РАДІАЦІЙНА МОДИФІКАЦІЯ СПЕКТРІВ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ АРСЕНІДУ ГАЛЛІЯ

Автор(и)

  • Ya. I. Lepikh Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна
  • V. A. Mokritsky Одеський національний політехнічний університет, Україна
  • S. V. Lenkov Військовий інститут Київського національного університету ім. Тараса Шевченка, Україна
  • O. V. Banzak Одеська національна академія зв'язку ім. А. С. Попова, Україна
  • Yu. A. Gunchenko Одеський національний університет імені І. І. Мечникова, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.1.114003

Ключові слова:

арсенід галію, епітаксія, гамма-кванти, електрони, радіаційні дефекти, спектри фотолюмінесценції

Анотація

У роботі виявлені зміни електричних параметрів шарів, отриманих з використанням опромінення гамма-квантами в процесі епітаксії. Дано пояснення отриманих результатів утворенням комплексів первинних радіаційних дефектів з атомами домішки. Досліджені спектри фотолюмінесценції шарів арсеніду галію, отриманих з початковою температурою епітаксії 1023 К.

Посилання

С.В. Ленков, В.А. Мокрицкий, А.С. Гаркавенко, В.В. Зубарев, В.А. Завадский. Радиационное управление свойствами материалов и изделий опто — и микро-электроники: Монография. — Одесса: Астропринт, 2002 — 297 с.

Lang P.V., Kimerling L.C. A new technique for defect spectroscopy in semiconductors: application to Mev electron-irradiated n-GaAs // In: Lattice Defecta in Semiconductors-1974, Conf. ser. N23. — London-Bristol. — 1975. — P. 581-588.

Мокрицкий В.А., Курицын Е.М. Жидкофазная эпитаксия слоев арсенида галлия в радиационном поле // Электронная техника. Сер. Материалы. — Вып. 4 (153). — 1981. — С. 22-23.

Мокрицкий В.А., Курицын Е.М. Особенности роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в поле гамма-излучения // YI конференция по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. — Новосибирск: СО АН СССР. — 1982. — С. 117-118.

Стельмах В.Ф., Ткачев В.Д. Исследование радиационных нарушений в арсениде галлия методом фотопроводимости // Радиационная физика неметаллических кристаллов. — К.: Наукова думка, 1967. — С. 212-213.

##submission.downloads##

Опубліковано

2017-11-06

Номер

Том 7 № 1 (2010)

Розділ

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

Ліцензія

Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.