ФОТОЧУТЛИВІ ПЛІВКИ CuIn3 Se5, ОТРИМАНІ МЕТОДОМ ІМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО НАПИЛЕННЯ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114158Ключові слова:
плівки CuIn3 Se5, фото-ерс, імпульсне лазерне напиленняАнотація
Досліджені оптичні та фотовольтаїчні властивості плівок, отриманих імпульсним лазерним випаровуванням з мішені CuIn3 Se5 у вакуумі, на підкладки з різною температурою і вивчено вплив відпалу у вакуумі при різних температурах на властивості досліджуваних плівок. При напиленні плівок на нагріті підкладки утворюються кристаліти CuIn3 Se5, але вміст Se зменшується зі збільшенням температури підкладок. Навпаки, вміст Se практично зберігається в плівках, нанесених на підкладки з кімнатною температурою і після відпалу у вакуумі при температурах до 700 К. При цьому, в процесі відпалу утворюються фоточутливі полікристалічні плівки CuIn3 Se5. Максимальна фоточутливість плвок отримана при температурах відпалу 510-600 К.Посилання
Goetzberger A., Hebling Ch., Schock H.W. Photovoltaic materials, history, status and outlook // Materials Science and Engineering R. — 2003. — V.40. — P. 1-46.
Ramanathan K., Teeter G., Keane J.C., Noufi R. Properties of high-efficiency CuInGaSe2 thin film solar cells // Thin Solid Films. — 2005. — V.480- 481. — P. 499-502.
Klenk M., Schenker O., Alberts V., Bucher E. Properties of flash evaporated chalcopyrite absorber films and solar cells // Thin Solid Films. — 2001. — V.387. — P. 47-49.
Sakata H., Ogawa H. Optical and electrical properties of flash-evaporated amorphous CuInSe2 films // Solar Energy Mater. Solar Cells. — 2000. — V.63. — P. 259-265.
Tverjanovich A., Borisov E.N., Vasilieva E.S., Tolochko O.V., Vahhi I.E., Bereznev S., Tveryanovich Yu.S. CuInSe2 thin films deposited by UV laser ablation // Solar Energy Mater. Solar Cells. — 2006. — V.90. — P. 3624–3632.
Yoshida A., Tanahashi N., Tanaka T., Demizu Y., Yamamoto Y., Yamaguchi T. Preparation of CuInSe2 thin films with large grain by excimer laser ablation // Solar Energy Mater. Solar Cells. — 1998. — V.50. — P. 7-12.
Schmid D., Ruckh M., Grunwald F., Schock H.W. Chalcopyrite/defect chalcopyrite heterojunctions on the basis of CuInSe2 // J. Appl. Phys. — 1993. — V.73. — P. 2902-2909.
Акимов И.А., Мешков А.М.. Определение знака заряда носителей фототока конденсаторным методом // Доклады Академии Наук СССР. — 1965. — Т.162. — С. 306-309.
Вербицкий А.Б., Верцимаха Я.И., Луцик П.Н., Студзинский С.Л. Березнев С. Койс Ю. Свойства поверхности CuInS2 и влияние на них органических слоев // Физика и Техника Полупроводников. — 2006. — Т.40. — №2. — С. 202-206.
Физико-химические свойства полупроводниковых материалов. Справочник. — М.: Наука. — 1979.
Chopra K.L., Das S.R., Thin Film Solar Cells. — New York: Plenum Press. — 1983. — С. 436.
Alonso M.I., Wakita K., Pascual J., M. Garriga, N. Yamamoto. Optical functions and electronic structure of CuInSe2 , CuGaSe2 , CuInS2 , and CuGaS2 // Phys. Rev. B. — 2001. — V.63. — P. 075203.
Malar P., Kasiviswanathan S. Characterization of stepwise flash evaporated CuIn3Se5 films // Solar Energy Mater. Solar Cells. — 2005. — V.85. — P. 521- 533.
Дмитрюк Н.Л., Зуев В.А., Крюченко Ю.В., Степанова М.А. Поверхностные фотоэлектрические явления в биполярных полупроводниках с малой длиной диффузии // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. — 1992. — Т.23. — С. 78-83.
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
