СПЕКТРИ КР ТА ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ХАЛЬКОГЕНІДНИХ СТЕКОЛ GeXS1-X

Анотація

Досліджено вплив технологічних умов одержання стекол GeS2 на структурні зміни в с-GeS2. Виявлено, що з ростом температури розплаву в спектрі комбінаційного розсіювання досліджуваного скла з’являються смуги, характерні для а-Ge та кристалічного с-GeS в поляризації ba+(ca). Враховуючи еволюцію спектрів КР стекол с-GeS2 при збільшенні температури розплаву, від якої велося загартовування, складну смугу в області 200-300 см-1 можна розглядати як накладання смуг, характерних для a-Ge і к-GeS. Із КР спектрів високо- та низькотемпературних модифікацій дисульфіду германію та з розрахунків коливань ланцюжків у моделі валентного силового поля встановлено, що коливання деформованих тетраедрів GeS4/2 типу А1 відповідають за найбільш інтенсивну коливну моду КР спектрі β-GeS2 при 362 см-1. Розраховано енергетичне положення верхньої частини валентної зони (EV) і дна зони провідності (ЕС) сполуки Gen Sm. Визначено енергетичне положення електронних станів, утворених атомами Ge4p, кластерами Gesp3 та кластерами Sn. Побудована гіпотетична залежність енергетичного положення EV і ЕС від міжатомної відстані, розраховані значення енергії електронних станів Es, EGe-Ge, EGesp3 та рівня Фермі EF. Для сполуки GeS2 на енергетичній діаграмі виділені імовірні розрахункові положення енергетичних рівнів, які пов’язуються з фазами Sn, α-GeS2, Ge2 S3, Ge-Ge, Gesp3 та LP-станами сірки.