DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.1.114003

РАДІАЦІЙНА МОДИФІКАЦІЯ СПЕКТРІВ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ АРСЕНІДУ ГАЛЛІЯ

Ya. I. Lepikh, V. A. Mokritsky, S. V. Lenkov, O. V. Banzak, Yu. A. Gunchenko

Анотація


У роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення отриманих результатів утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджені спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, отриманих з початковою температурою епітаксії 1023 К.

Ключові слова


арсенід галію; епітаксія; гамма-кванти; електрони; радіаційні дефекти; спектри фотолюмінесценції

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


С.В. Ленков, В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, В.А. Завадский. Радиационное управление свойствами материалов и изделий опто — и микро-электроники: Монография. — Одесса: Астропринт, 2002 — 297 с.

Lang P.V., Kimerling L.C. A new technique for defect spectroscopy in semiconductors: application to Mev electron-irradiated n-GaAs // In: Lattice Defecta in Semiconductors-1974, Conf. ser. N23. — London-Bristol. — 1975. — P. 581-588.

Мокрицкий В.А., Курицын Е.М. Жидкофазная эпитаксия слоев арсенида галлия в радиационном поле // Электронная техника. Сер. Материалы. — Вып. 4 (153). — 1981. — С. 22-23.

Мокрицкий В.А., Курицын Е.М. Особенности роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в поле гамма-излучения // YI конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. — Новосибирск: СО АН СССР. — 1982. — С. 117-118.

Стельмах В.Ф., Ткачев В.Д. Исследование радиационных нарушений в арсениде галлия методом фотопроводимости // Радиационная физика неметаллических кристаллов. — К.: Наукова думка, 1967. — С. 212-213.




Copyright (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)