АМОРФНО-КРИСТАЛІЧНІ ГЕТЕРОПЕРЕХОДИ ДЛЯ ОПТОЕЛЕКТРОННИХ СЕНСОРІВ: ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА ТА ВЛАСТИВОСТІ
DOI:
https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114144Ключові слова:
аморфно-кристалічні гетеропереходи, халькогенідні напівпровідники, ЛКАО, псевдопотенціалАнотація
Методом, який базується на методі лінійної комбінації атомних орбіталей та методі псевдопотенціалу, проведено розрахунок електронної структури в області забороненої зони аморфних (Ge33As12Se55) і кристалічних (Si) матеріалів. Побудовані теоретичні енергетичні діаграми для гетероструктур і співставлені з експериментальними даними.Посилання
Electronic phenomena in glassy semiconductors. Ed. K.D. Tsendin. Nauka (Science), St. — Petersburg (1996).
W. A. Harrison. Elementary Electronic Structure. World Scientific Publishing Co., New Jersey, London, Singapore, Shanghai, Hong Kong, Taipei, Chennai (2004)
N. D. Savchenko. Energy band diagram for the Ge33As12Se55 — Si heteroboundary // in Inst. Phys. Conf. Ser. No.152, pp. 723-726. IOP Publishing Ltd (1998).
N. D. Savchenko, A. B. Kondrat, N. I. Dovgoshey, Yu. I. Bertsik. Charge transfer phenomenon in Ge33As12Se55 — X — Si structures with nanolayer X: Sb; Bi; In; Pb // Functional Materials 6(3), pp. 432- 435 (1999).
T. N. Shchurova, N. D. Savchenko, A. B. Kondrat, I. I. Opachko. Auger analysis and simulation of electronic states for Ge33As12Se55 - p-Si heterojunction // Surface and Interface Analysis 38, pp. 448-451 (2006).
J. B. Mann. Atomic Structure Calculations, 1: Hartree-Fock Energy Results for Elements from Hydrogen to Lawrencium. Clearinghouse, Springfield (1967).
O. Uemura, Y. Nagata, T. Usuki, Y. Kameda. Shortrange Order in Amorphous (Ge1-xMx ) Se2 (M = As, Sb and Bi) // J Non-Cryst Sol 192&193, pp. 74-78 (1995).
T. Shchurova, N. Savchenko, A. Spesivykh, N. Baran. Spectral Distribution of Photoemission Quantum Efficiency for (As2 Se3 )1-xGex Glasses // Jap J Appl Phys 39(Suppl. 39-1), pp. 334-335 (2000).
A. Feltz Amorphe und Glasartige Anorganische Festkorper. Akademie-Verlag, Berlin (1983).
D. J. Chadi. Spin-orbit splitting in crystalline and compositionally disordered semiconductors // Phys Rev B 16, pp. 790-796 (1977).
N. I. Dovgoshey, L. G. Kesler, N. D. Savchenko. Relativistic electrons effect on the optical coatings of Ge-As-Se type // in Kvantovaya Elektronika (Quantum Electronics) Iss. 40, pp. 43-49, Naukova dumka, Kiev (1991).
##submission.downloads##
Опубліковано
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Авторське право переходить Видавцю.
