ВЛАСТИВОСТІ ГЕТЕРОЕПІТАКСІЙНИХ СТРУКТУР CdHgTe/CdZnTe ПІСЛЯ НИЗЬКОЕНЕРГЕТИЧНОГО ОПРОМІНЕННЯ ІОНАМИ БОРУ

О. Б. Смірнов, Р. К. Савкіна, Р. С. Удовицька, Г. З. Євменова, Ф. Ф. Сизов

Анотація


Наведено результати дослідження стану поверхні, оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетероструктур , підданих опроміненню
іонами (100 кеВ, доза імплантації 1013 см-2). Показано, що введення в приповерхневу область CdHgTe імплантату призводить до стискання кристалічної гратки та утворення шару з оптичними властивостями, що відрізняються від властивостей матриці. Розраховано профіль розподілу бору в проімплантованій структурі, визначена величина коефіцієнта стискання (3 ·10 - 31 м3) кристалічної гратки твердого розчину CdHgTe, а також максимальне значення величини механічної напруги 4·104 Па в області радіаційного разупорядкування, обумовленого низькоенергетичним опроміненням іонами бору.


Ключові слова


імплантація; деформації; разупорядкування; фоточутливість

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Смирнов Л.С., Вопросы радиационной технологии полупроводников. -Новосибирск.: Наука, 1980. – 292 с.

Li W.B., Zhang E.X., Chen M., Li N., Zhang G.Q., Liu Z.L., Formation of total-dose-radiation hardened materials by sequential oxygen and

nitrogen implantation and multistep annealing // Semicond. Sci. Technol. – 2004. - V.19. - Р. 571 - 576.

Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И., Легирование эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе КРТ // ФТП. - 2006. -Т. 40. - вып 1. - С. 3-22.

Усков В.А., Краснов А.А., Иванов В.А., Образование дислокационных скоплений в арсениде галлия при облучении ионами аргона // Сб. трудов VI Всесоюз. совещ. по исслед. арсенида галлия: -T. 2. - Томск. - 1987.- С.134.

Крылов П.Н., Лебедева А.А., Павлов П.В. и др., Изменение дислокационной структуры кремния при облучении ионами средних

энергий // ФТТ. - 1973.-T. 15. - № 9.- С. 2857-2859.

Крылов П.Н., Рац Ю.В., Стерхов А.Л., Влияние локального облучения ионами аргона на распределение дефектов и состава поверхностных слоев арсенида галлия // Вестник ННГУ им. Н.И. Лобачевского, серия

«Физика твердого тела». – 1998. - Вып. 2. - С. 79 - 85.

Остафійчук Б.К., Федорів В.Д., Яблонь Л.С., Яремій І.П., Яворський Б.І., Залежність ступеня деформації LaGa – заміщених ферит –

гранатових плівок від дози іонної імплантації // ФХТТ.- 2002 .- Т. 3. - №4.- С. 687-693.

Cerutti A. and Ghezzi C., X-ray observations of induced dislocations at simple planar structures in silicon // Phys. Stat. Sol.(a) - 1973. - V 17. -

№1.- Р. 237 245.

Литовченко В.Г., Романюк Б.Н., Эффект анизотропного геттерирования в планарных структурах // ФТП.- 1983. - В. 1. - Т. 17. - С.150-152.

Синица С.П., Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона, Новосибирск:. Наука,- 2001. - 375 с.

Бовина Л.А., Стафеев В.Н., Фролов А.В., Рубцов А.Г. // Матер. Всес. Сем. «Физика и химия полупроводников» Павлодар. - 1987. - С. 218.

Сизов Ф.Ф., Фотоэлектроника для систем видения в невидимых участках спектра, Академпериодика:. Киев, 2008.- 459 с.

Тетьоркін В.В., Івасів З.Ф., Сизов Ф.Ф., Край

поглинання варізонних плівок Hg1-xCdxTe вирощенних методом рідкофазної епітаксії // УФЖ. – 1999. Т. - 44. - №9. С. 1128-1132.

Стойнов З.Б., Графов Б.М., Савова-Стойнова Б., Елкин В.В., Электрохимический импеданс, М.: Наука, 1991. - 336 с.

Prepost R., Maruyama T., Advances in Polarized Electron Sources // Annu. Rev. Nucl. Part Sci. - 1995. - V.45. - Р.41-88.

Бондарев А.Д., Винокуров Д.А., Капитонов В.А и др., Исследование напряженных квантовых ям InxGa1-xAs/InP, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т.24. - №22. - С.46-52.

Orouji A.A., Kumar M.J., Nanoscale SOI MOSFETS with Electrically Induced Source/Drain Extension: Novel Attributes and Design Considerations for Suppressed Short-Channel Effects // Superlattice and Microstructures. - 2006. - V.39. - N5.- Р.395-405.

Paul D., Si/SiGe Heterostructures: from Material and Physics to Device and Circuits // Semicond. Sci. Technol. - 2004.- V.19. - Р. R75-R108 .

Kagan M.S., Altukhov I.V., Chirkova E.G., Sinis V.P., Troeger R.T., Ray S.K., Kolodzey J., THz lasing of SiGe/Si quantum-well structures due to

shallow acceptors // Phys. Stat. Sol. (b).- 2003.- V. 235. - Р.135-140.

Prinz V.Ya., Precise semiconductor nanotubes and nanocorrugated quantum systems // Physica E, - 2004. - V. 24. - Р.54-62.

Лазарев В.Б., Физико-химические свойства полупроводниковых веществ, Справочник, М.: Наука, 1979. – 330 с.

Holander-Gleixner S., Williams B.L., Robinson H.G., and Helms C.R., Modeling of junction formation and drive-in in ion implanted HgCdTe

// J. Electron. Mater.- 1997. - V. 26. - N. 6. - Р.629-634.

Helms C.R., Properties of CdHgTe native oxide interface // J.Vac. Sci. Technol.-1990. - A8 (2).- Р.1178.

Якунин С.Н., Дремова Н.Н., О структурных особенностях гетерокомпозиций теллурида кадмия- ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией // Письма в ЖЭТФ. - 2008. - Т.87. - В.9. - С.580-583.

Курносов А.И., Юдин В.В., Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, Высшая школа, 1986. – 368 с.

Ebe H., Tanaka M. and Miyamoto Y., Dependency of p-n Junction Depth on Ion Species Implanted in HgCdTe // Journal of Electronic Materials. -

- V. 28, - N. 6. - Р.854-857.

Стукова Е.В., Милинский А. Ю., Маслов В.В., Диэлектрические свойства твердых растворов Na1-xKxNO2 // Известия РГПУ им.

А.И. Герцена. - 2009. - №95. - С. 133-138.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.1.112829

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)