ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЛЕГОВАНОГО БІСМУТОМ PbTe
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.1.112933Ключові слова:
плюмбум телурид, термоелектричні властивості, технологія синтезуАнотація
Досліджено вплив домішки бісмуту на термоелектричні параметри зразків плюмбум телуриду виготовлених металокерамічним та парофазним методами. Встановлена кореляція між технологічними факторами, хімічним складом та мікроструктурою і термоелектричними параметрами отриманого матеріалу.
Посилання
Анатичук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. – К.: Наукова думка, 1979. – 768 с.
Anatychuk L. I. Thermoelectricity.V.1. Physics of Thermoelectricity. – Kyiv, Chernivtsi: Institute of Thermoelectricity, 1998. – 376 p.
Сабо Є.П. Технологія халькогенідних термоелементів. Підвищення термоелектричної ефективності // Термоелектрика. – 2000. – №4. – С.49-57.
Абрикосов Н.Х., Шелимова Л.Е. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. –М.: Наука, 1987. – 195с.
Шперун В.М., Фреїк Д.М., Запухляк Р.І. Термоелектрика телуриду свинцю та його аналогів. – Івано-Франківськ: Плай, 2000. – 250 с.
Фреїк Д.М., Пасічняк В.Ф., Борик В.В., Дзундза Б.С., Соколов О.Л. Фізико-хімічні проблеми напівпровідникового матеріалознавства. Т.1. Кристали AIVBVI. – Івано-Франківськ: Видавничо-дизайнерський відділ ЦІТ Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника, 2007. – 338с.
Christakudi T.A., Чолаков П.Т.,.Christakudis G.Ch. Технология за получаване на твърди разтвори от системата PbTe1-x(Bi2Te3)x където
x0.02 и изследване на структурните им свойства при Т=300К // Годишник на Софийския Университет «Кл.Охридски». – 1994. –Т.86,
N39. – С.13-22.
Дзундза Б.С., Яворський Я.С., Матеїк Г.Д., Лисюк Ю.В. Зміна кінетичних параметрів плівок p-PbTe при тривалій витримці на повітрі
// Фізика і хімія твердого тіла. – 2011. – T.12. N 1. – С. 85-94.
Фреїк Д.М., Яворський Я.С., Дзундза Б.С., Горічок І.В., Межиловська Л.Й.. Особливості структури і електричних властивостей тонких
плівок телуриду свинцю легованого вісмутом // Фізика і хімія твердого тіла. – 2011. – Т. 12, N 3. – С.633-638.,
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
