ВПЛИВ ГЕОМЕТРИЧНИХ ПАРАМЕТРІВ ТА ТИПУ ПРОВІДНОСТІ БАЗОВИХ КРЕМНІЄВИХ КРИСТАЛІВ НА ЕФЕКТИВНІСТЬ РОБОТИ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ

Автор(и)

  • M. V. Kirichenko Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», Україна
  • R. V. Zaytsev Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», Україна
  • V. R. Kopach Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», Україна
  • V. A. Antonova Науково-дослідний технологічний інститут приладобудування, Україна
  • A. M. Listratenko Науково-дослідний технологічний інститут приладобудування, Україна

DOI:

https://doi.org/10.18524/1815-7459.2007.4.114167

Ключові слова:

фотоперетворювач, кремній, тип провідності, товщина, параметри

Анотація

Наведено результати досліджень вихідних та діодних параметрів фотоелектричних перетворювачів (ФЕП), виготовлених на основі базових кристалів кремнію р- та n-типу провідності товщиною від 190 до 375 мкм. Шляхом зіставлення вихідних та діодних параметрів ФЕП з базовими кристалами різної товщини та типу провідності обґрунтована доцільність створення високоефективних вітчизняних ФЕП наземного призначення на основі кристалів кремнію n-типу провідності з товщиною не більше 200 мкм.

Посилання

Green M.A., Emery K., King D.L., Hisikawa Y., Warta W. Solar cell efficiency tables (Version 27) // Prog. Photovolt: Res. Appl. — 2006. — V.14, No. 1. — P. 45-51.

Антонова В.А., Борщев В.Н., Копач В.Р., Листратенко А.М., Слипченко Н.И., Тымчук И.Т. Тонкие текстурированные кремниевые фотопреобразователи с улучшенными массомощностными характеристиками // Радиотехника: Всеукраинский межведомственный научно-технический сборник. — 2004. — Вып. 139. — С. 113-119.

Zhao J., Wang A., Campbell P., et al. Proceedings of the 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, September 30-October 3, 1997; Anaheim, CA, P. 1133.

Fahrenbruch A.L., Bube R.H. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion. Academic Press, New York (1983).

Wawer P., Schmidt A., Wagemann H. — G. Proceedings of the 14th European Photovoltaic Solar Energy Conference, June 30-July 4, 1997; Barcelona, Spain, P. 2450.

Glunz S.W., Rein S., Warta W., et al. Proceedings of the 2nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, July 6-10, 1998; Vienna, Austria, P. 1343.

Scmidt J., Aberle A.G., Hezel R. Proceedings of the 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, September 30-October 3, 1997; Anaheim, CA, P. 13.

Keogh W., Cuevas A. Proceedings of the 26th IEEE Photovoltaic Specialists Conference, September 30- October 3, 1997; Anaheim, CA, P. 199.

Kerschaver E., Einhaus R., Szlufcik J. Proceedings of the 14th European Photovoltaic Solar Energy Conference, June 30-July 4, 1997; Barcelona, Spain, P. 2438.

Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. — М.: Наука, 1985. — 280 с.

Mцller H.J. Semiconductors for solar cells. — Boston: Artech House, 1993. — 426 p.

##submission.downloads##

Опубліковано

2007-11-07

Номер

Том 4 № 4 (2007)

Розділ

Матеріали для сенсорів

Ліцензія

Авторське право (c) 2007 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.

Авторське право переходить Видавцю.