АНАЛІЗ ТЕМПЕРАТУРНИХ ЗАЛЕЖНОСТЕЙ КОЕФІЦІЄНТА ПОСИЛЕННЯ ФОТОСТРУМУ І КВАНТОВОЇ ЕФЕКТИВНОСТІ КРЕМНІЄВИХ P-I-N-ФОТО ПРИЙМАЧІВ, ВИГОТОВЛЕНИХ ДЛЯ РЕЄСТРАЦІЇ ВИПРОМІНЕННЯ В ІНФРАЧЕРВОНІЙ ОБЛАСТІ СПЕКТРУ, ПРОВЕДЕНИЙ ДЛЯ РІЗНИХ ГУСТИН ДИСЛОКАЦІЙ У ПРИЛАДАХ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.2.112994Ключові слова:
дислокації, коефіцієнт посилення фотоструму, квантова ефективність, p-i-n-фото- приймачіАнотація
В роботі побудовано температурні залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів для різної густини дислокацій; встановлено механізми зміни форми температурної залежності коефіцієнта посилення фотоструму і квантової
ефективності інфрачервоних кремнієвих p-i-n-фотоприймачів при зростанні густини дислокацій.
Посилання
Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках / Г. Матаре. – М.: Мир, 1974. – 464 с.
Шишкин В. Б. Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах / В. Б. Шишкин, Ю. В. Шишкина // Успехи физических
наук. – 1995. Т. 165, № 8. – С. 887–917.
Кулинич О. А. Связь параметров и структурного совершенства кремниевых p-i-n-фотоприемников / О. А. Кулинич, М. А. Глауберман // Известия высших учебных заведений. Физика. – 2004. – № 12. – С. 47–53.
Кулинич О. А. О повышении выявляющей способности избирательного травления монокристаллов кремния / О. А. Кулинич, А. А. Лисовская, Н. Н. Садова // Укр. физ. журн. – 1990. – Т. 35, № 11. – С. 1691–1694.
Глауберман М. А. Вплив структурних дефектів у приповерхневих шарах кремнію на рухливість носіїв заряду в каналі МОН-транзисторів
та порогову напругу / М. А. Глауберман, О. А. Кулініч, Н. М. Садова // Укр. фіз. журн. – 2002. – Т. 47, № 8. – С. 779–783.
КулиничО. А. Исследованиеприповерхностных слоёв кремния в структурах SiO2 – Si / О. А. Кулинич, М. А. Глауберман, Н. Н. Садова // Известия высших учебных заведений. Физика.
– 2003. – № 10. – С. 63–66.
Викулин И. М. Инжекционные фотоприемники / И. М. Викулин, Ш. Д. Курмашев, В. И. Стафеев // Физика и техника полупроводников. – 2008. Т. 42, № 1. – С. 113–127.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов : в 2-х книгах. Книга 2: пер. с англ. / С. Зи; под ред. Р. А. Суриса. – 2-е изд. перераб. и доп. –
М.: Мир, 1984. – 455с.
Вплив дефектів функціональних матеріалів на надійність електроніки / В. В. Зубарєв, С. В. Лєнков, В. А. Мокрицький, Д. О. Перегудов.
– Одеса : Друк, 2003. – 452 с.
Шалимова К. В. Физика полупроводников / К. В. Шалимова. – М. : Энергия, 1976. – 416 с.
Баранский П. И. Полупроводниковая электроника. Справочник / П. И. Баранский, В. П. Клочков, М. В. Потыкевич. – К. : Наукова думка, 1975. – 704 с.
Орешкин П. Т. Физика полупроводников и диэлектриков / П. Т. Орешкин. – М. : Высшая школа, 1977. – 448 с.
Преснов В. А. Влияние характера рассеяния на дислокациях на электропроводность кремния / В. А. Преснов, О. П. Канчуковский,
О. А. Кулинич // 4-й Всесоюзн. науч.-техн. семинар по путям повышения стабильности и надёжн. микроэлем. и микросхем, июнь 1987 г.: тезисы докл. – Рязань, 1987. – С. 75.
Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. – М.: Наука, 1977. – 672 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
