого низькоенергетичним опроміненням іонами бору.
Посилання
Смирнов Л.С., Вопросы радиационной технологии полупроводников. -Новосибирск.: Наука, 1980. – 292 с.
Li W.B., Zhang E.X., Chen M., Li N., Zhang G.Q., Liu Z.L., Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and
nitrogen implantation and multistep annealing // Semicond. Sci. Technol. – 2004. - V.19. - Р. 571 - 576.
Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе КРТ // ФТП. - 2006. -Т. 40. - вып 1. - С. 3-22.
Усков В.А., Краснов А.А., Иванов В.А., Образование дислокационных скоплений в арсениде галлия при облучении ионами аргона // Сб. трудов VI Всесоюз. совещ. по исслед. арсенида галлия: -T. 2. - Томск. - 1987.- С.134.
Крылов П.Н., Лебедева А.А., Павлов П.В. и др., Изменение дислокационной структуры кремния при облучении ионами средних
энергий // ФТТ. - 1973.-T. 15. - № 9.- С. 2857-2859.
Крылов П.Н., Рац Ю.В., Стерхов А.Л., Влияние локального облучения ионами аргона на распределение дефектов и состава поверхностных слоев арсенида галлия // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского, серия
«Физика твердого тела». – 1998. - Вып. 2. - С. 79 - 85.
Остафійчук Б.К., Федорів В.Д., Яблонь Л.С., Яремій І.П., Яворський Б.І., Залежність ступеня деформації LaGa – заміщених ферит –
гранатових плівок від дози іонної імплантації // ФХТТ.- 2002 .- Т. 3. - №4.- С. 687-693.
Cerutti A. and Ghezzi C., X-ray observations of induced dislocations at simple planar structures in silicon // Phys. Stat. Sol.(a) - 1973. - V 17. -
№1.- Р. 237 245.
Литовченко В.Г., Романюк Б.Н., Эффект анизотропного геттерирования в планарных структурах // ФТП.- 1983. - В. 1. - Т. 17. - С.150-152.
Синица С.П., Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск:. Наука,- 2001. - 375 с.
Бовина Л.А., Стафеев В.Н., Фролов А.В., Рубцов А.Г. // Матер. Всес. Сем. «Физика и химия полупроводников» Павлодар. - 1987. - С. 218.
Сизов Ф.Ф., Фотоэлектроника для систем видения в невидимых участках спектра, Академпериодика:. Киев, 2008.- 459 с.
Тетьоркін В.В., Івасів З.Ф., Сизов Ф.Ф., Край
поглинання варізонних плівок Hg1-xCdxTe вирощенних методом рідкофазної епітаксії // УФЖ. – 1999. Т. - 44. - №9. С. 1128-1132.
Стойнов З.Б., Графов Б.М., Савова-Стойнова Б., Елкин В.В., Электрохимический импеданс, М.: Наука, 1991. - 336 с.
Prepost R., Maruyama T., Advances in Polarized Electron Sources // Annu. Rev. Nucl. Part Sci. - 1995. - V.45. - Р.41-88.
Бондарев А.Д., Винокуров Д.А., Капитонов В.А и др., Исследование напряженных квантовых ям InxGa1-xAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т.24. - №22. - С.46-52.
Orouji A.A., Kumar M.J., Nanoscale SOI MOSFETS with Electrically Induced Source/Drain Extension: Novel Attributes and Design Considerations for Suppressed Short-Channel Effects // Superlattice and Microstructures. - 2006. - V.39. - N5.- Р.395-405.
Paul D., Si/SiGe Heterostructures: from Material and Physics to Device and Circuits // Semicond. Sci. Technol. - 2004.- V.19. - Р. R75-R108 .
Kagan M.S., Altukhov I.V., Chirkova E.G., Sinis V.P., Troeger R.T., Ray S.K., Kolodzey J., THz lasing of SiGe/Si quantum-well structures due to
shallow acceptors // Phys. Stat. Sol. (b).- 2003.- V. 235. - Р.135-140.
Prinz V.Ya., Precise semiconductor nanotubes and nanocorrugated quantum systems // Physica E, - 2004. - V. 24. - Р.54-62.
Лазарев В.Б., Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, Справочник, М.: Наука, 1979. – 330 с.
Holander-Gleixner S., Williams B.L., Robinson H.G., and Helms C.R., Modeling of junction formation and drive-in in ion implanted HgCdTe
// J. Electron. Mater.- 1997. - V. 26. - N. 6. - Р.629-634.
Helms C.R., Properties of CdHgTe native oxide interface // J.Vac. Sci. Technol.-1990. - A8 (2).- Р.1178.
Якунин С.Н., Дремова Н.Н., О структурных особенностях гетерокомпозиций теллурида кадмия- ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией // Письма в ЖЭТФ. - 2008. - Т.87. - В.9. - С.580-583.
Курносов А.И., Юдин В.В., Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, Высшая школа, 1986. – 368 с.
Ebe H., Tanaka M. and Miyamoto Y., Dependency of p-n Junction Depth on Ion Species Implanted in HgCdTe // Journal of Electronic Materials. -
- V. 28, - N. 6. - Р.854-857.
Стукова Е.В., Милинский А. Ю., Маслов В.В., Диэлектрические свойства твердых растворов Na1-xKxNO2 // Известия РГПУ им.
А.И. Герцена. - 2009. - №95. - С. 133-138.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
