ЗАЛЕЖНІСТЬ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ НАНОДИСПЕРСНИХ КОМПОЗИТІВ «СКЛО - RuO2» ВІД РОЗМІРІВ АГЛОМЕРАТІВ ЧАСТОК СТРУМОПРОВІДНОЇ ФАЗИ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.2.113254Ключові слова:
композити, струмопровідна фаза, поверхневий опірАнотація
Досліджено впливи розмірів агломератів струмопровідної фази (RuO2) на електрофізичні характеристики гетерофазної системи «скло - RuO2». Зменшення середніх розмірів агломератів RuO2 (при фіксованих розмірах часток скла) призводить до збільшення питомого поверхневого опору гетерофазной системи.
Посилання
Гребенкина В.Г., Дышель Д.Е., Смолин М.Д., Федоров В.Н. Механизм электропроводности резистивных толстых пленок на основе рутенатов свинца и висмута. // Техн. средств связи. Серия ТПО. – 1990. - № 2. – С. 26-28.
Лозинский Н.С., Груба А.И., Левченко Л.И., Гарштя О.Н. Влияние компонентов рутениевых паст на параметры керметных резисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. –1997. - №4. – С. 39-44.
Перепелкин В.И., Телегин В.М., Шеховцева Н.Т. Оптимизация процесса вжигания керметных резистивных слоев // Электронная
промышленность. - 1995 . - №1.- С. 55.
Заричняк Ю.П., Орданьян С.С., Соколов А.Н., Степаненко Е.К. Взаимосвязь электропроводимости спеченных композиций и дисперсности исходных компонентов // Порошковая металлургия. – 1986. - №6. – С. 97-101.
Волков Д.П., Дульнев Г.Н., Заричняк Ю.П., Муратова Б.Л. Теория протекания и проводимость неоднородных сред (ІІ) // Инж.-физ.
журн. – 1984. – Т. 46, №2. – С. 247-252.
Курмашев Ш.Д., Садова Н.Н., Лавренова Т.И., Бугаева Т.Н. Исследование воспроизводимости электрофизических параметров
толстопленочных структур “RuO2 – стекло” // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2005. -№ 4. –С. 62-64.
Курмашев Ш.Д., Лавренова Т.И., Бугаева Т.Н., Садова Н.Н., Софронков А.Н. Перколяционные токи в гетерогенных системах «стекло - RuO2 // Тез.докл. ІV МНТК «Сенсорна електроніка та мікросистемні технології» (СЕМСТ-4), Украіна, Одеса, 2010.- С. 151.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.