ФІЗИЧНІ ЯВИЩА ТА ЗОННІ ПАРАМЕТРИ КРИСТАЛІВ (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, ЛЕГОВАНИХ МАРГАНЦЕМ

P. D. Maryanchuk, D. P. Kozyarskyy

Анотація


Магнітна сприйнятливість (χ) кристалів (3HgSe)1-x(Al2 Se3)x (х=0,1), легованих марганцем, досліджена в інтервалі температур Т=77 — 300 К при Н=4 кЕ методом Фарадея до і після термообробки зразків в парах селену. Встановлено, що особливості χ обумовлені наявністю в кристалах кластерів типу Mn–Se–Mn–Se різних розмірів, в яких між атомами Mn через атоми халькогена здійснюється непряма обмінна взаємодія антиферомагнітного характеру. Термообробка зразків в парах селену слабо впливає на χ кристалів. Дослідження кінетичних коефіцієнтів кристалів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x (х=0,1) (легованих марганцем) проведені в інтервалі Т=77-300К і Н=0,5-5 кЕ до і після термообробки зразків
в парах селену. До термообробки коефіцієнт Холла (RH) в досліджуваних кристалах не залежить від температури, термо-ерс збільшується з ростом температури, електропровідність кристалів має металічний характер і майже лінійно залежить від температури, що вказує на можливість використання цих матеріалів як датчиків (сенсорів) температури. Термообробка зразків в парах селену приводить до зменшення концентрації електронів. Одержано залежність ефективної маси електронів на рівні Фермі від температури.


Ключові слова


кристал; електропровідність; магнітна сприйнятливість; кластер

Повний текст:

PDF

Посилання


Томашик В.Н., Грыцив В.И. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых содинений AIIBVI. — Киев: Наукова думка, 1982. — 168 с.

Марьянчук П.Д. О природе кластеров в кристаллах Mnx Hg1-xSеy // Изв. вузов СССР Физика. — 1984. — 27, №1. — С.122–124.

Марьянчук П.Д., Гавалешко Н.П., Неупорядоченные твердые растворы Mnx Hg1-xSеy // Изв. АН СССР. Неорган. матер. — 1987. — 23, №8. — С.1271–1274.

Марьянчук П.Д. Влияние термообработки кристаллов Mnx Hg1-xSe в парах ртути и селена на их магнитную восприимчивость//Изв. вузов. Физика. — 1993. — Т.36, №8. — С.54-59.

Гавалешко Н.П., Марьянчук П.Д., Падалко А.М. Влияние термообработки на кластерную и дефектную подсистемы кристаллов Hg1-xMnx Te1-ySey // Изв. вузов. Физика. — 1993. — Т.36, №5. — С.48-51.

Марьянчук П.Д. Температурная зависимость эффективной массы электронов в кристаллах Mnx Hg1-xSe //Изв. вузов СССР. Физика. — 1984. — Т.27, №2. — С.95-96.

Марьянчук П.Д., Гавалешко Н.П. Влияние температуры на эффективную массу электронов в Mnx Hg1-xSe //Изв. вузов СССР. Физика. — 1987. — Т.30, №11. — С.5-9.

Марьянчук П.Д. Влияние степени заполнения зоны проводимости на эффективную массу электронов в Mnx Hg1-xSe //Изв. вузов. Физика. — 1993. — Т.36, №9. — С.117-119.

Марьянчук П.Д., Гавалешко Н.П. Влияние температуры на зонную структуру Mnx Hg1-xSe //Изв. вузов. Физика. — 1991. — Т.34, №4. — С.40-44.

Аскеров Б.М. Кинетические эффекты в полупроводниках. — Л.: Наука, 1970. — 304с.

Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. — М.: Наука, 1972. — 640с.

Dietl T. Jedrzejczak A. Temperature Dependence of the Band Structure Parameters in HgSe from Thermomagnetic Measurements //Phys. Stat. Sol. (b). — 1975. — V.71. — K39-K44.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114173

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)