ПОКРАЩЕННЯ ЧУТЛИВОСТІ ДО ВОДНЮ СТРУКТУРИ ОСТРІВКОВА ПЛІВКА ПАЛАДІЮ-КРЕМНІЄВИЙ ДІОД ПРИ КІМНАТНИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

V. A. Skryshevsky, V. Polischuk, A. I. Manilov, I. V. Gavrilchenko, R. V. Skryshevsky

Анотація


Розроблено сенсор водню на основі структури острівкова плівка палладію — кремнієвий діод, використовуючи тонкий (15-75 нм) шар нанопористого кремнію в якості проміжного чутливого шару. Використання термічного осадження палладію в поруватий кремній дозволяє змінювати розмір та морфологію металевих островків в матриці поруватого кремнію. Поведінка газового сенсора при експозиції водню в суміші 200 ppm- 10 % H2 та сухого синтетичного повітря (20 % O2 + 80 % N2) була досліджена шляхом вимірів вольт-амперних характеристик. Діодний струм і чутливість сенсору водню залежать від типу кремнієвої підкладки і товщини поруватого кремнію. Зміна струму від концентрації водню показує лінійну залежність для високої та низької концентрації водню. При кімнатній температурі чутливість
сенсора складає приблизно 1 мкA/100 ppm, час відгуку та відновлення знаходиться в межах 1 — 8 хвилин.


Ключові слова


водень, сенсор; поруватий кремній; чутливість; кімнатна температура

Повний текст:

PDF (English)

Посилання


A.Mandelis, C.Christofides, In: Chemical Analysis/A series of monographs on analytical chemistry and its applications/, v. 125, ed.J.D.Winefordner, Wiley &Sons, N.Y., 1990.

Sensors (A Comprehensive Book Series): Chemical and Biochemical Sensors / eds W.Gopel, J.Hesse, J.N. Zemel. — Weinheim.: VCH, 1991. — V.2. — P.469-523.

Lundstrom I. // Sensors and Actuators. — 1981. — V.1. — P. 403-426.

Lundstrom I., Soderberg D. // Sensors and Actuators. — 1981/1982. — V.2. — P.105-138.

Zheng Li, S.J.Fonash, In Chemical Sensor Technology, Vol.2, Tokyo, 1989, pp.21-41.

V.Polishchuk, E.Souteyrand, J.R.Martin, D.Nicolas, V.I.Strikha, V.A.Skryshevsky, Anal.Chem.Acta, 375, 205 (1998).

V.G. Litovchenko, T.I. Gorbanyuk, V.S. Solntsev, A.A. Evtukh, Appl. Surf. Sci. 234 (2004) 262-267.

D.Kohl, J.Phys.D :Apl.Phys.34(2001) R125-R149

В.А.Скришевський, Фізичні основи напівпровідникових хімічних сенсорів, Київ, Київськийуніверситет, 2006.

M.C.Steele and B.A.Maciver, Appl .Phys.Lett., 28, 687 (1976).

Bisi O., Ossicini S., Pavesi L. Surface Sci.Reports. — 2000. — V.38. — P.1-126.

Valeri P. Tolstoy, Irina Chernyshova, Valeri A. Skryshevsky, Handbook of Infrared Spectroscopy of Ultrathin Films, John Wiley & Sons, Inc., N.J., 2003, 710 p.

V.A.Vikulov, V.I. Strikha, V.A. Skryshevsky, S.S.Kilchitskaya, E.Souteyrand, J. — R. Martin, J.Phys.D, 33, 1957-1964, 2001.

V.A.Skryshevsky, V.M.Zinchuk, A.I.Benilov, Yu.S.Milovanov, O.V.Tretyak. Semicond. Sci. Technol., 21, 2006, pp.1605-1608.

O.V. Tretyak, V.A.Skryshevsky, V.A.Vikulov, Yu.V.Boiko, V.M.Zinchuk, Thin Solid Films, 445 (2003) 144-148.




DOI: https://doi.org/10.18524/1815-7459.2008.2.114425

Copyright (c) 2008 Сенсорна електроніка і мікросистемні технології

ISSN 1815-7459 (Print), 2415-3508 (Online)