DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2012.2.113427

ВПЛИВ ІНВЕРСІЇ ( ) ТИПУ АБСОЛЮТНОГО МІНІМУМУ В НА ЕФЕКТ ЕКРАНУВАННЯ

С. В. Луньов, П. Ф. Назарчук, Л. І. Панасюк, О. В. Бурбан

Анотація


Обчислено радіус екранування для та - мінімумів зони провідності кристалів
з різною концентрацією домішки. Отримано залежності екрануючого множника від концентрації домішки для відповідних мінімумів. Показано, що інверсія типу абсолютного мінімуму зони провідності, яка обумовлена одновісним деформуванням ( 2,8 ГПа) вздовж кристалографічного напряму [100], змінює як радіус екранування, так і екрануючий множник. Чутливість даних параметрів при переході від недеформованих до сильно деформованих кристалів пояснюється різним значенням ефективної маси густини станів для та - мінімумів.


Ключові слова


радіус екранування; екрануючий множник; одновісна деформація; ефективна маса густини станів

Повний текст:

PDF

Посилання


Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. – М.: Наука, 1977. – 688 c.

Чуйко Г.П., Концентрационная зависимость дебаевской длины экранирования в сильно вырожденном Cd3As2. Теория и опыт // ФТП.

– 1985. – Т.19, №11. – С. 2075-2077.

Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. - М.: Наука, 1967. – 416с.

Григорьев В.К., Казанцев О.И., Мурыгин В.И., Рубин В.С., Стафеев В.И., Длина экранирования статического поля в компенсированных полупроводниках и ее влияние на подвижность // ФТП. – 1969. –

Т.3, №12. – С. 1861-1864.

Пенин Н.А., О длине экранирования в примесном полупроводнике // ФТП. –1983. – Т.17, №3. – С. 431-436.

Буджак Я.С., Екранування домішкових атомів носіями струму та його вплив на властивості кристалів // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т.5, №1. – С. 77 – 80.

Leman S. W., Hertel S. A., Kim P., Cabrera B., Do Couto E Silva E., Figueroa-Feliciano E., McCarthy K. A., Resch R., Sadoulet B. and

Sundqvist K. M., Comparison of CDMS [100] and [111] Oriented Germanium Detectors // Journal of Low Temperature Physics, - 2012. –

Volume 166, DOI: 10.1007/s10909-011-0427-0.

Phipps A., Sundqvist K. M., Lam A. and Sadoulet B., Optically Induced Measurement of Electron and Hole Drift Velocities in a Germanium [100]

CDMS Detector at 50 mK // Journal of Low Temperature Physics. – 2011. - Volume 165, DOI: 10.1007/s10909-012-0472-3.

Broniatowski A., Carrier Anisotropy and Impurity Scattering in Ge at mK Temperatures: Modeling and Comparison to Experiment // Journal of Low

Temperature Physics. – 2012.- Volume 166, DOI: 10.1007/s10909-012-0543-5.

Kobayashi M., Irisawa T., Magyari-Kope B., Saraswat K., Wong H.-S.P., Nishi Y. Uniaxial Stress Engineering for High-Performance Ge NMOSFETs. - Electron Devices .-2010, Volume 57, Issue 5, p. 1037 – 1046.

Kobayashi M., Irisawa T., Kope B.M., Yun Sun, Saraswat K., Wong H. -S.P., Pianetta, P., Nishi Y. High quality GeO2/Ge interface formed by SPA

radical oxidation and uniaxial stress engineering for high performance Ge NMOSFETs.- VLSI Technology, 16-18 June 2009, p. 76 - 77

Choi Youn Sung, Lim Ji-Song, Numata Toshinori, Nishida Toshikazu, Thompson Scott E., Mechanical stress altered electron gate tunneling current and extraction of conduction band deformation potentials for germanium // Journal of Applied Physics. – 2007. – Volume 102, Issue 10, p. 104507 - 104507-5.

Murphy-Armando F. and Fahy S., Giant enhancement of n-type carrier mobility in highly strained germanium nanostructures // Journal of Applied Physics. – 2011. – Volume 109, Issue 11, p. 113703

– 113703-5.

Луньов С.В., Назарчук П.Ф., Панасюк Л.І. Про параметри мінімумів в n-Ge// Тези доповідей V Української наукової конференції з фізики напівпровідників. УАКФН 5. Ужгород. – 2011. – С. 249.

Журкин Б.Г., Земсков В.С., Юркина К.В., Холловская подвижность электронов в сильно легированном германии n–типа // ФТТ. – 1961.

– Т.3, №11. – С. 3509 -3513.




Copyright (c) 2012 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)