Том 4 № 4 (2007)

Опубліковано: 2017-02-24

Весь випуск

PDF

Фізичні, хімічні та інші явища, на основі яких можуть бути створені сенсори

ВПЛИВ ВІДПАЛУ НА СТРУКТУРУ ДЕФЕКТІВ GaMnAs І Si:Mn

J. Bak-Misiuk, E. Dynowska, P. Romanowski, A. Misiuk, A. Shalimov, J. Z. Domagalaa, E. Lusakowska, J. Sadowski, W. Caliebe, W. Szuszkiewicz, J. Trela

4-9

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114106
- PDF (English)

Біосенсори

ПРОЦЕСИ В ІМЕРСІЙНІЙ РІДИНІ ППР-СЕНСОРА ПРИ ЗМІНІ БІОЧІПІВ

I. D. Voytovych, I. A. Yavorsky

38-46

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114154
- PDF

Проектування і математичне моделювання сенсорів

МАТЕМАТИЧНА МОДЕЛЬ ПЕРЕХІДНИХ ПРОЦЕСІВ В КРІОТРОНАХ НА ОСНОВІ СКВІДІВ

M. V. Tyhanskyi, A. I. Partyka

10-15

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114108
- PDF
ІНТЕГРОВАНИЙ ПРОГРАМНИЙ ПАКЕТ ДЛЯ ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ ПЕРЕНОСУ СТРУМУ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ

P. P. Horley, O. A. Chervinskiy

16-20

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114109
- PDF

Оптичні, оптоелектронні і радіаційні сенсори

АМОРФНО-КРИСТАЛІЧНІ ГЕТЕРОПЕРЕХОДИ ДЛЯ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ СЕНСОРІВ: ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ТА ВЛАСТИВОСТІ

N. D. Savchenko, A. B. Kondrat, T. N. Shchurova, I. I. Opachko, V. M. Rubish

21-25

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114144
- PDF (English)
ФІЗИЧНА МОДЕЛЬ ПРОЦЕСУ РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНОГО ВПОРЯДКУВАННЯ ДЕФЕКТНОЇ СТРУКТУРИ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КРИСТАЛІВ

B. V. Pavlyk, B. Z. Tsybulyak, M. V. Lyshak

26-30

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114149
- PDF
СПЕКТРИ КР ТА ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СТЕКОЛ GeXS1-X

A. Kondrat, V. Mitsa, N. Popovich

31-37

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114151
- PDF

Технологія виробництва сенсорів

ВПЛИВ ТЕРМООБРОБКИ НА ПАРАМЕТРИ СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТІВ nіTO/pіnP, ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ ПІРОЛІТИЧНОЇ ПУЛЬВЕРИЗАЦІЇ

A. Simashkevich, D. Sherban, L. Gorceac, L. Bruk, A. Coval, Iu. Usatii

72-75

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114184
- PDF (Русский)

Матеріали для сенсорів

ФОТОЧУТЛИВІ ПЛІВКИ CuIn3 Se5, ОТРИМАНІ МЕТОДОМ ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО НАПИЛЕННЯ

E. N. Borisov, Ya. Vertsimakha, P. Lutsyk, A. Tverjanovich, Yu. S. Tveryanovich

47-53

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114158
- PDF (Русский)
ВПЛИВ ГЕОМЕТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ТА ТИПУ ПРОВІДНОСТІ БАЗОВИХ КРЕМНІЄВИХ КРИСТАЛІВ НА ЕФЕКТИВНІСТЬ РОБОТИ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ

M. V. Kirichenko, R. V. Zaytsev, V. R. Kopach, V. A. Antonova, A. M. Listratenko

54-58

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114167
- PDF (Русский)
ФІЗИЧНІ ЯВИЩА ТА ЗОННІ ПАРАМЕТРИ КРИСТАЛІВ (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, ЛЕГОВАНИХ МАРГАНЦЕМ

P. D. Maryanchuk, D. P. Kozyarskyy

59-65

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114173
- PDF
ЕЛЕКТРОННІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ InI ПІД ТИСКОМ

A. V. Franiv, O. V. Bovgyra, O. V. Bovgyra, O. V. Franiv, O. V. Franiv

66-71

DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114176
- PDF