ІМПЕДАНС-СПЕКТРОСКОПІЯ НИТКОПОДІБНИХ КРИСТАЛІВ КРЕМНІЮ

Автор(и)

  • А. О. Дружинін Національний університет «Львівська політехніка», Україна https://orcid.org/0000-0002-9143-9443
  • І. П. Островський Національний університет «Львівська політехніка», Україна https://orcid.org/0000-0001-7867-7132
  • Ю. М. Ховерко Національний університет «Львівська політехніка», Україна https://orcid.org/0000-0002-7045-2729
  • Р. М. Корецький Національний університет «Львівська політехніка», Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.2.113208

Ключові слова:

магнетоопір, ниткоподібні кристали, імпеданс-спектроскопія

Анотація

Досліджено електропровідність та магнетоопір ниткоподібних кристалів Si<B> діаметром 5–40 мкм у температурному інтервалі 4,2÷300 К, частотному діапазоні 1÷1106 Гц та сильних магнітних полях до 14 Тл методом імпедансної спектроскопії. На основі дослідження імпедансу визначені концентрації домішок у кристалах, які становлять 3,61018 см-3 і 5,21018 см-3 і відповідають переходу метал-діелектрик. Показано, що у даних кристалах в інтервалі низьких темпрератур має місце стрибкова провідність по домішковій зоні, яка приводить до виникнення від’ємного магнітоопору.

Посилання

Лепіх Я.І., Гордієнко Ю.О., Дзядевич С.В., Дружинін А.О., Євтух А.А., Ленков С.В., Мельник В.Г., Романов В.О. Створення мікроелектронних датчиків нового покоління для інтелектуальних систем / за ред. Лепіха

Я.І.:– Одеса: Астропринт, 2010. – 296 с.

Лєпіх Я.І., Гордієнко Ю.О., Дзядевич С.В., Дружинін А.О., Євнух А.А., Лєсков С.В., Мельник В.Г., Проценко В.О., Романов В.О.

Інтелектуальні вимірювальні системи на основі мікроелектронних датчиків нового покоління / за ред. Я.І. Лєпіха, В.О. Романова.:– Одеса : Астропринт, 2011. – 352 с.

Дружинін А.О., Островський І.П., Когут Ю.Р. Ниткоподібні кристали кремнію, германію та їх твердих розчинів у сенсорній електроніці:

Монографія.– Львів, В-во НУ «Львівська політехніка, 2010. – 200 с.

Дружинін А.О., Островський І.П., Лях Н.С. Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2003. – Т. 4,

№ 3. – С. 485–490.

Druzhinin A.A., Ostrovskii I.P., Kogut Iu.R. and Warchulska J.K. Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers // Functional Materials 14, No. 4 (2007).

Павловський І.В. Низькотемпературні п’єзорезистивні характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин Текст: дис. ... канд. техн. наук: 05.27.01 / Павловський Ігор Володимирович.– Львів: НУ «Львівська політехніка», 2007.– 143 с.

Григорчак І.І., Понеділок Г.В. Імпедансна спектроскопія. – Львів, В-во НУ “Львівська політехніка”, 2011. – 352 с.

Мотт Н.Ф. Электронные процессы в некристаллических веществах [Текст]/ Мотт Н.Ф., Дэвис Е.А. - М.: Мир, 1982. - 352 c.

Трофимов И.E., Денин A.И., Mухин В.П. Магнитосопротивление в D- зоне.- М. 1989.- 25 с. (Препр./ ФИАН)

Коноплева Р.Ф. Гальваномагнитные свойства неупорядочных полупроводников.- Ленинград: 1980.- 26 c. (Препр.// № 671, ФТИ)

##submission.downloads##

Опубліковано

2012-04-27

Номер

Том 9 № 2 (2012)

Розділ

Наносенсори (фізика, матеріали, технологія)

Ліцензія

Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.