ДОСЛІДЖЕННЯ СМУГ РОСТУ ФОСФІДУ ІНДІЯ МЕТОДОМ СЕЛЕКТИВНОГО ЕЛЕКТРОХІМІЧНОГО ТРАВЛЕННЯ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2010.1.114047Ключові слова:
смуги росту кристалу, композиційна неоднорідність, метод EDAX, явище сегрегаціїАнотація
У роботі представлено метод спостереження смуг росту кристалів InP, легованих сіркою, що полягає в електрохімічному травленні зразків. В результаті на поверхні досліджуваних кристалів утворюються концентричні темні кільця шириною приблизно 100 мкм, які є місцями скупчення пор. Пори проростають в тих областях, де концентрація сірки максимальна. Це свідчить на користь вибраного методу для спостереження явища сегрегації в кристалі, які виявляються у вигляді смуг росту.Посилання
Улин В.П., Конников С.Г., Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах A IIIB V //ФТП. — 2007. — Т.41,№7. — C.854-867.
Khalifa S. Ben, Gruzza B., Robert-Goumet C., Bideux L., Monier G., Saidi F., Hassen, H. Maaref, G. Bremond, L. Be`ji, Study of porous III-V semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL): Effect of ionic bombardment and nitridation process //Surface Science. — 2007-V.601. — C. 4531-4535.
Langa S., Carstensen J., Tiginyanu I. M., Christophersen M., Foll H., Self-Induced Voltage Oscillations during Anodic Etching of n-InP and Possible Applications for Three-Dimensional Microstructures //Electrochemical and Solid-State Letters. — 2001. — 4, №6. — P. 50-52.
Langa S., Tiginyanu I. M., Carstensen J., Christophersen M., and Foll H., Self-organized growth of single crystals of nanopores //Applied Physics Letters. — 2003. — Т.8,№2-C. 278-280.
Tiginyanu I. M, Kravetsky I. V., Langa S., Porous III — V compounds as nonlinear optical materials // Physica Status Solidi (A). — 2003. — V. 197, N 2. — P. 549 — 555.
Fцll H., Langa S., Carstensen J., Pores in III-V Semicoductors // Advanced Materils. — 2003. V. 15, N 3. — P. 183 — 198.
Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian Th., Schmuki P., Electrochemical formation of porous superlattices on n-type (100) InP // Surface Science. — 2003. — V.547. — P. — 268-274.
Langa S., Frey S., Carstensen J., Waveguide structures based on porous indium phosphide et al. // Electrochemical and Solid-State Letters. — 2005. — V. 8, N 2. — P. C30 — C32.
Сорокин Л.М., Аргунова Т.С., Абросимов Н.В., Гуткин М.Ю., Забродский А.Г., Костина Л.С., Jung J.W., Je J.H., Композиционная неоднородность и дефекты структeры в кристаллах твёрдого раствора GexSi1-x выращенных методом Чохральского.// Письма в ЖТФ. — 2007- Т.33, №12. — C. 37-47.
Pichonat T., Gauthier-Manuel B., Development of porous silicon-based miniature fuel cells // Journal of Micromechanics and Microengineering. — 2005. — V.15, № 9. — P. S179 — S184.
Hollinger G., Berngignat E., Joseph J., Robach Y., On the nature of oxides on InP surfaces // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. — 1985. — V. 3, № 6. — P. 2082 — 2088.
Aimin Liu and Changkui Duan, Radiative recombination and filling effect of surface states in porous InP // Applied physics letters. — 2001. — V. 78, № 1. — P. 43 — 46.
Бессолов В. Н., Лебедев М. В. Халькогенидная пассивация поверхности полупро-водниковА3В5// Физика и техника полупроводников. — 1998. — Т. 32, № 11. — C. 1281 — 1299.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2010 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
