ВПЛИВ ВІДПАЛУ НА СТРУКТУРУ ДЕФЕКТІВ GaMnAs І Si:Mn
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114106Ключові слова:
GaMnAs, Si, рентгенівська дифракція, тонкі шари, імплантація, тиск, відпал, спінтронікаАнотація
Вплив відпалу на структуру дефектів тонких шарів GaMnAs і на кремній, легований Mn+(Si:Mn) було досліджено методами рентгеноскопії, атомної мікроскопії та мас-спектроскопії вторинних іонів. До і після обробки рівні були повністю деформовані відносно підкладки. Зменшення значення параметра кристалічної гратки GaMnAs ймовірно пов’язане зі зменшенням концентрації заміщень As і міжвузлового Мn і створенням кластерів MnAs. Параметр кристалічної гратки відпаленого GaMnAs з 2%-ним змістом Мn був менше, ніж параметр кристалічної гратки підкладки GaAs. Концентрація Мn після відпалу залишилася незмінною. Дефектна структура Si:Mn залежить від параметрів відпалу.Посилання
Ohno O., Ferromagnetic semiconductors for spintronics // Physica B — 2006. — No. 376-377. — P. 19-21.
Ohno O., Making Nonmagnetic Semiconductors Ferromagnetic // Science — 2006. — No. 281. — P. 951–956.
Matsukura F., Ohno H., Shen A., Sugarawa Y., Transport properties and origin of ferromagnetism in (Ga,Mn)As // Phys.Rev. B — 1998, No 57. — P. R2037-R2040.
Dietl T., Ohno H., Matsukura F., Cibert J., Ferrand D., Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductors, Science — 2000 — No. 287. — P. 1019-1022.
Zaj¹c M., Gosk J., Kamiñska M., Twardowski A., Szyszko J., Podsiad³o S., Paramagnetism and antiferromagnetic d-d coupling in GaMnN magnetic semiconductor, Applied Phys. Letters, — 2001- No.79. — P. 2432-2434.
Moreno M., Trampert A.. Jenichen B., Daweritz L., Ploog K., Correlation of structure and magnetism in GaAs with embedded Mn(Ga)As magnetic nanoclusters. J. Appl. Phys — 2002 — No. 92. — P. 4672-4676.
Nakayama H., Ohta H., Kulatov E., Growth and properties of super-doped Si:Mn for spin-photonics // Phys. B — 2001 — No.302-303. — P. 419-424.
Bolduc M., Awo-Affouda C., Stollenwerk A., Huang M.B., Ramos F.G., Agnello G., LaBella V.P., Above room temperature ferromagnetism in Mn-ion implanted Si // Phys. Rev. B — 2005. — No. 71. — P. 033302-1 — 033302-4.
Shegqiang Zhou, Potzger K., Gufei Zhang, Mucklich A., Eichhorn F., Schell N., Grotzschel R., Schmidt B., Skorupa W., Helm M., Fassbender J., Geiger D., Structural and magnetic properties of Mn-implanted Si // Phys. Rev.B — 2007 — No 75. — P. 0852003-1 — 085200-6,
Misiuk A., Bak-Misiuk J., Surma B., Osinniy W., Szot M., Story T., Jagielski J., Structure and magnetic properties of Si:Mn annealed under enhanced hydrostatic pressure // J. Alloys Comp. — 2006. — No.423. — P. 201-204.
Misiuk A., Surma B., Bak-Misiuk J., Barcz A., Jung W., Osinniy W., Shalimov A., Effect of pressure annealing on structure of Si:Mn // Mater. Sci. Semicond. Process. — 2006. — No.9. — P. 270-274.
J. Masek, J. Kurdnowsky, F. Maca, Lattice constant in dilluted magnetic semiconductors (Ga,Mn)As // Phys. RevB. — 2003 — No.67 — P.153203- 153206.
Moreno M., Kaganer V.M., Jenichen B., Trampert, L. A. Daweritz L, Ploog K., Micromechanics of MnAs nanocrystals embedded inGaAs // Phys.Rev.B — 2005 — No.72. — P.115206-1 — 115206-8.
Moreno M., Jenichen B., Daweritz L., Ploog K., Lattice distortion of MnAs nanocrystals embedded in GaAs : Effect on magnetic properties // Appl. Phys. Lett. — 2005 — No. 86 — P. — 161903-1 — 161903-3.
Holy V., Pietsch U., Baumbach T., High resolution X-Ray scattering from thin films and multilayers — Germany, Berlin.: ed. by Springer Tracts in Modern Physics, 1998 — 170 p.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
