ВПЛИВ ОДНОВІСНОЇ ПРУЖНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ НА РУХЛИВІСТЬ НОСІЇВ СТРУМУ В КРИСТАЛАХ n Si ТА n Ge ПРИ НАЯВНОСТІ ГЛИБОКИХ ЕНЕРГЕТИЧНИХ РІВНІВ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.1.113980Ключові слова:
деформація, рухливість, глибокий рівень, фононне розсіянняАнотація
Досліджено вплив одновісної пружної деформації на зміну рухливості носіїв струму в кристалах n Si з глибоким енергетичним рівнем 0,17 c E еВ та n Ge з глибоким енергетичним рівнем 0,2 c E еВ . Показано, що при даній концентрації глибоких центрів в кристалах n Si та n Ge особливості залежностей 0 f (X ) = при різних температурах ті ж, що і у відносно чистих кристалах n Si та n Ge без глибоких рівнів в умовах переважно фононного розсіяння.Посилання
Conwell E.M., Weisskopf V.F. Theory of impurity scattering in semiconductors // Phys.Rev. - 1950. - V.77,- №3, p. 388-390.
Баранский П.И., Буда И.С., Даховский И.В., Коломоец В.В. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках // Киев. Наукова думка, 1977. — 269 с.
Баранський П.І., Федосов А.В., Гайдар Г.П. Фізичні властивості кристалів кремнію та германію в полях ефективного зовнішнього впливу. — Луцьк. Надстир’я, 2000. — 280 c.
Федосов А.В., Луньов С.В., Захарчук Д.А., Федосов С.А., Тимощук В.С. Визначення швидкості зміщення глибоких енергетичних рівнів в монокристалах кремнію при одновісній пружній деформації// Науковий вісник ВНУ. Серія фізичні науки. — Луцьк: Волинський національний університет ім. Лесі Українки. — 2008, №18.с. 54-58.
Конозенко И.Д., Семенюк А.К., Хиврич В.И. Радиационные эффекты в кремнии. — Киев: Наукова думка, 1974. — 200 c.
Семенюк А.К. Радіаційні ефекти в багатодолинних напівпровідниках. -Луцьк. “Надстир’я”. — 2001. — 323 c.
Федосов А.В. , Лунёв С.В., Федосов С.А. Влияние одноосной упругой деформации на подвижность носителей тока в монокристаллах n Si при наличии глубоких энергетических уровней. // Материалы 8-й Международной конференции. — Минск. — 2009. — С.357-359.
Баранский П.И., Коломоец В.В., Федосов А.В. Отличительные особенности пьезосопротивления германия и кремния n типа, обусловленные различием механизмов рассеяния электронов в этих кристаллах// ФТП. — 1981. - Т.15, В.4. -С.698-701.
Федосов А.В. Кинетические эффекты в многодолинных полупроводниках ( n Si и n Ge ) при одноосной упругой деформации: Дис. д-ра. физ-мат. наук, 01.04.10 / Ин-т полупроводников АН Украины. К., 1992. – С. 83-112.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
